Электронная библиотека диссертаций и авторефератов России
dslib.net
Библиотека диссертаций
Навигация
Каталог диссертаций России
Англоязычные диссертации
Диссертации бесплатно
Предстоящие защиты
Рецензии на автореферат
Отчисления авторам
Мой кабинет
Заказы: забрать, оплатить
Мой личный счет
Мой профиль
Мой авторский профиль
Подписки на рассылки



расширенный поиск

Свойства микрокристаллов галогенидов серебра и контактных систем на их основе Колесников, Лев Васильевич

Данная диссертационная работа должна поступить в библиотеки в ближайшее время
Уведомить о поступлении

Диссертация, - 480 руб., доставка 1-3 часа, с 10-19 (Московское время), кроме воскресенья

Автореферат - бесплатно, доставка 10 минут, круглосуточно, без выходных и праздников

Колесников, Лев Васильевич. Свойства микрокристаллов галогенидов серебра и контактных систем на их основе : автореферат дис. ... доктора физико-математических наук : 02.00.04 / Кемеровский гос. ун-т.- Кемерово, 1997.- 47 с.: ил. РГБ ОД, 9 98-6/2730-1

Введение к работе

Актуальность проблемы. В настоящее время работы в области галогенидосеребряных фотографических материалов- направлены на поиск и создание новых систем для записи информации. Это в немалой степени вызвано, с одной стороны, успехами в технологии двухструнной кристаллизации, что позволило контролировать распределение микрокристаллов (МК) по размерам, их форму, состав и структуру, а с другой -формированием ряда теоретических принципов, способствовавших оптимизации различных стадий фотографического процесса.

В первом из этих направлений внимание исследователей привлекает проблема совершенствования светочувствительных материалов сложного состава и создания новых светочувствительных контактных систем открытого и закрытого (ядро-оболочка) типа на основе галогенидов серебра,, з которых можно было бы осознанно регулировать возмущающее действие контакта на протекание ионных и электронных стадий на всех этапах приготовления и использования этих систем. Для решения этой задачи необходимы теоретические и экспериментальные исследования поверхности микрокристаллов AgBr(Cl,I) на всех стадиях их технологической подготовки* Анализ литературы показывает, что - несмотря на огромный объём публикаций пс исследованию физических свойств гало-генидов серебра работ на реальных эмульсионных МК выполнено мало и посвящены они , в основном, изучению ионной проводимости (ИЩ и электронно-дырочного переноса. Малочисленны, либо полностью отсутствуют работы по исследованию состояния поверхности, энергетических характеристик МК, концентрации и природы активных поверхностных центров, анализу изменения структуры двойного слоя в сравнении с фонографическими характеристиками, при варьировании условий синтеза. Перечисленные факторы, вследствие малых размеров микрокристаллов, играют значительную роль при фотографическом процессе, однако достаточно надёжных данных по свойствам реальных МК, подтверждающих, в частности, связь характеристик поверхности и фотографических свойств галогенидосеребряных систем, до настоящего времени не получено . В связи с этим, необходимы работы, посвященные исследованию поверхности и изменению энергетических характеристик эмульсионных МК галогенидов серебра при их синтеза и химической сенсибилизации(ХС).

Цель работы. Разработка методов и исследование ряда физических свойств МК галогенидов серебра различного состава, размера и габитуса, при разных условиях их получе-

ния, установление взаимосвязи между некоторыми физическими параметрами и сенситометрическими характеристиками эмульсий и выработка научно обоснованных рекомендаций для получения новых эмульсионных систем регистрации информации.

Научная новизна. Впервые проведены комплексные исследования состава, стехиометрии поверхности несенсибилизиро-ванных, однородных и сложного состава Ж AgHal в различных условиях их получения.

Предложен новый подход к анализу состояния поверхности в МК галогенидов" серебра, позволяющий прогнозировать направление модификации поверхности и изменений их свойств в зависимости от внешних условий.

Обоснована и экспериментально подтверждена возможность управления фотопроцессами в гетерококтактных системах, на основе AgHal, предложены их энергетические диаграммы, позволяющие прогнозировать направление электронно - дырочного переноса при освещении светом.

Практическая Значимость.. Большинство исследований в работе были проведены на эмульсионных МК, полученных в условиях, близких к условиям синтеза фотографических эмульсий для светочувствительных материалов. Результаты по составу поверхности, энергетическим характеристикам МК использовались для выбора условий синтеза простых и сложных регистрирующих систем, в которых оптимизация сенситометрических характеристик осуществлялась с учетом данных по изменению ИП, поверхностного потенциала, энергии Ферми, при изменении состава и структуры кристаллов, а тагске в процессе адсорбции на поверхности фотографически активных веществ.

Полученные данные по состоянию поверхности,величине и знаку поверхностного потенциала, значениям фотоэлектрической и термоэлектронной работ выхода электрона, концентраций междоузельных ионов серебра в реальных условиях синтеза использовались для моделирования процесса образования скрытого изображения и могут быть использованы для разработки количественной теории фотографического процесса.

Созданы новые методы измерения (допороговая фотоэмиссия, диэлектрические потери), позволяющие получать информацию о концентрации электронных центров на поверхности МК и количестве междоузельных ионов.Эти методики являются перспективными для исследования и контроля процесса ХС.

Предложенная модель релаксации избыточной энергии поверхности в кристаллах с низким значением энергии образования собственных дефектов имеет фундаментальное значение.

Выполненные комплексные исследования МК AgHal и фотографических систем типа " ядро-оболочка", способствовали

разработке эмульсий для неоднократной записи информации и позволили предложить новые системы контактного типа, запись информации в которых может осуществляться без освещения.

На зашиту выносятся следуэтпгеа положения.

1.Экспериментально установлена взаимосвязь генерационной активности поверхности с концентрацией избыточных Brs~ на поверхности, структурой приповерхностного слоя, концентрацией собственных дефектов в МК, фотоэлектрической и термоэлектронной работами выхода.

2. Модель ионной релаксации поверхности МК бромида се
ребра, объясняющая отрицательный заряд поверхности и фор
мирование двойного слоя.

Методика определения концентрации избыточных на поверхности Brs" и поверхностного потенциала из спектральных зависимостей квантового выхода электронов.

3. Экспериментальные результаты по исследованию состоя
ния поверхности МК октаэдрического и кубического габитусов
различных размеров до- и после ХС.

4.Модель диэлектрической релаксации, связывающая появление двух максимумов в спектрах диэлектрических потерь с формированием фазовой неоднородности з МК AgHal в зависимости от внешних условий.

5.Результаты и анализ размерной зависимости спонтанной сенсибилизации в МК бромида серебра.

6.Энергетические диаграммы контактных систем на основе AgHal, AgBr/Agl; AgBr/AgCl, построенные с учетом ионного и электронного равновесия в системах, позволившие, в соответствии с экспериментом, установить направление электронно-дырочного переноса в МК типа мядро-оболочка" переменного состава [AgBr(I) /АдВг(I)] .

7.Явление оптической модификации поверхности и результаты его исследования.

Апробация работы. Основные результаты и положения работы докладывались и обсуждались на Международном симпозиуме "Актуальные вопросы физики и химии фотографических процессов" (Тбилиси, 1984г.); Международном съезде по общей и прикладной химии (Ташкент,1988г.); Международном симпозиуме,посвященном 150-летию фотографии (Дрезден, 1989г,); Международном конгрессе по фотографической науке (Пекин,1990г.); объединенном Международном конгрессе IS&T и Ежегодной Конференции ICPS (Рочестер,1994г.); Ежегодной конференции ICPS (Вашингтон, 1995г.); Ежегодной конференции ICPS (Минесота, 1996г.); Всесоюзных совещаниях по "Воздействию ионизирующего излучения на гетерогенные системы" (Кемерово, 1990г.,1995г.); Всесоюзной конференции

"Физические процессы в светочувствительных системах на основе солей серебра" (Кемерово, 1986г.) ; на IV Всесоюзном симпозиуме "Экзоэлектронная эмиссия и её применение" (Тбилиси,1985г.); на IV Всесоюзном симпозиуме по вторичной электронной зми.ссті и спектроскопии твердого тела (Рязань,1986г.); на VII и VIII Всесоюзных конференциях по физике вакуумного ультрафиолета и его взаимодействию с веществом (Рига,1986г., Иркутск,1939г.); на Всесоюзном симпозиуме "Эмиссия с поверхности полупроводников, в том числе экзоэмиссия (Львов,1989г.); на V Всесоюзном симпозиуме "Фотохимические и фотофизические процессы в галогенидах серебра'" (Черноголовка, 1991г.) ; на VII Всесоюзной конференции по физике (Томск,1988г.); на Российской научно -технической конференции с международным участием "Диэлектрики--93" (С-Петербург,1933г.).

Материалы исследований докладывались на научных семинарах в НШХШФОТОПРОЕКТ (г. Москва), в КАЗНШТЕХФ0Т0ЇІР0ЕКТ (г.Казань), в ЛИШ(г.Санкт-Петербург), на проблемном Совете АНСССР "Фотографические процессы регистрации информации" (г.Москва).

Пу&зшкации. По материалам работы опубликовано 63 работы.

Личный вклад автора. В работу включены результаты, полученные автором самостоятельно и совместно с аспирантами и сотрудниками, которые под его руководством выполнили диссертационные работы. Во всех работах автор принимал непосредственное участие в формировании концептуальных положений, постановке задач исследований, в проведении теоретических и экспериментальных исследований, интерпретации полученных результатов. Соавторов, принимавших участие во всем цикле работ, не имеется.

Структура и обгьём. Работа состоит из введения, 5 глав, заключения и списка литературы.

Похожие диссертации на Свойства микрокристаллов галогенидов серебра и контактных систем на их основе