Природа и механизм образования радиационных и электроразрядных дефектов в SiO2/B2O3 Панахов, Натиг Тахир оглы

Данная диссертационная работа должна поступить в библиотеки в ближайшее время
Уведомить о поступлении

Диссертация, - 480 руб., доставка 1-3 часа, с 10-19 (Московское время), кроме воскресенья

Автореферат - бесплатно, доставка 10 минут, круглосуточно, без выходных и праздников

Панахов, Натиг Тахир оглы. Природа и механизм образования радиационных и электроразрядных дефектов в SiO2/B2O3 : автореферат дис. ... кандидата физико-математических наук : 01.04.18.- Баку, 1994.- 13 с.: ил.

Похожие диссертации на Природа и механизм образования радиационных и электроразрядных дефектов в SiO2/B2O3

Атомное строение и механизмы образования модулированных кристаллов по данным рентгеноструктурного анализаБолотина Надежда Борисовна

Динамика и механизмы образования дефектов в щелочно-галоидных кристаллах при интенсивном оптическом возбуждении примесных центровДанилов, Валерий Павлович

Дефекты дисклинационного типа электроосажденных ГЦК-металлов: механизмы образования и поведение в силовых поляхКрылов Алексей Юрьевич

Упругие и неупругие свойства тонких пленок Si3N4, SiO2-SnO2, SiO2-B2O3 и системы Cu-Se, обусловленные включениями второй фазыИльин Александр Сергеевич

Природа электрически и оптически активных центров в CaCO3 и механизмы их участия в фотоэлектронных процессах Матвеева Ольга Петровна

Тепло-электродинамические механизмы макроскопического формирования сверхпроводящих состояний и их устойчивость к возмущениям различной природыРомановский, Владимир Рэманович

Сравнение механизмов образования адронов в -РР- и РР-соударениях при 32 ГэВ/сКлочков, Михаил Александрович

Исследование механизма образования двух пиков на кривой генерации тромбина и возможность применения этого эффекта для предсказания геморрагических осложненийТарандовский, Иван Дмитриевич

Механизмы образования, строение и физические свойства наноразмерных структур, полученных облучением электронными пучкамиНомоев, Андрей Валерьевич

Механизмы образования вторичных ионов кремния и меди при облучении ионами инертных газовМатулевич, Юрий Тадеушевич