Введение к работе
АКТУАЛЬНОСТЬ 7ЕШ. Атомныэ энерготехнологическио комплексы на базе высокотемпературных газоохлагедаемых реакторов (ВТГР) модульною типа могут явиться универсальным источником зпвргии для производства электричества и выеокопотенциАльного тепла для химической промышленности и металлургии. Отличительная особенность ВТГР - применение тонкодиснероного ядерного топлива, заключенного в несколько термо- и рздизігпоішостопких газонепроницаемых оболочек-Материалами твелоз могут служить: пиролическиЯ углерод, карбид кремния, их смесь, композит на основе порошка графита, которые часто находятся в неравновесном состоянии и проквлявт большое многообразие свойств в зависимости от условий их получения: температуры и скорости пироличвского осаждения, выбора газовых компонентов , исходного сырья, состава катриньсс композиции, а тага:з от созоркенстза их атомной, микроскопнтоской структур и фазового состава. Следовательно контроль структурных параметров необходим на всех этапах разработки и изготовления запить:-їх лнролических покрытий и матричных графитов твалов ВТГР. Наиболее широко для этих целей до сих пор использовались рентгенография и электронная микроскопия. Однако,для исследования и аттестации данных материалов с большш успехом ко:івт быть применен третий прямой дуіфрагаїиотггіьй ?детод структурного анализа - нейтронография, который из-за некоторых особотшостеи взаимодействия нетронов с твердым телом, в частности, отсутствия угловой зависимости амплитуды когерентного рассеяния и большей лроникаул'эй способности, чем у рентгеновских лучей и электронов, позволяет получить более полнуэ и достовернуя структурнуа информацию.
ЦЕЛЬ РАВОТЫ заключалась в создании методик и определении с помодья нейтронографии основных параметров атомной и надмолекулярной структуры конструкционных материалов твэдов ВТГР на основе углерода и карбида кремния в зависимости от условий их получения и прогнозировании на основе полученгнш структурных данных эксплуатационных свойств этих материалов.
НАУЧНАЯ НОВИЗНА состоит в целенаправленном применении нейтронографии для определения атомной и надмолекулярной структуры конструкционных материалов твэлов БТГР при реализации которого получены новые результаты:
- предложена методика количественного определения
совершенства атомной структуры карбида кремния в смешанных
покрытиях;
разработано устройство для монохроматизации холодных нейтронов -фильтр нейтронов кратных порядков отражения, признэный изобретением (а.с. JB 151238Э);
определены стелеїш несовершенства атомной структуры пироуглародных, карбидокромнповых к смешанных покрытий, анизотропии матричных графитов.
ПРАКТИЧЕСКАЯ ЦЕННОСТЬ РАБОТЫ. Полученные зависимости параметров атомной и надмолекулярной структуры конструкционных материалов ка основе углерода и карбида кремния позволили объяснить поввдвнио этих материалов в экстремальных условиях , прогнозировать их радиационно-физические свойства (прочность. радиационную стойкость, газопроницаемость) и были использованы в НПО "Луч" при комплексной аттестации характеристик покрытий микротвзлов и матричного графита твэлов ВТГР, что подтверждено актом об использовании результатов работы. Предложенные устройства для монохроматизации тепловых и холодных нейтронов (фильтр нейтронов кратных порядков отражения и светосильный кристалл - монохроматор) существенно расширяют возможности нейтроногрзфического эксперимента и могут быть использованы во всех ядерно-физических центрах для повышения интенсивности пучков монохроматических нейтронов.
ДОСТОВЕРНОСТЬ результатов подтверждается большим объемом согласующихся экспериментальных измерений выполненных с помощью прямого метода структурного анализа, применением современных' математических методов и вычислительной техники при обработке экспериментальных данных , подтверждением ряда структурных
параметров, определенных в диссертации нейтронографически, в независимых измерениях методами рентгено- и электронографии, а также литературными данными.
-параметры атомной и надмолекулярной структуры покрытий из пиролитического углерода, карбида кремния, их смесей, матричного графита и его компонентов, а также их зависимости от условий изготовления;
способ определения концентрации одномерно-разупорядоченной фазы в карбиде кремния по ушрению основания дифракционного максимума;
способ изготовления из пластин фторфдогопита кристалл-монохроматора тепловых и холодных нейтронов с повышенной светосилой;
устройство для монохроматизации пучка холодил нейтронов -фильтр нейтронов кратных порядков отражения - состояло из поликристаллического бериллия и квэзимонокристалла пирографита.
АПГ0БА1Г/Я РАБОТЫ. Результаты работы докидывались на научных конференциях ?,WM (Москва, 1934, 1987 г.), "ожтраслевом семинара "Ачомко-водородаая энергетика и технология" (Москва, 1959 г.). межотраслевых семгазрах "Проблемы обработки твзлов на основе микротвзлов для ШТР" (Подольск, 1385-1989 г.г.). Уральской ккола по использованию рассвеяния нейтронов в физика конденсированного состояния (Заречный, 1939 г.). Всесоюзном коордш.ацпошюм совещании по использования ядерак реакторов (Сбгашск, 1988 г.), :<: рабочем совецгіг.пі по использовать нейтронов в физика твердого тела (Ленинград, 1931 г.).
ПУКЛККЛц"йИ. По материалам диссертации были опубликованы 4- пвчатьыэ
рЗібОІЬІ.
СТРУКТУРА ДКССКРТАІГлїї. Диссертация состоит из взедошія, трех глав
и заключения, содержит 121 страницу машинописного текста, включая 24 рисунка, 10 таблиц и список литературы 121 наименования.
В разрабатызнемых ВТГ? модульного типа предполагается использовать дисперсное ядерное топливо (микротвэлы) в видь кера.татческих микросфер, герметизированных четырьмя залщтс&ми слоями пиролитического углерода и карбида кремния /I/. Защитные покрытия наносятся на микросфэры в аппарате ксевдоолзтапнного слоя и должны обладать следующими свойствами: механической прочностью, химической и радиационной стойкостью, ГерМбТИЧ'гіОСТЬЮ по отношения к продуктам деления. Микротвэлы, в свої) очередь, запечатываются в
Il^'THW-HHbie ГрафИТОВЫё бЛГ>КЙ СферИЧеСКОЗ ИЛИ ПрИЗМаТИЧейКОЯ фОрМЫ
(тга.'гн). К материалу твэлов предъявлял? ся те v.e ЖЄСТКИ& требования, причем необходимые свойства должны достигаться без ныокотечпегмгурной С более 1800 С) обработки графита, чтобы на ухудшить характеристик занятных лиролжических покрытий. В качестве материала твзлов предполагается использовать композиції» иа порошка гр«іфйі'А, цементированного кчменноуюльньм пеко;.» шк виролитичекким углеродом.
Пироуглеродные защитные покрытия викрої валов служат основным
барьером на пути мі-ігрйции из тоїишвноі'о керна продуктов деления,
обеспечивает целостность конструкции микротвэла в процессе
прессования тнілз и химическую aanttrry СЛОЙ карбида КреМНКЯ. В
зависич'.-сти от условий с.\'втьъл в аппарате ]к~.еил"олжеьГ"07о слоя:
тембра гуры, вида газа-реагента к т.п. л.фоуглеродные по>;рытия
М'.туї бы1ь вксоколлотны*и. упорядоченными нп основе
кристаллической решетки графита, или ркпшгми. амортизированными.
Соответственно, в широких пределах изменяется и физические
характеристик*; таких покрытий. Степень совершенства
атомно-кристалличеокой структуры пироуглеродньи покрытий принято характеризовать следующими параметрами: коэффициентом анизотропии, средний размером атомного слоя и толщиной пакета таки слоез, концентрацией мнкропор со средним размером нирядка 10 нм. На
основз ре.отгенодифрйкционньж и электрономикроскопических данных
введена классификация микроструктуры покрытий с точки зрения
способа объединения кристаллитов в более крупные агрегаты:
мозаичные, волоконные и слоистые /2/, Информация о тигге структуры
пироуглиеродных покрытий . средних размерах кристаллитов и
микропористое позволяет достаточно надежно связать параметры процесса осаядения со свойствами осажденных защитных покрытий.
Карбидокремниевые запретные покрытия герметизирует микротвэлы
но отношению к твердым продуктам деления,, играют важную роль в
механическом совершенстве частицы за счет высокой стабильности sic
под облучением. Слои карбида кремния осаждается в аппарате
асевдоокияенного слоя терморазло:кенпем метилтрихлорсилзна з
присутствии водорода (и аргона) при температурах 1500-1700 С.
'читается, что необходимыми свойствами могут обладать
зысокоплотныз. стехиометричный, монофазныа, стабильные до 1000 С
;:с покрытия. Экстремальные условия ппролитичеекого осаадения,
будучи неравновесными, могут приводить к синтезу материала с
іефектяой атомпо-крксталлическоії структурой. Дефектность
сражается в нарушении порядка упаковки атомных слоев, либо в
'бразонагегл кетаптабшгьных политипов карбида кремния. Контроль
труктурнК'Х парамзтроз осуществляется, как правило, методами
ентгенографнл и электронной микроскопии. Однако, анализ
птературкых данных позволяет сделать вывод о слабой
увстянтельноетп рентгенографии к дефектам упаковки атомных слоев,
;споло>/еь:ньк паралле;гьно поверхности осатдения zic поісритий. Ке
&шен такта в настоящее время вопрос о природо тонкой полосчатой
груктуры с периодом 20-50 mi, видимой на микрофотографиях
Зразцов /3/.
Матричные композиции на основа порошков графита и їмонкоугольного пока в качестве связумоего предполагается -пользовать для компактированяя мпкротвэлой в протяженные блоки I/. Известно, что графит, применяемой в качества наполнителя, іеет кристаллическую решетку с сильной связью а і омов в аТОЧНЫХ юскостях. Мояду собой атоккко слои связан}..; слабыми ін-дер-Ваальсовьї-пі силами, что определяет высокую анизотропию
свойств кристаллита и проявляется в текстурируемости порошков при прессовании. Степень текстурируемости материала зависит, главным образом,от способа формирования изделия и степени анизометричности частиц порошка и исследуется измерением электросопротивления . или прямым методом структурного анализа (рентгенографией) по интенсивности дифракционного отражения от атомных слоев.
Каменноугольный, пек представляет собой неравновесную углеродную фазу с аморфизированной структурой, степень порядка которой повышается с ростом температуры обработки. Известно, что графитация турбостратного углерода протекает обычно при температуре выше 2200 С, но для неокислонных, богатых водородом коксов температура графитации может понижаться на несколько сотен градусов.
В диссертации отмечаются преимущества метода дифракции нейтронов перед более распространенным методом рентгенографии при исследовании совершенства атомно- кристаллической структуры Фрагментов покрытий сферических частиц и образцоз композиционных материалов на основе графита. Преимущества обусловлены большей проникающей слособностьв нейтронов по сравнению с рентгеновскими лучами, возможностью использовать длинноволновое излучение для исключения многократного рассеяния на малых углах.
Измерения порошковых н&йтрондкфракционнмх картин на больших углах рассеяния проводились на двухосном дифрактометре с суперпозиционной 16-ти детекторной системой регистрации нейтронов, расположенном на горизонтальном канале 3 ИРТ МИФИ /5/. Длина волны монохроматических нейтронов составляла 0.1064 нм. Маяоугловые дифракторзммы измерялись на ушшерсальной нейтронографической установке ШШ, созданной на горизонтальном канале #9 на базе дифрактоыетра ск-50і польского производства и сдвоенного монохроматора нейтронов clj. В качестве кристалл-монохроматоров в этой работе использовались ' пакеты пластин фторфлогопита, что позволило получить монохроматический пучок холодных нейтронов в широком диапазоне длин волн: 0.5-1.3 нм. В экспершвктах. описанных в диссертации использовались нейтроны с х=0-7нм- Фильтрация кратных порядков отражения
осуществлялась пропусканием пучка нейтронов через поликристалл бериллия. Для повышения светосилы установки были разработаны специальный способ укладки пластин фторфлогопита и оригинальный фильтр кратных порядков отражения с2~, применение которых привело к суммарному 4-х кратному росту светосилы установки. Далее приводится описание этих устройств.
Монокристаллы фторфлогопита имеит высокое меяшлоскосткое расстояние (0.98 юл) и могут применяться для мокохроматизации холодных нейтронов с длиной волны до 1.8 нм. Средние толщины таких монокристаллов составляет 0.5 мм, причем отражающие плоскости в них всегда параллельны поверхности. Для получения отралвіпюго пучка нейтронов с максимальной плотностью пластины должны собираться в пакет толщиной 6-8 мм. В данной работе было предложено расщеплять пластины фторфлогопита на тонкие слои J. и укладывать их в пакет со сдвигом на величину h = <а$р, что позволило получить угол ft между отракамйми плоскостями и поверхностью пакета и, в соответствии с выражением-.
k-23ir,{0+p}/tzini6tft) + t,in(.0-ft))
при оптимальном угле /?=о/2, где 2о--40 град. - у гол рассеяния,
получить Быигул-Си (.'-<) з плотности потока монохроматических нейтронов в Т.5 раза.
Пучок нейтронов, отраженный крикталл-монохроматором, содсригг помимо оскозной длины волны х ряд кратных х^ - х/п, где п - целое число, для исключения нейтронов с кратными длинами волн мо;-:з? использоваться поликристаллптесккй фильтр из бериллия, имеьгдий граничную длину волны поглощения равную 0.335 нм. Для повышения эффективности фильтрации предложено выводить из пучка наиболее интенсивную компоненту среди нейтронов кратных порядков страдания с помощью кристалл-монохроматора из пирографпта, расположенного под углом ф к осп нейтронного пучка. Угол ф Еыб;гралсл in; условия Вульфа-Врэтта:
1 ' 2<ізіг.'/.= \
где j - м&:і,"ц;оскостноє рлсстояігне в шгрографите. Реализация предложенного устройтсва позволила при сохранегагп коэффициента Фильтрации уметіьшить рзбочуз длину поликристалла бериллия и
получить за счет этого выигрыш в светосиле в 2-3 раза.
Метод калоуглозого рассеяния згршэнядоя для определения концентрацій н&однородностеи плотности (пор) со средник размером 10 гал в п-ироуглеродных покрытиях микротвзлов. Известно /6/, что дифференциальное с&чекиа рассеяния тепловых нейтронов в расчете на один атом образца описызается выражение?.!:
do/dCl-l/K С-^схрС i«r)p
где и - число атомоз в образив» * - вектор рассеяния, р(г) -Функция плотности амплитуд рассеяния. В явном виде ото выражение может бьп'ь записано для объектов с простой геометрической формой, например, для системы шаров радиуса R. Основной вклад в кринум |.,д;:оуглозого рассеяния под углом, соответствувлцим
к =і:П'5іг.в,'Х=С.ч.5 им"1 о
вносят неоднородности плотности диаметром 10 нм. Учитывая ко.злимационкьі9 искажения (бесконечно высокие и узкие цели) и аппроксимируя кр\йвув рассеяния на углах «ж функцией ' вида делрС-сги2),было получено следущее выражение для концетрации неоднородности плотности размером 10 НМ:
17=1.28-ІС-Е-р „ »S -I(x )/іг. ,, ,
оОр кас о oGp
где *("0) - измеренная интенсивность нейтронов .рассеянных при «=0.45 нм"*, m и ро0 -масса и плотность материала образца, SK&cc ~ освещенная площадь кассеты образца, участзукцая в рассеянии. Чувствительность метода, определенная из последнего выражения, составила 0.5% для пористости выбранного размера.
В диссертации описань! результаты исследовании совершенства атомной и надмолекулярной структуры пироуглвродкых покрытий, проведенных на серии образцов. синтезированных в широких интервалах температур ( от 1300 до 2000С) из метана, пропилена к ацетилена г.33. Покрытия осаждались на сферические имитаторы микротвзлов в аппарате псездоолИмниого слоя цатандро-кокической конструкции. Установлено.. что все образцы пироуглеродных покрытий имеют разупорядоченкуа аточно-крпсталпическуи решетку на основе решетки графита. По степени совершенства структуры образцы бглли распределены кэ две труппы; нюкотеып&ратурнна (Т^<150ЭС) с
меньшей степенью зто?лного порядка и высокотемпературные - более упорядочение- Различие в степени атомного порядка, определенное качественно по интенсивности дифракционных максимумов на ней тронограм\«я а . подтверждается рассчитанными структурными параметрами: средним мєкплоског-тїіьім расстоянием, среднігми размерами- областей когерентного рассеяния з базисной плоскости и перпендикулярно ей. концентрацией нс-однлоодности плотности (пор) со сроднил размером 10 нм.
Сррдіпіе мезтлоскостныа расстояния (^с^5 "7іЯ BCDX повранных образцов превышают значение 0-344 км. что характеризует материалы как двумерно-упорядоченные турбостратные- Наибольшее значение d^ имеют образцы, осажденные из ацетилена іі пропилена ігри температурах оса;кдвния до Т5С0С- Покрытия, осажденные из метана при І9СО-2С0ОС імвют межплсскостше рассгояшо близкое к значеним 0.344 им- Среднее размеры областей когерентного рассеяния (высота пакета атомных слоев) рассчитывались по формуле Селякова-Шеррера из ушреппя ^фракционного мзкстмума (002). Гост температуры осаждения ттріїзодпт к увелнчопиз высоты пакета атомных слоев (от 5 до 20 км), з повышение скорости осаждения за счет большего расхода газовой смеси - к его сншкэнпв.
Методом їлалоуглозого рассеяния определяюсь концентрация в покрытиях кеоднородноствй плотности (пор) со средним размером 10 км. Сбнаруяэно, что пористость такого размера скитается с ростом температуры оскудения от 4 до 0. 4 объемных процентов, независимо от вида газов-реагентов. Пористость повышается с ростом концентрація газа-реагента в рабочей смэси-
На основании определенных параметров структуры, исследованные пироуглеродныз покрытия были клзссіїфицпрсзакь; по типам макроструктури (принятым в литературе): мозаичной, волоконной и слоистой- К первому -типу относятся высокоплоткыэ образцы, осажденные при низких (до 1400С) температурах. Покрытия малой плотности , синтезированные при средних температурах, имеет золоконную структуру, доля которой снижается с ростом температуры осзкдашя и при Я000С полностьгт замещается на слоистую. Полученные данные о макроструктуре лоззолявт связать оспозкыз
физические параметры синтезированных пироуглеродкых покрытий (прочность. теплопроводность. газоплотность. радиационную стойкость) с условиями их осаждения.
Вторая группа материалов состоит из двадцать! образцов карбидокремниевнх и смешанных покрытий микротвэлов. полученных лиролитическим осаждением на имитаторы .микротвэлов в аішаратв псевдоожи^енног'о слоя, аналогичном использовавшемуся для осаадения пирсуглэродных ' покрытий- В процессе осаждения изменялась температура синтеза и состав газовой смеси-
Для всех материалов были определены- фазовый состав, размеры областей когерентного рассеяния, концентрация кубического политипа в карбиде кремния- Последний параметр определялся двумя способами*, дня чистых карбидокремниевых покрытий - из относительной интенсивности дифракционного максимума (002). а для смешанных покрытий - по стопени искажения основания максимума (TIT). Было отмечено, что на рентгенограммах аналогичных покрытий соответствующие искажения отсутствуют (Рис-1), что ГОВОрПТ об предпочтительной ориентации дефектов упаковки атомных слоев параллельно поверхности- Для расчета концентрации кубического политипа по второму способу семейство рефлексов в райогю углов рассеяния 2^=20-26 град аппроксимировалось выражением:
Г 2 2 "1
1*>} - Д.слр J-C
где х - текущая координата по оси 2«;-Aj. 20. и а -амплитуда, угловое поло*-шниэ и дисперсия і-і*о максимума; ах+ь - линейная Функция, ош!сивзг?дая фон- Величины д., Jj= 0-2511 нм. <:?=0- 26Т6 т. Jg=0-24I4 нм- Для 'четырех карбидов получили одинаковое и максимальное- отношение [інтенсивностей ;д2<1-2;/; д ,^;, что позволило-сделать вывод о полном одномерно;-; разугюрядоченш в них решетки карбида кремния и получить нормировочные коэффициент для определения доли кубического
го 22 Ih v 33 J5 37 2В-)Гряд
Рис І. Дп^ракциошми максимум сокоЯства плоскостей (III) sic покрытиях одно:.;прко-разупорядочешой структурой получек їь:й при рассеянии а)нзйтроноз. б)рентге>новских лучвй.
{200
1300 то І500 тоо
и,
ТосХ
?ис 2. Доля одномврно-рззулорядрченкой фазы з sic
покрытиях в зависимости от температуры осаздения и концентрации
мэтшггрихлорсилдна Сз %) в газовой фазе. Сплошная линия - данные
работы /3/.
ПОЛИТйПа:
ср = 1 - :.s3.(A2-o-2)/(A1-ci).
В ходи исследований получены сладумчио результаты- Вес образцы карбидокремшавнх покрытий, осажпенные из сшеи газов метилтрихлорекцана, метана и водорода состоят из двух фаз: карбида кремния и тур^страткого углерода. Относительная концентрация структурно-упорядоченного углерода определяется долей мотана в газовой смеси vi повышается с ростом температури осаждеїшя.
Б г»л»ычинстзо Мі'гериа.пов обнаружено кизкоо совершенство крист-лялической структуры фазы карбида кремния (Рис 2). Доля кубіїческого полнтктта в смешанных покрытиях не превышает 70 объемных процентов, а в ионофазных - 4G-60 объемных процентов-"становлено, что концентрация кубического политипа определяется, з основном. содержанием нетшітрихлорсіїлана в газовой смеси. Рассчитанной из уугирения дифракционных максимумов средние размеры кристаллитов с кубической симметрией для больпггшетэа образцов существенно меньше ( в 2 раза) средних размеров кристаллитов вместе с дефектами упаковки атомных слоев- Следовательно, дефекты группируются в протяженные области, размер которых сравним с, толііЦтой бездефектных пакетов атомных слоев ( 25 км). Этот факт подтверждает гипотезу об образовании "вторичных" слоев, видїіччх ка кикро^отография* образцов. нару^едаями порядка упаковки крпстал.тп-!че.--.кой решетки в стехио^етричееких конусах роста SiC.
Структура углеродной компоненты смешанных покрытий близка no своим -параметрам к структуре чистого пироуглерода, осаженного в близких условиях. Совершенство ее повышается с ростом температуры осаздения-
Часть образцов карбндокремшевьк покрытий была подвергнута высокотемпературному отЕигу (TOTW=I8000), что нрікело к заметному упорядочение структуры карбида кремния- В 1-5-2 раза возрос средний размер крмсталиитов. доля упорядоченной фазы возросла на 20-30 процентов. Фазовый состав образцов кэ из«ени;юя. Наибольшая стабильность структурных параметров обнірунена у материалов с совершенной ато^но-кристаллической структурой. осаздениш при
минимальных концентрациях метилтрихлорсилана и температуре осэздения ІЄООС
Третья группа исследованных материалов - наполнители ' и связующее матричных графитов, применяемых для изготовления шаровых твэлов ВТГР.
Для трех порошков графита: зоттг. т.ттг-Р и ШГ-Р, уплотненного тонкім слоем пироуглерода. -'были проведены исследования текстурируемости - вероятности предпочтительной ориентации кристаллов графита при приложенном йнеин..-.'.; давлении. Для этого была разработана методика прессования порошков в тонкостенной цилиндрической кассете диаметром 10 мм., исполъзукцайоя в нейтрокографических измерении- Степень анизотропии (баг ) определялась по соотношению интенсизностей дифракционных максимумов двух взаимоперлевдикулярных атомных плоскостей (002) и (НО), измеренных из порошковых дифрактограмм исследуемого и калибровочного образцов.
Обнаружено, что степень текстурирозэнности проссозаккых пороаков графита зависит от трех факторов: давления прессования, марки порошка, соотношения фракций порошка графита разной степени дисперсности. Заметная текстура проявляется при давлении прессования 300 КПа. что выше давлений, используемых в .принятых технологиях изготовления твэлоз. Максимальную текстурируемость при таком давлении проявляти порошки марки 307ЇГ (saf-i.s;. мекъшув - пороики марки МГІГ-Р мелкой Фракции (-0.05) мм (степень анизотропии равна- Т-13). Смесь порошков МПТ-Р двух фракций (-0.05) ш и (-0.4+0.IS) мм и порошки дополнительно уплотненные TOHKRV слоем лироуглегюда с точностью до Бї изотропность сохраняют, измерение Фрагментов твэлоз. изготовленных из матрична композиций по стандартней технологии показало, что они таюне изотропна.
Проведены исследования совершенства связующего матрична графіитов - коксов на основе средне- и высокотемпературных каменноугольных пеков марки "А". Показано, что степень атомного порядка в этих материалах существенно повышается с ростом температуры обработки. Так атомная структура образцов коксов. термообработэнннх при 600С сильно разупорядоченна.
амортизирована, содержит значительноо количество (до 10 атомных процентов) связанного водорода'- Протяженность атомных слоев но превышает I им. а количество слоев в пакете - 2-3. При повмвэкии температуры обработки до 1200С выделяется основное количество водорода, упорядочиваются и достраивается атомные слои. Средний диа?-'.етр атомноіх> слоя достигает 4-5 нм, а количество слоев в пакете - Є-8. Материал остается турбостратньи. При 1800С продолжается быстрый рост толщины пакета атомных слоев до 10-12 нм (30-40 слоев), а рост диаметра слоя замедляется, достигая 6 им. Атомные слои упорядочиваются между собой - материал частично графлшруетсн до 60.«. Такое ратшее начало грзф'.ггацил объясняется наличием внешнего давления на стадии карбонизации каменноугольного пека и определяет высокие механпчоыспо и радиационные свойства связу/^его матричных графитов-
