Исследование пространственного распределения точечных дефектов в полупроводниках, облученных высокоэнергетичными ионами Рыбин, Андрей Валерьевич

Данная диссертационная работа должна поступить в библиотеки в ближайшее время
Уведомить о поступлении

Диссертация, - 480 руб., доставка 1-3 часа, с 10-19 (Московское время), кроме воскресенья

Автореферат - бесплатно, доставка 10 минут, круглосуточно, без выходных и праздников

Рыбин, Андрей Валерьевич. Исследование пространственного распределения точечных дефектов в полупроводниках, облученных высокоэнергетичными ионами : автореферат дис. ... кандидата физико-математических наук : 01.04.10.- Новосибирск, 1995.- 21 с.: ил.

Похожие диссертации на Исследование пространственного распределения точечных дефектов в полупроводниках, облученных высокоэнергетичными ионами

Влияние состояния ионов и дефектов нестехиометрии на электромагнитные явления в ферримагнитных полупроводникахБулатов Марат Фатыхович

Разработка физических основ исследования моноатомного слоя поверхности полупроводников ионами низких и гипертермальных энергийСаблин, Виктор Александрович

Примесные состояния ионов группы железа в алмазоподобных полупроводникахДемидов, Евгений Сергеевич

Формирование электрически активных центров в кремнии, имплантированном ионами газов средних (10 кэВ/а. е. м. ) и высоких (>1 МэВ/а. е. м. ) энергий, при отжигах до 1050°С.Неустроев, Ефим Петрович

Исследование нанокомпозитных металлополимерных слоев, синтезированных высокодозной имплантацией ионов 3d-элементовХабибуллина Наиля Рашидовна

Исследование проводимости и магнитопроводимости легированного германия в области перехода металл-диэлектрик Ионов Александр Николаевич

Исследование распределения зарядов и электрических полей в приборных наноструктурах методами сканирующей зондовой микроскопииАлексеев, Прохор Анатольевич

Исследование влияния локализованных состояний на распределение пространственного заряда в барьерных структурах на основе неупорядоченных полупроводниковМишустин Владислав Геннадьевич

Пространственное распределение, накопление и отжиг дефектов в ионно-легированном кремнииХельцер, Гисберт

Особенности расчета распределения концентрации собственных точечных дефектов в монокристаллах кремнияПузанов Дмитрий Николаевич