Физика полупроводников и диэлектриков

Подписаться на обновления

Исследование динамики решетки низкоразмерных реальных структур на основе GaAs/ALAs методом численного эксперимента	Сачков, Виктор Анатольевич	2011
Создание и исследование оптоэлектронных приборов в средней инфракрасной области спектра на основе узкозонных гетероструктур A3B5	Серебренникова, Ольга Юрьевна	2011
Исследование процессов образования, активации и аннигиляции электрически активных точечных дефектов в CdxHg1-xTe	Сидоров, Георгий Юрьевич	2011
Методы измерения электрических свойств наноструктур с помощью полупроводникового алмазного зонда	Сошников, Александр Игоревич	2011
Электронная структура границ раздела Cs/InGaN, Cs/GaN, Ba/GaN, Ba/AlGaN и формирование аккумуляционного слоя	Тимошнев, Сергей Николаевич	2011
Формирование и оптические свойства наноструктур на основе IN-содержащих полупроводниковых соединений А3-В5 с выводящими излучение брэгговскими элементами	Усикова, Анна Александровна	2011
Преципитация бора в кремнии при имплантации и отжиге : расслоение на стадии Оствальдовского созревания	Феклистов, Константин Викторович	2011
Исследование пленок нитрида галлия, выращенных методом хлоридгидридной газофазной эпитаксии	Цюк, Александр Игоревич	2011
Локализованные состояния и флуктуации в графене	Чэнь Сяосин	2011
Низкочастотный шум в светодиодах на основе квантоворазмерных InGaN/GaN структур	Шабунина, Евгения Игоревна	2011
Катодолюминесцентные методы исследования лазерных гетероструктур на основе ZnSe	Шахмин, Алексей Александрович	2011
Гетероэпитаксия ZnTe, CdTe и твердых растворов CdHgTe на подложках GaAs и Si	Якушев, Максим Витальевич	2011
Влияние адсорбции молекул газа на поверхностную электронную проводимость оксидных полупроводников	Аньчков, Денис Геннадьевич	2010
Метод Laplace-DLTS с выбором параметра регуляризации по L-кривой	Ахкубеков, Александр Эдуардович	2010
Моделирование низкоинтенсивного радиационного воздействия на зарядовые свойства кремниевых МОП-структур	Бондаренко, Евгений Владимирович	2010
Спектроскопия глубоких уровней в полупроводниковых структурах	Бормонтов, Александр Евгеньевич	2010
Новые полупроводниковые материалы на основе соединений A3B5 для оптоэлектронных устройств на длины волн 3 - 5 мкм	Гагис, Галина Сергеевна	2010
Транспорт тока, ЭПР и фотолюминесценция в пористом кремнии	Демидова Наталия Евгеньевна	2010
Электрофизические и фотоэлектрические характеристики МДП-структур на основе гетероэпитаксиального варизонного HgCdTe, выращенного методом молекулярно-лучевой эпитаксии, с различными диэлектриками	Дзядух, Станислав Михайлович	2010
Электронный транспорт и фотопроводимость в нанокристаллических пленках PbTe(In)	Добровольский Александр Александрович	2010
Моделирование многостадийного термического окисления кремния и образования фиксированного заряда	Дусь, Андрей Игоревич	2010
Электронные состояния на поверхности GaAs с адсорбированными слоями цезия и сурьмы	Журавлев, Андрей Григорьевич	2010
Магнитотранспорт в GaAs/AlAs гетероструктурах в присутствии микроволнового излучения	Исламов, Дамир Ревинирович	2010
Фотоэлектрические явления и эффект поля в квантово-размерных гетеронаноструктурах In(Ga)As/GaAs, выращенных газофазной эпитаксией	Истомин, Леонид Анатольевич	2010
Особенности излучательной и безызлучательной рекомбинации в квантоворазмерных структурах InGaN/GaN, GaAsN/GaN, связанные с характером организации наноматериала	Карташова Анна Петровна	2010
Формирование нанокластеров кремния в диоксиде кремния под воздействием электронного пучка	Колесникова Екатерина Владимировна	2010
Влияние оптического излучения на свойства газовых сенсоров на основе нанокристаллических пленок оксида олова	Ле Ван Ван	2010
Компьютерное моделирование роста наноструктур: нанокластеров и нанокристаллов	Лубов, Максим Николаевич	2010
Особенности локальной проводимости и спектральной плотности туннельного тока в полупроводниковых наноструктурах при наличии примесных состояний	Манцевич Владимир Николаевич	2010
Диагностика фазовых превращений в приповерхностных слоях арсенида галия с помощью поверхностных акустических волн	Марков Игорь Александрович	2010
Структурные и оптические свойства нанокластеров кремния в матрице субоксида кремния	Маслова Наталья Евгеньевна	2010
Инфракрасная полупроводниковая оптоэлектроника с использованием гетероструктур из арсенида индия и твердых растворов на его основе	Матвеев, Борис Анатольевич	2010
Влияние состава и толщин слоев на электрофизические свойства квантово-размерных структур на основе ZnCdS/ZnSSe, ZnSSe/ZnMgSSe	Милованова, Оксана Александровна	2010
Динамическая модель процессов формирования трехмерных кластеров в кремнии	Можаев, Алексей Владиславович	2010
Кинетика и механизмы формирования нановискеров в системах Si-Au, Ge-Au (моделирование)	Настовьяк, Алла Георгиевна	2010
Электрофизические свойства структур кремний-на-изоляторе, изготовленных методом сращивания и водородного расслоения	Николаев Данил Валериевич	2010
Исследование морфологии и электронных свойств поверхности пленок AIIIBV и контактов металла/AIIIBV методом атомно-силовой микроскопии	Новиков, Вадим Александрович	2010
Исследования волн пространственного заряда в магнитном поле в высокоомных полупроводниках	Петров, Дмитрий Викторович	2010
Теория резонансных фотонных кристаллов и квазикристаллов	Поддубный, Александр Никитич	2010
Электрические и фотоэлектрические явления в гетероструктурах и диодах Шоттки на основе полупроводников A3B5 и кремния и их применение в сенсорах водорода	Салихов, Хафиз Миргазямович	2010
Электронные, оптические и механические свойства кристаллов Ga1-x(Inx, Alx)Se, GaSe1-x(Sx, Tex) нелинейной оптики терагерцового диапазона	Саркисов Сергей Юрьевич	2010
Особенности оптических свойств сильно легированного GaAs:Te в условиях коррелированного распределения примеси	Сидоров Евгений Николаевич	2010
Исследование электрофизических свойств двухкомпонентной слоистой структуры, состоящей из жидких органических веществ	Сидоров, Игорь Викторович	2010
Особенности формирования InGaN/(In,Al)GaN активной области для светоизлучающих приборов	Сизов Виктор Сергеевич	2010
Метод обработки результатов измерений температуры в процессах высокотемпературного синтеза	Смирнов Евгений Валерьевич	2010
Насыщение усиления и нелинейные эффекты в полупроводниковых лазерах с периодическими оптическими неоднородностями	Соколовский, Григорий Семенович	2010
Оптические явления, связанные с локализованными и резонансными состояниями в полупроводниковых структурах	Софронов Антон Николаевич	2010
Люминесценция и поглощение излучения среднего ИК диапазона в наноструктурах с квантовыми ямами в условиях разогрева носителей заряда	Тхумронгсилапа Папхави	2010
Формирование и полупроводниковые свойства тонких слоев на основе Fe и Ca2Si на Si(111)	Фомин, Дмитрий Владимирович	2010
Долгоживущая спиновая поляризация в наноструктурах с квантовыми ямами и квантовыми точками	Чербунин Роман Викторович	2010

[1] [2] [3] [4] [5] [6] [7] [8] [9] [10] [11] [12] [13] [14] [15] [16] [17] [18] [19] [20] [21] [22] [23] [24] [25] [26] [27] [28] [29] [30] [31] [32] [33] [34] [35] [36] [37]