Физика полупроводников и диэлектриков

Подписаться на обновления

Активаторные центры окраски в кристаллахSrCl2:TlCl	Салапак, Владимир Михайлович	2000
Релаксационная спектроскопия глубоких уровней в нелегированных и легированных сурьмой эпитаксиальных слоях GaAs	Самойлов, Виктор Александрович	2000
Жидкокристаллические композиты с индуцированной холестерической спиралью, стабилизированной сетчатым полимером	Самсонова, Ирина Викторовна	2000
Оптические свойства слоев и гетероструктур на основе нитридов III группы	Сахаров, Алексей Валентинович	2000
Влияние концентрации электроактивных атомов марганца на гальваномагнитные и фотоэлектрические свойства кремния в условиях компенсации	Саъдуллаев, Алавиддин Бобакулович	2000
Технология получения и физические свойства многокомпонентных твёрдых растворов на основе теллурида свинца	Слынько, Евгений Илларионович	2000
Многокомпонентные твердые растворы на основе GaSb и InAs, полученные из растворов-расплавов, обогащенных сурьмой	Смирнов, Валерий Михайлович	2000
Кинетико-релаксационные процессы зарядового перераспределения в структурах на основе кристаллов силленитов	Спирин, Евгений Анатольевич	2000
Нелинейные эффекты при распаде полупроводниковых твердых растворов в эпитаксиальных пленках	Стародубцев, Артем Николаевич	2000
Инфракрасные детекторы на основе HgMnTe: физические и технологические проблемы	Сун Вейгуо	2000
Квазиклассическая модель равновесных электронных процессов в легированных полупроводниках	Сягло, Андрей Иванович	2000
Комплексообразование в кремнии, легированном селеном	Таскин, Алексей Анатольевич	2000
Модифицированные поверхности арсенида индия, обработанной в парах халькогена	Татохин, Евгений Анатольевич	2000
Емкостные и транспортные свойства квазидвумерных электронных слоев в субмикронных полевых транзисторах современной микроэлектроники	Тимофеев, Максим Владимирович	2000
Молекулярно-лучевая эпитаксия низкоразмерных лазерных InGaAs/AlGaAs гетероструктур	Токранов, Вадим Ефимович	2000
Роль примесных ионов СО3 в степени 2- в процессах создания центров свечения и центров окраски в кристаллах йодида цезия	Трефилова, Лариса Николаевна	2000
Влияние параметров центров захвата на фотоэлектрические свойства кристаллов типа силленита	Умрихин, Владимир Васильевич	2000
Электронные и оптические процессы в легированных сверхрешетках на основе GaAs	Ушаков, Дмитрий Владимирович	2000
Магнитооптические эффекты в полумагнитных полупроводниках на основе теллурида ртути	Федив, Владимир Иванович	2000
Компьютерное моделирование эволюцииповерхности и захвата примеси при кристаллизации из молекулярного пучка	Филимонов, Сергей Николаевич	2000
Оптические явления в полупроводниках и полупроводниковых наноструктурах, связанные с неравновесными свободными носителями заряда	Фирсов, Дмитрий Анатольевич	2000
Физические свойства кристаллов селенида цинка, легированных элементами I и V групп	Чабан, Юрий Ярославович	2000
Электрические и рекомбинационные свойства нейтронно-легированных твердых растворов Si1-x Ge x со стороны кремния	Чеканов, Валерий Александрович	2000
Радиационные дефекты межузельного типа и их влияние на электрическую активацию и диффузию имплантированных примесей в кремний	Челядинский, Алексей Романович	2000
Оптические свойства наноструктур полупроводник-диэлектрик	Черноуцан, Кирилл Алексеевич	2000
Ионные процессы в радиационно загрязненных кристаллах галогенидов двувалентных металлов	Черный, Зиновий Павлович	2000
Электрофизические и оптические свойства градиентных структур на основе стеклоподобного AsS	Шовак, Иван Иванович	2000
Неравновесные процессы в диэлектриках и полупроводниках при импульсном электронном возбуждении	Штанько, Виктор Федорович	2000
Парамагнетизм дефектов решетки кремния, имплантированного высокоэнергетичными ионами Xe и Kr	Шумская, Елена Николаевна	2000
Влияние состояния поляризации света на оптические и фотогальванические эффекты в полупроводниках и в полупроводниковых структурах	Эски, Тевфик	2000
Высокоэффективные Al-Ga-As солнечные фотопреобразователи, полученные методом низкотемпературной жидкофазной эпитаксии	Якимова, Елена Владиленовна	2000
Люминисценция и преобразование энергии в минералах, керамиках, катализаторах при лазерном и рентгеновском возбуждении	Яровой, Павел Николаевич	2000
Особенности формирования импульса замедленной радиолюминесценции в органических диэлектриках	Ярычкин, Владимир Владимирович	2000
Поляризационные явления в естественно-неупорядоченных полупроводниках с одиночной электронной парой	Аванесян, Вачаган Тигранович	1999
Разработка технологии получения и исследование свойств интегральных фотодилдных структура на основе AlxGa1-xP/GaP/GayIn1-yP	Ахмедова, Нодира Аминджановна	1999
Влияние объемных неоднородностей на параметры полупроводниковых структур	Богатов, Николай Маркович	1999
Кинетические эффекты в дислоцированных полупроводниках	Велиев, Зохраб Ахмед оглы	1999
Разработка технологии оптоэлектронных ИС на гетероструктурах полупроводник - (Ca, Sr, Ba)F2 - полупроводник	Величко, Александр Андреевич	1999
Генерационно-рекомбинационные процессы в неоднородных полупроводниковых структурах	Грушко, Наталия Сергеевна	1999
Рассеяние электромагнитной волны краевыми дислокациями в щелочногалоидных кристаллах	Задорожный, Филипп Михайлович	1999
Исследование двумеризации носителей заряда на поверхности полупроводников при комнатных температурах	Иванкив, Игорь Михайлович	1999
Взаимодействие носителей заряда с акустическими фононами в низкоразмерных полупроводниковых системах	Кибис, Олег Васильевич	1999
Радиационная модификация свойств узкозонных полупроводников КРТ и структур на его основе для фотоприемников ИК диапазона	Коханенко, Андрей Павлович	1999
Радиационное дефектообразование в кремнии и структурах на его основе в зависимости от уровня легирования и примесного состава	Кучинский, Петр Васильевич	1999
Радиационно-термические процессы в кремниевых биполярных структурах и их влияние на электрофизические параметры	Лагов, Петр Борисович	1999
К теории связанных состояний дырок в алмазоподобных и гексагональных полупроводниках	Малышев, Андрей Викторович	1999
Закономерности, связывающие электрические, тепловые и механические свойства твердых тел	Палчаев, Даир Каирович	1999
Физико-математические модели многопараметровых электроемкостных систем для исследования диэлектриков	Петьков, Сергей Александрович	1999
Образование и отжиг радиационных дефектов в арсениде галлия и фосфиде индия	Пещев, Владимир Викторович	1999
Арсенид галлия : Радиационные дефекты и ионизационные детекторы ядерного излучения	Потапов, Александр Иванович	1999

[1] [2] [3] [4] [5] [6] [7] [8] [9] [10] [11] [12] [13] [14] [15] [16] [17] [18] [19] [20] [21] [22] [23] [24] [25] [26] [27] [28] [29] [30] [31] [32] [33] [34] [35] [36] [37]