Физика полупроводников и диэлектриков

Подписаться на обновления

Моделирование воздействия ионизирующих излучений на зарядовые свойства структур poly-Si-SiO2 (P)-Si	Макаренко Владимир Александрович	2006
Аномальный эффект Косселя в полупроводниковых структурах	Медведев Павел Георгиевич	2006
Планарная неоднородность и радиационные эффекты в МДП структурах	Меньшикова Татьяна Геннадьевна	2006
Процессы переноса и захвата заряда в системе электролит-нитрид кремния-окисел-кремний	Набок, Алексей Васильевич	2006
Электрические, фотоэлектрические и оптические свойства модифицированных пленок a-Si:H	Нальгиева Мадина Алихановна	2006
Оптические свойства гетероинтерфейсов типа II в теории сильной связи	Нестоклон Михаил Олегович	2006
Инжекционные лазеры на основе квантовых ям и квантовых точек на подложках GaAs, излучающие на длине волны 1.3 мкм	Никитина Екатерина Викторовна	2006
Длительная кинетика люминесценции зона-примесь в GaAs и тв#рдых растворах на его основе	Николаенко Андрей Евгеньевич	2006
Гетероструктуры на основе халькогенидов европия и свинца	Никольская Людмила Владимировна	2006
Особенности концентрационных профилей при неизотермической диффузии в полупроводниках	Овчаров Владимир Викторович	2006
Электронные процессы в гетероструктурах на основе монокристаллического кремния и неупорядоченных материалов	Павленко Максим Николаевич	2006
Исследование A+ центров в двумерных структурах на основе GaAs	Петров Павел Вячеславович	2006
Кинетические явления в твердотельных электронных биллиардах	Погосов Артур Григорьевич	2006
Экситонная фотолюминесценция арсенида галлия высокой степени чистоты	Полетаев Николай Константинович	2006
Рекомбинационные процессы в структурах на основе твердого раствора InGaN	Потанахина Любовь Николаевна	2006
Встраивание мышьяка и фосфора при молекулярно-лучевой эпитаксии твёрдых растворов (AIII)PxAs1-x	Путято Михаил Альбертович	2006
Структура и электрофизические свойства полупроводниковых металлооксидных нанокомпозитов при взаимодействии с газами	Рембеза Екатерина Станиславовна	2006
Спектроскопия самоорганизующихся INAS/GAAS квантовых точек в полупроводниковых лазерных структурах	Савельев Артем Владимирович	2006
Функциональные характеристики элементов энергонезависимой памяти на основе халькогенидных полупроводников	Савинов Иван Сергеевич	2006
Радиационно-стимулированное формирование нитрида кремния в кремнии при последовательном облучении встречными пучками ионов азота и аргона	Сдобняков Виктор Владимирович	2006
Полупроводниковые наноструктуры CdSe/ZnSe, полученные методом молекулярно-пучковой эпитаксии: самоформирование, свойства и применение в оптоэлектронике	Седова Ирина Владимировна	2006
Молекулярно-пучковая эпитаксия и свойства низкоразмерных гетероструктур на основе узкозонных соединений A3B5	Семенов Алексей Николаевич	2006
Светоизлучающие приборы на основе квантовых точек InGaN: технология эпитаксиального выращивания и исследование свойств	Сизов Дмитрий Сергеевич	2006
Электронные процессы в системе Me-Ga2Se3-(SiOx)Si с различными металлическими контактами	Сизов Сергей Викторович	2006
Электрофизические характеристики и структурно-фазовый состав наноразмерных структур в системе Ga2Se3/GaAs	Стародубцев Александр Александрович	2006
Проявление электрон-фононного взаимодействия в квантово-размерных структурах	Старчук Александр Сергеевич	2006
Поведение сегнетоэлектриков в наноразмерных силикатных матрицах	Стукова Елена Владимировна	2006
Воздействие ионизирующих излучений и импульсных магнитных полей на поверхностные свойства полупроводников	Татаринцев Александр Владимирович	2006
Особенности электрофизических свойств твердотельных структур при воздействии наносекундных импульсов электромагнитного излучения	Требунских Сергей Юрьевич	2006
Влияние электрического поля на скорость оптических и термических переходов с глубоких уровней в арсениде галлия	Трифонов Олег Александрович	2006
Влияние неоднородности толщины диэлектрика на свойства туннельных МОП структур Al/(1-4 нм)SiO2/Si	Тягинов Станислав Эдуардович	2006
Влияние легирования и длительного освещения на плотность электронных состояний в щели подвижности микрокристаллического и аморфного гидрированного кремния	Хабарова Ксения Юрьевна	2006
Структура, параметры и физико-химическая природа центров с глубокими уровнями в соединениях A2B6	Хамидов Марасилав Магомедович	2006
Кинетические свойства размерно-квантованных систем в электрическом и магнитном полях	Хамидуллин Рустам Ангамович	2006
Взаимодействие упругой, спиновой и магнитной подсистем в борате железа	Хизбуллин Радик Накибович	2006
Рекомбинационные процессы в однослойных массивах InAs/GaAs квантовых точек	Школьник Алексей Сергеевич	2006
Пикосекундная суперлюминесценция и ее влияние на изменение прозрачности GaAs	Агеева Надежда Николаевна	2005
Процессы излучательной рекомбинации в пленках оксида цинка и гетероструктурах на их основе	Аливов Яхия Ибрагимович	2005
Размерное квантование и туннелирование электронов в фотоэмиссии из p+-GaAs(Cs, O)	Андреев Вячеслав Эдуардович	2005
Механизмы модификации электронной структуры, светоизлучающих свойств и состава поверхности пористого кремния в процессе водного дотравливания	Апполонов Сергей Владимирович	2005
Нелинейные процессы и самоорганизация диссипативных структур в системах полупроводник - газоразрядный промежуток	Астров Юрий Александрович	2005
Атомная и электронная структура наноформ на основе кремния	Борщ Надежда Алексеевна	2005
Влияние состояния ионов и дефектов нестехиометрии на электромагнитные явления в ферримагнитных полупроводниках	Булатов Марат Фатыхович	2005
Дифосфид цинка-германия: синтез, кристаллизация и исследование дефектов структуры	Верозубова Галина Александровна	2005
Магнетотранспортные свойства непланарного двумерного электронного газа в модулированных полупроводниковых структурах	Горан Андрей Васильевич	2005
Процессы испарения и кристаллизации окисных сло#в на германии	Горохов Евгений Борисович	2005
Радиационное дефектообразование при ионной имплантации в варизонных полупроводниковых структурах CdxHg1-xTe, выращенных методом молекулярно-лучевой эпитаксии	Григорьев Денис Валерьевич	2005
Пикосекундные инжекционные лазеры с пассивной модуляцией добротности и синхронизацией мод	Губенко Алексей Евгеньевич	2005
Электрофизические свойства нетрадиционных диэлектрических слоев (ионно синтезированный SiO2 и HfO2, ZrO2, Al2O3 ) на поверхности кремния	Дмитриев Валентин Александрович	2005
Физические основы и принципы проектирования интегральных полупроводниковых датчиков переменных давлений	Драгунов Валерий Павлович	2005

[1] [2] [3] [4] [5] [6] [7] [8] [9] [10] [11] [12] [13] [14] [15] [16] [17] [18] [19] [20] [21] [22] [23] [24] [25] [26] [27] [28] [29] [30] [31] [32] [33] [34] [35] [36] [37]