Введение к работе
Актуальность темы. Развитие радиотехнических систем и сие-1 тем сверхбыстрой обработки информации на СВЧ требует- совершенствования и создания принципиально новых микроминиатюрных твердотельных приборов и устройств СВЧ, в том числе - с распределенным взаимодействием, обладающих новыми функциональными возможностями, а также разработки методов их математического моделирования, электродинамического анализа и проектирования СИ ,123.
В 70-е годы.в результате прогресса большого числа смежных
наук - достижений физики твёрдого тела, появление новых техноло
гических методов' в микроэлектронике, успехов радиофизики.- воз-'
ник ряд новых научно-технических направлений: интегральная элек
троника, интегральная акустоэлектроника, интегральная оптика,
в 80-е годы - полупроводниковая интегральная техника КВЧ и
спин-волновая электроника СВЧ, ведущую роль в становлении кото
рых сыграли труда отечественных ученых (см., например, Ш-Л71).
Потребности интегральной техники стимулируют развитие
теоретических и.экспериментальных исследований в области распро
странения и взаимодействия волн различной"физической природы в
твердых телах и слоистых структурах. В настоящее время в стадии
интенсивного исследования находятся процессы распространения и
возбуждения медленных волн з тонких пленках. и тонкопленочных
структурах:.исследованы спектры собственных колебаний и волн,
изучены дисперсионные характеристики волн пространственного за
ряда (ВІВ) в тонкопленочных полупроводниковых структурах с дрей
фовыми потоками носителей.заряда СЛ4], безобмешшх магнитостати-
чвеких волн (МСВ) и дипольно-обменных спиновых волн (СВ) в на
магниченных монокристаллических фэрритовых плегасзх и слоистых
феррда-диэлектрнческих структурах спин-волновой электроники СВЧ
[Л6.Л73. \
Развитые феноменологические и кинетические теории акусто-электронного', магнитозлектронного взаимодействий на СВЧ и со-провоэдающих их физических явлений в монолитных слоистых структурах, акустооптического взаимодействия в объемных и пленарных интегрально-оптических структурах, взаимодействия электромагнитных еолн (ЭМВ) и МСВ с образованием гибридных электромагнитно-
' 3 ----....
спиновых волн в феррит-диэлектрических структурах применены для анализа в основном пленарных структур в одномерной модели, достаточно соответствующей реальным ситуациям в приборах и устройствах интегральной акустоэлектроники, оптоэлектроники, спин-волновой электроники СВЧ, а также в полупроводниковых приборах (см.,например, Ш,Л7,Л223).
Вместе с тем создание интегральных схем (ИС) СВЧ и КВЧ, и в особенности объемных ИС (ОМС) СВЧ и КВЧ ІЛ8.Л9], диктует необходимость электродинамического моделирования двух- и трехмерных многофункциональных интегральных СВЧ-структур. Оценивая проблему в перспективе, необходимо отметить, что разрабатываются технологии создания монолитных СВЧ-структур на подложках из гетеро-эпитаксиальных материалов, где возможно объединение полупроводниковых монокристаллов и монокристаллических ферритовых пленок ШОЗ, а также других пленок, обладащих в том числе акустическими или оптическими свойствами, для создания совершенно новых типов функциональных схем ШЗ.
Моделирование_ электродинамического уровня строгости облегчает понимание пршщипов работы и проектирование новых твердотельных приборов и устройств СВЧ в монолитном интегральном исполнении, а разработка и ускоренное внедрение в производство монолитных интегральных схем {МИС) СВЧ в значительной степени определяются созданием систем автоматизированного проектирования устройств СВЧ. При этом- резко повышаются требования к адекватности моделей реальным базовым элементам МИС СВЧ Ш,Л9,Л133.
Полное и достаточно точное теоретическое исследование большинства задач электродинамики, выдвигаемых современной техникой ИС СВЧ, можно провести лишь численно с помощью ЭВМ. В настоящее время возникло новое направление, являющееся синтезом методов электродинамики и вычислительной математики, - вычислительная электродинамика, успешное развитие которой во многом определили работы российских ученых (см., например, 1Л1,Л2,Л9, Л13.ЛШ).
Специфика нового метода теоретических исследований, развн- того в вычислительной электродинамике; - вычислительного эксперимента - заключается в том, что в ходе решения электродинамической задачи с помощью вычислительных процессов происходит как уточнение - самой модели, так и изучение исследуемой .физическое
структури. Однако для.решения краевых задач, получаемых при математическом моделировании интегральных СВЧ-структур слоеной геометрии, содержащих анизотропные.твердотельные плазменные слои и пфотропные пленкл намагниченного ферромагнетика при произвольной ориентации'осей анизотропии, непосредственное применение методов теории волноводов Ш1,Л12], а такке универсальных числен-, них методов (например, СЛ2,Л9,Л13,ЛШ) затруднительно.
Актуальной является проблема разработки .методов решения краевых задач, в строгой электродинамической постановке для интегральных СВЧ-структур с активными полупроводниковыми и (или) на-лагниченными'ферржговыми-слоями и включениями, а также создания. эффективных математических моделей электродинамического уровня, которые должны базироваться на решении системы уравнений Максвелла совместно с уравнениями токопереноса в полупроводниках и (или) уравнением движения намагниченности в ферромагнетике.
Для активного использования вычислительного эксперимента требуется адаптация моделей к классам электродинамических задач и даке к отдельным задачам интегральной техники СВЧ, в том числе полупроводниковой интегральной техники КВЧ и спин-волновой электроники СВЧ, и развитие особых подходов, способных выделять в деталях разнообразные физические эффекты, которые важны при разработке твердотельных приборов- СВЧ с распределенным взаимодействием и устройств СВЧ в- монолитном интегральном исполнении.
Прдьт диссертационной ряботн является построение электродинамической теории и исследование физических процессов при распространении^ электромагнитных волн в интегральных СВЧ-струнту- -pax, содержащих тонкопленочныег полупроводниковые слои с активными анизотропными и поглощающими включениями и (или) намагниченные ферромагнитные пленки, в условиях возбуждения и взаимодействия волн- различной физической природы с учетом разнообразных физических эффектов, возникающих при внешних воздействиях (электрическом, магнитном или оптическом), на основе математического моделирования волновых процессов и решения получаемых при этом краевых задач в их полной, адекватной практике постановке.
' В диссертационной работе исследуются полупроводниковые и ферритовые интегральные СВЧ-структуры широкого класса функциональных назначений при разнообразии' их конструктивных _решений в зависимости от частотного диапазона, используемые и перспек-
8 9 Ю «
13 «і 15
Рис. 1. Активные полосково-щелевые структуры СВЧ-диапазона: 1-7 - полосковые линии (ПЛ) (1,2 - шкрополосковые распределенные ганновские структуры, 1 - на подложке n-CaAs - эпи-таксиальный слой ійіаів (с омическими контактами или с барьером Шоттки), 2 - на подложке эпитаксизльные слои n-Gala-n GaAs - полуизолирущий GaAs (SI) (с барьером Шоттки)); 3,4 - связанные ШГ, 5-7 - экранированные многопроводные ПЛ на слоистых полупроводниковых подложках); 8-12 - копланар-ные линии (КПЛ) (8 - распределенная полупроводниковая структура с ОДП на подложке эпитаксиальныи слой n-GaAs-полуизолирующий GaAs, 9 - КПЛ на структуре металл-диэлектрик-полупроводник (с барьером Шоттки), 10 - связанные КПЛ (распределенная транзисторная структура n-GaAs - GaAs с барьером Шоттки), 11 - волноводная модель транзистора бегущей волны, 12 - инвертированная КПЛ); 13, 14 - щелевые линии на полупроводниковых подложках; 1 - шсцределенный лавинно-пролетный диод (структура р-n-ir-n )
Рис. 2. Активные волноводно-щелевые линии (ВЩЛ) КВЧ на слоистых полуїіроводниковшс. подложках (полуизолирухщий GaAs - эпитаксиальная пленка n-GaAs) (1 - сишвуричшв, ?., З -. несимметричные . с: ГЕедох-гасто?.*" и "перехлестом" проводников,' --4-- - деустогюнние, -5 .-. копланарно-щалэше) *
15 1S 17 !8
Рис. 3. Полупроводниково-диэлектрические волноводы (ПДВ) КВЧ: 1-3 - зеркальные; 4-7 - гребниевые; 8-12 - полосковые; 13, 14 - пленочные; 15-16 - металлоднэлектрические; 17-18 -
Н-волноводы , -.....
Рис. 4. Интегральные ферритовые структуры СПИН-ВОЛНОВОЙ электроники СВЧ: 1-8 - преобразователи МСВ (1-3 - полос-ковые, 4,5 - многопроводные," б - кошганарные, 7 - щелевые, 8 - волноводные; 9-11 - феррит-диэлектрические структуры (9,10 - слоистые феррит-диэлектрические волноводы, 11 -МСВ-волновод (эдатаксиальная пленка железо-иттриевого граната на подложке из гадолиний-галлиевого граната);
тквшэ для создания МИС СВЧ- и КВЧ-диапазонов волн: полупроводниковые интегральные волноведущие структуры (ИВС) (рис. 1-3). (активные полосково-щелввые структуры,, полноводно-целевые линии (ВІШІ), полупроводниново-дазлектрическку волновода (ЦДВ) К ИХ МО-" дифанацш) - активные н„управляющие:_ элементы папуігроводниковсй интегральной техники СБЧ и КВЧ, 'а'таю^Г фэрритовке ИВС (рио. 4)- ' .... нолосксво-щелевнэ _преобразователи MCR и феррит-диэлектрическиз
структури' СПИН-BOJMOBOff" 'ЬЛЗКТРОЯІЕЕГ СВЧ". '-""' ! :'.:.";, .-;, - - .
.... _.,.Жулная-дшизда.работа состоит :
; [t'~ в разработке нового .'подхода"к рзпсшш- актуальных- наприклад- , :;дсіготношений*-' явйач-,злокгрсдпнсикг..ялгеотропнн* - ВС (в их пол-. '" ной,. адекватной практике' КС' СБЧ, постановко). и' методики ' Ълвкт'ро-." динамического анализа/процессов ргсггространения,* возбуждения и .взаимодействия волн, различной физической природа в интегральных , СВЧ-структурах: с учетом многообразия. ..физических явлений, возникающих ''при внеп^ воздействиях, эффективность;''которой показана при решении задач, интегральной техники'-СВЧ; (в том числе для анализа полностью' монолітних':;іште^алшп'':"СВЧтСтруктур, где в
Перспективо БёчЧМОЕКО"ЪОъё,^
никовых и ферритовнх плавок): ' . '
- в создании математических моделей электродинамического
уровня строгости для интегральных полупроводниковых СБЧ уст
ройств с распределенным взаимодействием, позволяющих учесть фН-
зическио эффекты (при приложении электрического поля) и особен
ности полупроводникового заполнения, .'а также геометрию проводни-
,„ ков. ИВС, топологию активных включений, комплексную проводимость контактов,, и'примёниШх7длятполупроводниковых структур, с.ОДИ, возникающей' при меадолшшом' переходе -электронов, распределенных
. лавинно-пролетных и ітжекциоішо-пролетшк .диодов; распределенных диодных и --тракзисторшхгСВЧ"-структур с барьером Шоттгл; ,
- в создании математических .моделей электродинамического
уровня строгости для- интегральных ферритовнх структур СПШІ-ЕОЛ-
новой электроники СБЧ (полосково-щелевых преобразователей МСВ,
слоистых - феррит-диэлектрических ВС, мез-волноводов и МСВ-резо-
наторов) и разработке методики электродинамического анализа про
цессов возбуждения, преобразования и взаимодействия динамичес-
ких мод ЭМВ и магнитостатическшг мод" (и интерпретации в-прост» -
ранстве волновых чисел) в многослойных ферритовнх ИВС;
- в установлении в ходе численного исследования ИВС ряда физических эффектов, заключающихся в следующем: возможность усиления ЭМВ в активных тонкопленочных полосково-щелевых структурах, активных ВЩЯ, многослойных зеркальных и анизотропных полосковых ІЩВ (на основе арсенида галлия с пленками n-GaAs) в условиях отрицательной дифференциальной проводимости (ОДП) при наличии статического домена сильного поля, а также эффективного управления характеристиками распространения ЭМВ при внешних воздействиях (сильное электрическое поле, оптическое излучение), в том числе в линии передачи диапазона КВЧ нового типа - полупроводниковой ВЩЯ; волноводный эффект зэ счет направляющего действия двумерной активной области под полосковым контактом в гетероструктурах ин-кекционных полупроводниковых лазеров; резонансное взаимодействие динамических мод ЭМВ и мод МСВ при выполнении условия синхронизма с образованием гибридных электромагнитно-спиновых волн в двумерноограниченных ферритовых ИВС (пленочных ферритовых и феррт-диэлектрических волноводах, возбуждаемых полосково-щеле-выми преобразователями, феррит-сегнетоэлектрических волноводах). Достоверность результатов основывается на обосновании разработанных в диссертации моделей электродинамического уровня строгости, базирующихся на уравнениях Максвелла совместно с материальными уравнениями и уравнениями движения в среде, дополненных строго сформулированными граничными условиями на границах раздела сред.
Основные результаты обоснованы на физическом уровне строгости с использованием уравнений токопереноса в полупроводника^! и уравнения движения намагниченности в ферромагнетике.
Результаты получены с помощью математически обосноваинш современных аналитических методов и численных (декомпозиционных) методов электродинамики. При реализации численных методов на ЭШ контролируется точность вычислений.
-Основные полученные результаты электродинамических расчетої ИВС (активных ВЩЛ на полупроводниковой подложке, зеркальных і анизотропных ВДВ на арсениде галлия с пленкой n-Gals; полосковыз преобразователей МСВ в пленочных феррит-диэлектрических волноводах) сравниваются с данными физических экспериментов и им соответствуют. Адекватность полученных решений и результатов численных исследований практике проверена в рамках хоздоговорны} и госбюджетных научно-исследовательских работ.
Основные научные положения и результати, внностша иа яяшиту: f. Представление волнового процесса в волноведущих структурах (ВС), содеращих тонкопленочные пачупроводниковые слои с * активными анизотропными и поглощающими включениями и (или) гиро-тропныэ пленки намагниченного ферромагнетика, как распределенного взашодействия динамических мод "быстрых" электромагнитных волн (ЭМВ) в ВС с "медленными" волнами в тонкопленочкых слоях, и разработанная на основе этого представления методика электродинамического анализа самосогласованных полей в интегральных волноведущих структурах (ИВС), позволяющая учесть особенности электродинамических процессов в условиях распространения, возбуждения и взаимодействия волн различной физической природы и много-."' образце возникающих физических явлений, определяемых как геометрией НВС, так и характеристиками воздействий (электрического, магнитного или оптического).
-
Математические модели (электродинамического уровня строгости) активных полупроводниковых ИВС (активных полосковс-щеле-вых структур, волноводно-щелевых линий (ВВД) и полупроводниково-диэлектрических волноводов (ПДВ)), базирующиеся на поэтапном решении системы уравнений Максвелла, дополненной гидродинамическим уравнением для тока носителей заряда, позволяющие учесть физические эффекты: возникновение отрицательной дифференциальной проводимости (ОДП) .и домена сильного поля щит приложении постоянного электрического поля запорогового уровня, возбуждение волн пространственного заряда (ВПЗЬ а также характер объемных про-водимостей и комплексной проводимости контактов.
-
Математические модели (электродинаглического уровня строгости) интегральных структур спин-волновой электроники СВЧ (по-лосково-щелевых преобразователей и слоистых феррит-диэлектрических волноводов), базирующиеся.на уравнениях Максвелла совместно с уравнением движения намагниченности в ферромагнетике в форме Ландау - Лифшица и позволяющие анализировать процессы распространения ЭМВ (в условиях возбуждения магнитостатических волн (МСВ)), преобразования . и резонансного взаимодействия динамических мод ЭМВ и мод МСВ в многослойных ферритовых'ИВС.
-
В результате математического моделирования впервые теоретически обоснованы и численно исследованы прогнозируемые новые физические явленая: возможность усиления ЭМВ в активных полу-
проводниковых полосково-щелевых структурах, НВДГ, многослойных зеркальных и анизотропных полосковых ПДВ в условиях ОДП при,наличии статического домена сильного поля и эффективного управления характеристиками распространения ЭМВ'при внешних воздействиях (сильное электрическое поле, оптическое излучение); волно-водный эффект за счет направляющего действия двумерной активной области под полосковым контактом в гетероструктурах инкекцион-ных полупроводниковых лазеров;' резонансное взаимодействие динамических мод ЭМВ и мод МСВ о образованием гибридных электромагнитно-спиновых волн в двумерноограниченных многослойных фер-ритовых.'ИВС.
Практическая значимость диссертационной работы заключается в следующем.
Разработанные и использованные в процессе автоматизированного моделирования математические модели, более адекватно, чем существующие, отражающие электродинамические свойства интегральных СВЧ-структур полупроводниковой интегральной техники и спин-волновой электроники СВЧ и КВЧ, и реализующие их эффективные алгоритмы моделирования и анализа активных и управляющих полупроводниковых СВЧ-элементов, а также МСВ-элементов ИС СВЧ могут быть использованы в качестве частей математического и информационного обеспечения в системах автоматизированного проектирования радиоэлектронной аппаратуры на основе ИС СВЧ.
Внедрение развитых методов, основанных на едином подходе к построению математических моделей интегральных полупроводниковых и ферритовых СВЧ-структур, содержащих активные анизотропные и гиротропные пленки, в практику автоматизированного проектирования устройств СВЧ позволит значительно повысить эффективность разработок новых твердотельных приборов и интегральных устройств СВЧ и КВЧ с распределенным взаимодействием, в том числе на основе ОИС СВЧ и КВЧ.
Сизические явления, установленные и исследованные в диссертации: возможность усиления ЭМВ в' тонкопленочных полупроводниковых структурах с ОДП, активных полосково-щелевых структурах, ВЩ и ПДВ (на арсениде галлия) при наличии "статического домена сильного поля (в слое n-GaAs) и эффективного управления характеристиками распространения ЭМВ в зеркальных, пленочных и полосковых ПДВ, полупроводниковой ВІІЩ при изменении проводимости.полупро-
водянкового слоя (n-GaAs) за счет внешних воздействий - указывают на перспективу применения активных полупроводниковых по-лосково-щелевых структур и активных ВЦЦГ в качестве усилителей и' генераторов в коротковолновой части СМ—и в Ш-диапазонахволн,
многослойных зеркальных и полосковых ГЩВ раличных модификаций (на основе арсенида галлия) 'для'создания-активных и управляющих элементов Ш КВЧ. Результаты математического моделирования использованы для оценки возможности построения оптически управляемых устройств КВЧ - модуляторов, фазовращателей, аттенюаторов, а также СВЧ-усилителей .и генераторов в монолитном интегральном исполнении, которые можно изготавливать в едином ^технологическом
цикле. "''- ['------'-..,,- , s, - '
Результаты диссертационной работы использованы при проведении хоздоговорных и госбюджетных научно-исследовательских работ с предприятиями КБ МПО "Салют" г. Москва, . НПО "Сатурн" г. Киев, СКВ ППЗ г. Пенза-19 для электродинамического расчета параметров интегральных линий передачи СВЧ и КВЧ, полупроводниковых и ферритовых интегральных волноведущих и резонаторних СВЧ-структур, что позволило повысить качество и сократить сроки разработки и проектирования интегральных устройств СВЧ и КВЧ и изделий электронной техники на их основе.
Результаты диссертационной работы также нашли широкое применение в учебном процессе на кафедре "Радиотехника" ПГТУ.
'Апробация работы. Основные результаты диссертационной работы докладывались:
в Национальном Центре Научных Исследований Франции CNRS
(Jfeudon, France, 1994); на.„.Internationalen Wissenschaftlichen
Kolloqulm (Germany, Ilmenau, 32-th 1987, 35-th 1990); Intern."
Conf. on Microwave Perrltea ICMP (9-th Estergom,Hungary, 1988;
10-th Poland,.'Szcyrk, 1990; 11-th СНГ, Алушта, 1992; 12-th Gyu-
lechltsa, Bulgaria, 1994; I3rth Bustenl, Romania,І996);'ISSWAS
(Новосибирск, ИПФ CO. PAH, 1986);- 6-th Intern. School on Micro
wave Physics and Technique (Varna, Bulgaria, 1989); Intern.
Conl. on Magnetic Electronics (Красноярск, ИФ CO PAH, 1992);
6-th Conf. (with intern, participation) Acoustoelectronics/93
(Varna, Bulgaria, 1993); на I Объединенной конф. по магнито-
электронике (Москва,- МРЭ РАН, 1995); .,
на III,IV Всесоюз. симпозиуме по миллиметровым й субмил-
лиметровш волнам (Горький, ИПФ РАН, 1980; Харьков, ИРЭ АН Украины, 1984); на I.II Всесоюз., III Краевой науч.-техн. конф. (НТК) по интегральной СВЧ-электронике (Новгород, 1982; Ленинград, 1984; Красноярск, 1987); на Всесоюз; науч.-техн. семинаре "Функциональная СВЧ электроника"(Киев, 1981, 1983 гг.); на I, II
. Республ. конф. "Расчет и проектирование полосковых антенн" (Свердловск, 1982, 1985 гг.); на Всесоюз. НТК "Проектирование
. и применение радиоэлектронных устройств на диэлектрических волноводах и резонаторах" (Саратов, 1983) и I, II, III Всесоюз. школах-семинарах "Взаимодействие электромагнитных волн с полупроводниками и полупроводниково-диэлектрическими структурами" (Саратов, 1985; 1988; 1991 гг.); на VI Всесоюз. симпозиуме "Плазма и неустойчивости в полупроводниках" (Вильнюс, ИФП АН Литвы, 1986); на Всесоюз. школах-семинарах по спин-волновой электронике СВЧ (Саратов, 1982; Ашхабад, 1985; Львов, 1989; Звенигород, 1991; VI Мевдунар.конф. Москва, 1993); на VIII, К и X Всесоюз. науч.-техн. семинарах "Методы решения внутренних краевых задач электродинамики" (Ростов-на-Дону, 1984, 1986; Вильнюс, 1988); на XX Всесоюз. семинаре по спиновым волнам (Ленинград, ФТИ РАН, 1990); на Всесоюз. науч. семинаре "Математическое моделирование и применение явлений дифракции" (Москва, МГУ, 1990).; на Г7 Всесоюз. семинаре по функциональной магнито-электронике (Красноярск, ИФ СО РАН, 1990); на V Республ. школе-семинаре "Устройства акустоэлектроники" (Пенза, 1992); на Всесоюз. НТК и школах-семинарах по технике, теории, математическому моделированию и САПР ССОИ на ОИС СВЧ и КВЧ (Махачкала, 1985; Москва, Куйбышев, 1987; Тбилиси, 1988; Суздаль, 1989; Алма-Ата. 1989; Тула. 1990; Волгоград, 1991; Москва, 1992; Сер-
'гиев Посад, 1995; Рыбинск, 1996) ;на VII, VIII, XI, XTV, XVI НТК и 49 Науч. сессии, посвященных Дню радио (Москва, НТОРЭС им. А.С. Попова, 1981; 1982; 1985; 1988; 1990; 1994гг.);
"-на науч. семинарах ИРЭ РАН (1981-1996 гг.); на Всесоюз. семинарах секции "Объемные интегральные схемы СВЧ" при МГП КТОРЭС ИМ. А.С.Попова (Москва 30.12.82, 16.02.84, 20.03.85, 19.11.90;
' Севастополь 11.06.85,-2.07.86); на заседанш межвузовских Всесоюз. семинаров,- организованных Координационным Советом Минвуза РСФСР по проблеме СВЧ (Москва.МЭИ 21.10.81 ;Горький,ГТШ 15.06.83); на выездном заседании бюро Регионального Координационного цент-
' 14
pa АН СССР и Минвуза РСФСР в Поволжье_(Пенза, ППИ, 28.02.85); на
ежегодных НТК профессорско-преподавательского состава Пензенско-.
. го. государственного технического университета (1973-1996 гг.).
Л&йшшиж. Научные положения к результаты диссертационной"
.работы .опубликованы в 69 научных тру.чах» изданных центральными
и'республиканскими издательствами, г,~?г"/.!:НЫ 'авторскими свиде-'"
тельствами. На основе научных результатов опубликованы моногра
фия и учебное пособие. " ""' - ' " - " " ;,-
&щшщиіЛйьои_Л№№і№»и Ли'-, .ртзция СОСТОИТ КЗ зво-
' депия, -.четырех'глав;- заключения,--списка .татературы (155 нашенот ..... dc^^,.'бклэтзя.. Щ'блгечгр, 9В,?оря). . it ттп:тЛ0ЖЄНИЯ cto СПИСКОМ ЛИТЄ-. ' ратуры' (273 наКа'еяоЕзпггя}'. Уб^р ось»» диссертации " составляет-'"'' 393 страницы, в том числе 255.страниц' основного текста,44 рисунка п-графака на 40 страницах, синеок.литературы на 17 страни-
: пах, а также приложение на 133.страницах. ...
