Физика полупроводников и диэлектриков

Подписаться на обновления

Фотоэлектрические процессы в объемных каналах полупроводниковых структур	Гордо Наталья Михайловна	2001
Ионно-лучевой синтез силицидов металлов подгруппы железа в кремнии	Гумаров Габдрауф Габдрашитович	2001
Влияние преципитации и изоэлектронной ионной имплантации на дефектообразование в монокристаллическом кремнии	Джабраилов Тайяр Акбер оглы	2001
Исследование явлений самоорганизации при эпитаксии гетероструктур	Жаринова Наталья Николаевна	2001
Молекулярно-пучковая эпитаксия с плазменной активацией азота : Применение для p-легирования ZnSe и роста GaN	Жмерик Валентин Николаевич	2001
Эффект позиционного беспорядка и примесное поглощение света в полупроводниковых структурах с квантовыми ямами и точками	Зайцев Роман Владимирович	2001
Полевые и биполярные приборы на основе карбида кремния	Иванов Павел Анатольевич	2001
Взаимодействие вакуумного ультрафиолетового излучения с тонкими неорганическими пленками	Калитеевская Наталия Алексеевна	2001
Исследование тонкопленочных структур на основе CdTe и их применение в солнечных батареях	Колобаев Виктор Валентинович	2001
Механизмы излучательной рекомбинации в гетероструктурах InGaN/AlGaN/GaN с множественными квантовыми ямами	Кудряшов Владимир Евгеньевич	2001
Фотоэлектрические свойства аморфного гидрированного кремния, легированного бором	Кузнецов Сергей Викторович	2001
Термодинамика образования дефектов в полупроводниках с учетом кластеризации в жидкой и газовой фазах	Львов Павел Евгеньевич	2001
Электронно-стимулированные изменения состава поверхности и фотолюминесценции кремниевых и карбидкремниевых наноразмерных структур	Нагорнов Юрий Сергеевич	2001
Кинетические коэффициенты прыжкового переноса и плотность электронных состояний в неупорядоченных системах с сильной локализацией носителей заряда	Потапова Дарья Александровна	2001
Моделирование и экспериментальное исследование преципитации кислорода в кремнии	Приходько Олег Владимирович	2001
Исследование процессов переноса заряда в p-n переходах, изготовленных на основе CdHgTe (X0.22) и их изменений при механическом и температурном воздействиях	Ромашко Лариса Николаевна	2001
Особенности формирования фазовых неоднородностей в гетероэпитаксиальных слоях InP и InGaAs	Субач Сергей Владимирович	2001
Исследование фотодиодных структур на основе фосфида галлия и твердых растворов A III B V для селективных фотоприемников	Тарасов Сергей Анатольевич	2001
Фотоиндуцированные электронные процессы и структурные перестройки в полупроводниковых системах пониженной размерности	Тимошенко Виктор Юрьевич	2001
Неразрушающая диагностика электронных свойств структур на основе SiC и GaAs/AlGaAs	Титков Илья Евгеньевич	2001
Влияние подпороговых мод на шум интенсивности излучения полупроводникового лазера	Усачев Павел Анатольевич	2001
Влияние бомбардировки полупроводников заряженными частицами на их электронное возбуждение диссоциированными газами	Фроленкова Лариса Юрьевна	2001
Анализ областей несмешиваемости квазибинарных твердых растворов III-V и II-VI групп	Черемухина Ирина Анатольевна	2001
Исследование электронных свойств поверхности и внутренних границ раздела эпитаксиальных слоев GaAs методом спектроскопии фотоотражения	Шайблер Генрих Эрнстович	2001
Планарная неоднородность фоточувствительности кремниевых фотоэлектрических преобразователей	Юрченко Алексей Васильевич	2001
Электронные явления в массивах квантовых точек германия в кремнии	Якимов Андрей Иннокентьевич	2001
Влияние условий роста на структуру и свойства эпитаксиальных слоев (SiC)1-x (AlN) x	Абдэль-Ваххаб Абдэль-Кадер Базбаз Хийярат	2000
Влияние непараболичности закона дисперсии носителей заряда на примесные состояния в низкоразмерных полупроводниковых системах	Аветисян, Артак Араевич	2000
Теоретическое исследование зонной структуры и оптических и кинетических свойств квазиодномерных электронных систем	Агасян, Мгер Мартиросович	2000
Свойства горячих электронов в квантовых ямах и сверхрешетках GaAs/Al x Ga1-x As	Акимов, Илья Андреевич	2000
Стеклообразование и электропроводность в халькогенидных системах	Александрович, Елена Викторовна	2000
Фотоэлектрические свойства пленок сульфида свинца с различным потенциальным рельефом зон	Алешин, Алексей Николаевич	2000
Исследование радиационно-термических процессов формирования ионно-легированных слоёв n-GaAs	Ардышев Михаил Вячеславович	2000
Оптоэлектронные методы исследования полей излучения	Асатрян, Рубен Симонович	2000
Экситон-электронное взаимодействие в модулированно-легированных квантовых ямах на основе полупроводников А2В6	Астахов, Георгий Владимирович	2000
Физические свойства гетеропереходов в системе сульфид-теллурид кадмия	Барасюк, Ярослав Николаевич	2000
Горячий фотоэффект в поверхностно-барьерных структурах на основе арсенида и фосфида галлия	Бланк, Татьяна Владимировна	2000
Газовая чувствительность поверхностно-барьерных структур на основе кремния, арсенида галлия и сульфида кадмия с сверхтонкими пленками титана и никеля	Бомк, Олег Иосифович	2000
Влияние дефектной подсистемы на фотоэлектрические свойства кремния	Возний, Максим Валериевич	2000
Радиационно-стимулированные процессы в кристаллах LiBaF3	Воронова, Валерия Васильевна	2000
Идентификация компонент спектров фотоотражения полупроводников группы А3В5 иполупроводниковых структур на их основе	Ганжа, Антон Владимирович	2000
Деградационные и релаксационные процессы в светодиодах GaP, обусловленные ультразвуком и радиацией	Гонтарук, Александр Николаевич	2000
Исследование изменений свойств приповерхностныхслоев фосфида индия под действием атомов водорода тепловых энергий	Горбенко, Виталий Иванович	2000
Люминесцентные свойства моно- и поликристаллов нелегированного и легированного медью тетрабората лития	Гунда, Борис Михайлович	2000
Излучательная рекомбинация в активных средах полупроводниковых лазеров на основе широкозонных соединений А2В6	Гурский, Александр Леонидович	2000
Исследование эффекта спонтанного упорядочения примесных комплексов в арсениде галлия n-типа	Давлеткильдеев, Надим Анварович	2000
Электронный транспорт в GaAs структурах при радиационном воздействии	Демарина, Наталия Витальевна	2000
Электрические и фотоэлектрические свойства диодных структур на базе монокристаллического теллурида кадмия	Демич, Николай Васильевич	2000
Исследование особенностей получения и свойств пленок оксида цинка и железа	Джумалиев, Александр Сергеевич	2000
Моделирование физических явлений в инноимплантированных приборных структурах на основе соединений A III B U	Диденко Сергей Иванович	2000

[1] [2] [3] [4] [5] [6] [7] [8] [9] [10] [11] [12] [13] [14] [15] [16] [17] [18] [19] [20] [21] [22] [23] [24] [25] [26] [27] [28] [29] [30] [31] [32] [33] [34] [35] [36] [37]