Электрические и магнитные свойства новых Кондо-решеток типа RMnXm (R=Ce, Yb; M=3d-переходный элемент, X=Al, Ga) Морохивский, Богдан Степанович

Данная диссертационная работа должна поступить в библиотеки в ближайшее время
Уведомить о поступлении

Диссертация, - 480 руб., доставка 1-3 часа, с 10-19 (Московское время), кроме воскресенья

Автореферат - бесплатно, доставка 10 минут, круглосуточно, без выходных и праздников

Морохивский, Богдан Степанович. Электрические и магнитные свойства новых Кондо-решеток типа RMnXm (R=Ce, Yb; M=3d-переходный элемент, X=Al, Ga) : автореферат дис. ... кандидата физико-математических наук : 01.04.13.- Львов, 2000.- 21 с.: ил.

Похожие диссертации на Электрические и магнитные свойства новых Кондо-решеток типа RMnXm (R=Ce, Yb; M=3d-переходный элемент, X=Al, Ga)

Кристаллическая структура сплавов и характер взаимодействия металлов в системах {Ti, La, Но} - Al -Ga, {Ti, Zr} - Si- GaЗаводянный, Виктор Владимирович

Разработка и исследование электрических и оптических характеристик фотодетекторов ультрафиолетового диапазона спектра на основе твердых растворов Al(x)Ga(1-x)NКурятков Владимир Вениаминович

Ширина линии экситона и его интегральное поглощение в квазибинарных твердых растворах Al(x)Ga(1-x)AsМаркосов Максим Сергеевич

Молекулярно-пучковая эпитаксия и оптимизация метаморфных гетероструктур In_x Al_y Ga_1-x-y As/GaAs для применений в приборах микро- и оптоэлектроникиСеменова Елизавета Сергеевна

Оптические и структурные свойства квантовых точек (In, Ga, Al)As на подложках арсенида галлия для светоизлучающих приборов диапазона 1.3-1.55 мкмГладышев Андрей Геннадьевич

Получение и исследование фото- и электролюминесцентных свойств оксидных люминофоров в системе [(Ca,Mg)O(Al,Ga)2O3SiO2]:EuТерентьев, Михаил Александрович

Магнитные свойства редкоземельных интерметаллических соединений типа R(Fe,Ga)11C и R(Fe,Al)12Горбунов, Денис Игоревич

Квантово-размерные напряженные гетероструктуры в системе (In, Ga, Al)As: Технология получения методом молекулярно-пучковой эпитаксии и исследование свойствЖуков, Алексей Евгеньевич

Молекулярно-пучковая эпитаксия с плазменной активацией азота слоев и гетероструктур в системе (Al,Ga)N с высоким содержанием Al для ультрафиолетовой оптоэлектроникиМизеров, Андрей Михайлович

Исследование полупроводниковых эпитаксиальных слоев и квантово-размерных структур в системах Ga-In-P-As и Al-Ga-As методом фотопропусканияИвкин, Андрей Николаевич