Физика полупроводников и диэлектриков

Подписаться на обновления

Особенности распространения поверхностных и оттекающих акустических волн в монокристаллах и слоистых средах	Диденко, Ирина Сергеевна	2000
Коррелированные ядерные спиновые системы в антиферромагнетиках	Думеш, Борис Самуилович	2000
Исследование влияния добавок Pb, Sn, Tl, Bi на электрофизические свойства систем Ge-Se и Ga-Te	Дьяков, Сергей Николаевич	2000
Физические свойства и структурные особенности легированных германием монокристаллов кремния, выращенных в условиях жидкостной подпитки	Ежлов, Вадим Сергеевич	2000
Нелинейные оптические явления и эффекты фазовой памяти в полупроводниковых системах с пониженной размерностью	Еремян, Аршам Серобович	2000
Электронный парамагнитный резонанс ионов группы железа и дефектов в оксидных и фторидных стеклах	Жачкин, Владимир Арефьевич	2000
Физико-химические процессы в расплаве на границах раздела фаз при направленной кристаллизации оксидных соединений	Заварцев, Юрий Дмитриевич	2000
Полупроводниковые квантово-размерные гетероструктуры на основе широкозонных соединений A2 B6 : Основы технологии получения методом молекулярно-пучковой эпитаксии и исследование свойств	Иванов Сергей Викторович	2000
Полупроводниковые квантово-размерные гетероструктурыпа основе широкозонных соединений А2 В6(основы технологии получения методоммолекулярно-пучковой эпитаксии и исследование свойств)	Иванов, Сергей Викторович	2000
Локализованные примесные центры с частично заполненными d- и f- оболочками в бинарных полупроводниках	Ильин, Николай Петрович	2000
Экстремальные токи в полупроводниковых структурах	Ищук, Лариса Вадимовна	2000
Исследование диффузии цинка из полимерных диффузантов в полупроводники A3 B5 : На примере InP	Каманин, Александр Вадимович	2000
Оптоэлектронные свойства светоизлучающих кремниевых структур	Каменев, Борис Владимирович	2000
Особенности рассеяния быстрых электронов на тепловых колебаниях при прохождении через тонкие кристаллы	Карасев, Платон Александрович	2000
Спектры краевой фотолюминисценции эпитаксиальных слоев GaSa, InGaAsP в условиях флуктуаций легирования и состава	Карачевцева, Мария Виссарионовна	2000
Инфразвуковая диэл. спектроскопия неполярных и полярных фторсодержащих полимерных пленок.	Карулина Елена Анатольевна	2000
Инфразвуковая диэлектрическая спектроскопия неполярных и полярных фторсодержащих полимерных пленок	Карулина, Елена Анатольевна	2000
Особенности дефектообразования в ионноимплантированных слоях арсенида галлия	Комарницкая, Елена Александровна	2000
Высокочастотные и магнитоакустические взаимодействия в магнитомягких ферритах с различными формой, размерами и микроструктурой	Котов, Леонид Нафанаилович	2000
Оптические и фотоэлектрические свойства твердых растворов арсенид кадмия - арсенид цинка в ИК-области спектра	Кочура, Алексей Вячеславович	2000
Проблема создания металл-керамических соединений с использованием вакуум-плазменных технологий	Кривуца, Зоя Федоровна	2000
Особенности излучательной рекомбинации низкоразмерных гетероструктур InGaAs/AlGaAs и GaAs/AlGaAs	Кудряшов, Игорь Вениаминович	2000
Энергетическая структура многоэлектронных атомов	Кустов, Дмитрий Евгеньевич	2000
Исследование физических процессов при электретировании диэлектрических пленок в плазме газового разряда и разработка электретных датчиков	Лабутин, Александр Валериевич	2000
Разработка, исследование свойств и оптимизация характеристик мощных InGaAsP/InP лазеров	Лешко, Андрей Юрьевич	2000
Исследование свойств и оптимизация гетероструктур на подложках GaAs и разработка мощных лазеров на их основе: =0,78 - 1,3 мкм	Лившиц Даниил Александрович	2000
Влияние ионного обмена на фазовые равновесия в стеклах	Лобода, Вера Владимировна	2000
Исследование явления неустойчивости в мультистабильных неоднородных полупроводниках	Макарян, Анушаван Айкарамович	2000
Резонансное и брэгговское рассеяние быстрых электронов от совершенных поверхностей InAs и GaAs в дифракции на отражение	Мансуров, Владимир Геннадьевич	2000
Электронная структура, состав и фотолюминесценция пористого кремния	Мануковский, Эдуард Юрьевич	2000
Видимая и ближняя инфракрасная фотолюминесценция тонких пленок гидрогенизированного кремния	Медведев, Александр Вячеславович	2000
Поверхностные плазмон-фононные возбуждения в одновесных полупроводниках ZnO i 6H-SiC и структура на их основе	Мельничук, Александр Владимирович	2000
Динамика решетки и структурные фазовые переходы в гипо (селено)-дифосфатах с слоистой кристаллической структурой	Митровций, Виктор Васильевич	2000
Электронная структура и спектроскопия полупроводниковых и кластерных систем углерода и кремния	Моливер Сергей Соломонович	2000
Неравновесные распределения и дальнее инфракрасное излучение горячих носителей заряда в одноосно деформированном германии и в электронно-дырочной плазме кремния	Мусаев, Ахмед Магомедович	2000
Электронная микроскопия полупроводниковых структур с наноразмерными включениями	Мусихин, Юрий Геннадьевич	2000
Формирование электрически активных центров в кремнии, имплантированном ионами газов средних (10 кэВ/а. е. м. ) и высоких (>1 МэВ/а. е. м. ) энергий, при отжигах до 1050°С.	Неустроев, Ефим Петрович	2000
Моделирование процессов образования пористого кремния и гомоэпитаксии на его поверхности	Новиков, Павел Леонидович	2000
Электронная структура дефектов в оксиде и нитриде кремния	Новиков, Юрий Николаевич	2000
Энергетический спектр и вертикальная прыжковая проводимость сверхрешеток с контролируемым беспорядком	Ормонт, Михаил Александрович	2000
Влияние гетеровалентного легирования на электрофизические свойства Sn0,63 Pb0,32 Ge0,05 Te и самокомпенсацию примесей в PbSe	Осипов, Павел Анатольевич	2000
Динамика рекомбинации неравновесных носителей заряда в наноструктурах пористого кремния	Павликов, Александр Владимирович	2000
Атомная и электронная структура поверхности и фазообразование в многослойных композициях на основе кремния	Пархоменко, Юрий Николаевич	2000
Закономерности распределения междоузельного кислорода в кристаллах кремния, выращенных методом Чохральского	Петух, Алла Николаевна	2000
Исследование гетероструктур в системе In-Ga-As-P и разработка на их основе перестраиваемого одномодового гетеролазера и мощного суперлюминесцентного диода : = 1.3-1.55 мкм	Пихтин, Никита Александрович	2000
Фазы, стбализированные подложкой, и процессы формирования границы раздела в гетероструктурах на основе переходного 3d-металла (Cr,Co) и кремния	Плюсинин, Николай Иннокентьевич	2000
Условия образования, структура и свойства алмазоподобных пленок углерода, осажденных из ионных пучков	Пузиков, Вячеслав Михайлович	2000
Получение и исследование полуизолирующего монокристаллического карбида кремния	Решанов, Сергей Александрович	2000
Исследование магнитотранспорта на гетерогранице II типа в системе GaInAsSb/InAs(GaSb)	Розов, Александр Евгеньевич	2000
Спектры элементарных возбуждений решетки кристалловгруппы In-Se, In-Te	Рущанский, Константин Золтанович	2000

[1] [2] [3] [4] [5] [6] [7] [8] [9] [10] [11] [12] [13] [14] [15] [16] [17] [18] [19] [20] [21] [22] [23] [24] [25] [26] [27] [28] [29] [30] [31] [32] [33] [34] [35] [36] [37]