Электронная библиотека диссертаций и авторефератов России
dslib.net
Библиотека диссертаций
Навигация
Каталог диссертаций России
Англоязычные диссертации
Диссертации бесплатно
Предстоящие защиты
Рецензии на автореферат
Отчисления авторам
Мой кабинет
Заказы: забрать, оплатить
Мой личный счет
Мой профиль
Мой авторский профиль
Подписки на рассылки



расширенный поиск

Электрические свойства оксидов и халькогенидов цинка, кадмия и германия при высоких давлениях Игнатченко, Ольга Аркадьевна

Данная диссертационная работа должна поступить в библиотеки в ближайшее время
Уведомить о поступлении

Диссертация, - 480 руб., доставка 1-3 часа, с 10-19 (Московское время), кроме воскресенья

Автореферат - бесплатно, доставка 10 минут, круглосуточно, без выходных и праздников

Игнатченко, Ольга Аркадьевна. Электрические свойства оксидов и халькогенидов цинка, кадмия и германия при высоких давлениях : автореферат дис. ... кандидата физико-математических наук : 01.04.07.- Екатеринбург, 1996.- 20 с.: ил.

Введение к работе

Актуальность работы. Одним - из важнейших направлений фундаментальных исследований в физике твердого тела является изучение физических свойств материалов при высоких и сверхвысоких статических давлениях. Основная часть работ в этой области посвядена систематическому изучению динамики кристаллических структур о применением диффракционных и оптических методов в различных спектральных диапазонах.

В то же время исследования явлений переноса в кристаллах при давлениях, превышающих 15-20 ГПа, носят отрывочный характер. В частности, это относится к таким важным характеристикам, как электропроводность и термоэдо, позволяющим проследить динамику изменения зонного спектра кристаллов при росте давления и дополнить данные оптических экспериментов. Последнее связано, в первую очередь, со сложностью экспериментальных методов исследований.

В то же время, систематические электрофизические исследования практически важных соединений групп AzBe и А4Вв (имеющих близкие электронные и кристаллические структуры) при давлениях выше 20 ГПа в широком интервале температур актуальны и позволяют глубже понимать природу явлений, наблюдаыцихся з кристаллах при сверхвысоких давлениях.

Цель работы - исследование механизма изменений электрических свойств соединений ZnX, CdX, GeX (X»0,S,Se,Te) в интервале давлении 15-50 ГПа при 77-400 К, выявление связи набллдаешх процессов с кристаллохшичэскими параметрами этих материалов, ( изучение условий возникновения метастабильных состояний с высокой концентрацией носителей заряда и термобарических границ их устойчивости.

Для достижения поставленной цели было необходимо:

  1. провести систематические экспериментальные исследования температурных (77-400 К) и барических (1Б-50 ГПа) зависимостей электрического сопротивления и термоэдс соединений ZnX, CdX, GeX (X=0;S,Se,Te);

  2. установить обкие закономерности индуцированных давлением изменений электропроводности, терыоэдс, концентраций и типа носителей заряда данных соединений, и выявить их связь о"криоталлохи-лическими параметрами;

  3. выявить условия образования метастабильных состояний о зысокой электропроводностью.

Научная новизна работы:

  1. впервые проведены систематические экспериментальные исследования электросопротивления и термоэдс соединений ZnSe, CdSe в интервале температур 77 - 400 К и давлений 15 - 50 ГПа; показано, что фазовый переход в структуру типа NaCl в этих соединениях является не переходом "полупроводник - металл", как предполагали ранее, а переходом типа "полупроводник - вырожденный полупроводник";

  2. впервые проведены исследования температурных и барических зависимостей сопротивления и термоэдс ZnTe и CdTe в интервале температур 77 - 400 К и давлений 16 - 50 ГПа; экспериментально подтверждено существование предсказанной ранее теоретически Ш фазы с металлическим типом проводимости в интервале давлений 20 -30 ГПа; установлено, что при давлениях 30-50 ГПа ZnTe является типичным полупроводником, a CdTe - вырожденным полупроводником либо полуметаллом;

  3. впервые проведены исследования температурных и барических зависимостей сопротивления и термоэдс ZnO и CdO в интервале давлений 20-50 ГПа и температур 77 - 400 К;

  4. впервые показано, что значения давлений перекодов соединений группы А2В6 в состояния с высокой проводимостью, величины химических потенциалов носителей заряда в этих состояниях коррелируют с их кристаллохимическими характеристиками;

  5. впервые проведены электрофизические исследования GeS, QeSe при давлениях до 50 ГПа; установлено, что при давлениях такого порядка в сульфиде и оелениде германия наблюдается последовательность переходов от активационной проводимости к металлической и вновь к активационной;

  6. впервые проведены систематические исследования электропроводности и термоэдс ВеТе при температурах 77 - 400 К и циклиро-вании давления от 15 до 50 ГПа; определены характер проводимости фаз. высокого давления GeTe со структурами типа NaCl, GeS, CsCl;

  7. для всех изученных соединений определены границы устойчивости состояний с индуцированной давлением высокой проводимостью, установлены границы метастабильности таких состояний.

Работа выполнена 6 рамках госбюджетной научно-исследовательской программы "Исследование структурных и фазовых превращений в материалах при экстремальных воздействиях в электрических и магнитных полях".

Апробация работы. Основные положения диссертационной работы . опубликованы в четырех статьях, в пяти тезисах конференций (The Joint AIRAPT/APS Conference, Colorado, USA, 1993, 14th General Conference Matter Division, Madrid, Spain, 1994, The Joint XV AI-RAPT & XXXIII EHPRG International Conference, Warsaw, Poland, 1995, "Электронная плотность, химическая связь, физико-химические свойства твердых тел", Москва, 1990), доложены на семинарах кафедры.

На защиту выносятся:

  1. результаты впервые проведенных систематических экспериментальных исследований электрофизических свойств соединений группы AZB6 (A2=cd,Znj B6=D,S,Se,Te) в интервале давлений 20-50 ГПа и температур 77 - 400 К, уточняющие существовавшие ранее представления 6 характере индуцированных давлением изменений электронных свойств этих материалов;

  2. впервые выявленная корреляция значений 'давлений переходов халькогенидов цинка и кадмия в состояния с высокой концентрацией носителей заряда с крнсталлохимическими характеристиками этих со-

'единений;

  1. общие закономерности индуцированных давлением изменений электронной структуры халькогенидов германія, в частности, переходов "полупроводникІ-полуметалл-полупроводяикІГ' в GqS и SeSe и переходов "полупроводник - вырожденный полупроводник (полуметалл) - металл" в беТе, впервые полученные в результате экспериментальных исследований электрофизических свойств этих соединений в интервале давлений ЕО - БО ГПа и температур 77 - 400 К;

  2. экспериментальное /юдтверзздениэ возможности получения мз- -таогабильных состояния с полупроводниковой или металлоподоСнай проводимостью в CdX, ZnX (X-S,Se), SeTe, основанное на результатах исследований барического гистерезиса электросопротивления этих соединений.

Структура и объем диссертации. Диссертация состоит из введе
ния, четырех глав и заключения. Объем диссертации страниц," в
том числе 51 рисунок. Список цитируемой литературы - 12В наиме
нований. Результаты, полученные при проведении исследований опуб
ликованы в работах С118-1263.

Похожие диссертации на Электрические свойства оксидов и халькогенидов цинка, кадмия и германия при высоких давлениях