Содержание к диссертации
ВВЕДЕНИЕ 5
ГЛАВА 1. СВОЙСТВА ХАЛЬКОГЕНИДОВ СВИНЦА И ПЕРСПЕКТИВНЫЕ
НАПРАВЛЕНИЯ РАЗВИТИЯ ИК-ОПТОЭЛЕКТРОНИКИ 13
Бинарные соединения и твёрдые растворы на основе халькогенидов свинца 13
Создание плёночных композиций с заданными свойствами 18
Свойства наноструктурированных халькогенидов свинца 24
Формирование пористых полупроводников при электрохимическом травлении 29
Выводы Главы 1 31
ГЛАВА 2. ХАРАКТЕРИСТИКА ОБРАЗЦОВ И МЕТОДИКА ПРОВЕДЕНИЯ
ЭКСПЕРИМЕНТА 33
Характеристика исследуемых систем 33
Режимы электрохимического травления 35
Обработка эпитаксиальных плёночных систем в аргоновой плазме 37
Методы контроля состояния поверхности, объёма
и структурных характеристик образцов 39
Оптический контроль качества систем 39
Исследования с помощью сканирующей электронной микроскопии 41
Определение элементного состава материалов 41
Атомно-силовая микроскопия 42
FIB-метод 45
Рентгеноструктурные исследования 47
Исследование спектров пропускания систем PbTe/CaF2/Si (111) 52
Выводы Главы 2 54
ГЛАВА 3. СТРУКТУРНЫЕ ХАРАКТЕРИСТИКИ ПЛЁНОЧНЫХ КОМПОЗИЦИЙ ХАЛЬКОГЕНИДОВ СВИНЦА
НА КРЕМНИЕВЫХ ПОДЛОЖКАХ 55
3.1. Оптическая, электронная и атомно-силовая микроскопия
эпитаксиальных систем PbTe/CaF2/Si (111) иPbSe/CaF2/Si (111) 55
3.2. Рентгеновская дифрактометрия плёнок РЬТе и PbSe,
выращенных на CaFVSi (111) 58
3.3. Зависимость структурных параметров системы
Pbi.xEuxSe/CaF2/Si (111) от содержания европия 60
3.3.1. Построение и особенности рентгеновских дифрактограмм
систем Pbi.^EuxSe/CaFVSi с разным содержанием европия 60
Внедрение европия в буферный слой фторида кальция при эпитаксии европийсодержащих плёнок 63
Микронапряжения в кремниевой подложке 65
Полюсные фигуры для Pbi^EuxSe/CaF2/Si(x=0,00-0,16) 67
3.4. Метод полюсных фигур как информативный метод исследования
многослойных композиций халькогенидов свинца на кремнии 67
3.5. Выводы Главы 3 70
ГЛАВА 4. МОДИФИКАЦИЯ ПЛЁНОК ТЕЛЛУРИДА СВИНЦА ПРИ АНОДНОЙ
ЭЛЕКТРОХИМИЧЕСКОЙ ОБРАБОТКЕ 72
4.1. Особенности электрохимического травления
эпитаксиальных плёнокPbTe/CaF2/Si (111) 72
4.2. Модификация поверхности плёнок теллурида свинца
после анодной электрохимической обработки 77
4.2.1. Морфология поверхности плёнок после обработки
в травителях на основе раствора Норра 77
4.2.2. Особенности поверхности плёнок после обработки
в смеси сульфата никеля и аммиака 79
Структурные параметры плёнок РЬТе после анодирования 84
Изменение элементного состава плёнок после электрохимической обработки 87
Вольтамперные характеристики системы PbTe/CaF2/Si(l 11)/А1
до и после анодирования 89
4.6. Изменение удельного сопротивления плёнок теллурида свинца
при анодировании 92
Оптические свойства плёнок РЬТе после анодирования 95
Гипотеза формирования пористой структуры плёнок
теллурида свинца методом электрохимического травления 96
4.9. Выводы Главы 4 100
ГЛАВА 5. МОДИФИКАЦРІЯ ПОВЕРХНОСТИ ПЛЁНОК ХАЛЬКОГЕНИДОВ СВИНЦА ПРИ ОБРАБОТКЕ В АРГОНОВОЙ ПЛАЗМЕ. МОРФОЛОГИЯ ПОВЕРХНОСТИ ПОСЛЕ КОМПЛЕКСНОЙ
ЭЛЕКТРОХИМИЧЕСКОЙ/ПЛАЗМЕННОЙ ОБРАБОТКИ 102
5.1 Модификация поверхности плёнок халькогенидов свинца
при обработке в аргоновой плазме 102
5.2. Определение скоростей травления плёнок PbTe, PbSe
в индукционной высокоплотной аргоновой плазме.
Влияние содержания европия на скорость травления плёнок
твёрдого раствора Pbi^Eu^Se в аргоновой плазме 103
5.3. Морфология поверхности плёнок PbTe/CaF2/Si (111)
после комплексной электрохимической/плазменной обработки 109
5.4. Анализ экспериментальных результатов изменения морфологии
поверхности плёнок халькогенидов свинца после проведения
комплексной электрохимической/плазменной обработки 111
5.5. Выводы Главы 5 114
ОСНОВНЫЕ РЕЗУЛЬТАТЫ И ВЫВОДЫ 117
СПИСОК ИСПОЛЬЗОВАННЫХ ИСТОЧНИКОВ 119
Введение к работе
Халькогениды свинца PbTe, PbSe, PbS, являющиеся соединениями группы А В , широко применяются при создании оптоэлектронньгх приборов ИК-диапазона и термоэлектрических устройств. Для данных материалов характерны малая ширина запрещённой зоны, высокая подвижность носителей заряда, малые массы электронов и дырок, чрезвычайно высокие значения показателей преломления и статической диэлектрической проницаемости и т. д. Разработка тройных и четверных твёрдых растворов на основе халькогенидов свинца обеспечила их широкое применение в изготовлении многослойных ИК-оптоэлектронных устройств. Легирование халькогенидов свинца примесями III-, IV-, V-, VII- групп и редкоземельными элементами привело к появлению большого ряда новых модифицированных материалов, обладающих уникальными свойствами. Вариация состава, концентрации примеси позволяет управлять такими важными параметрами материалов, как постоянная решётки, ширина запрещённой зоны и показатель преломления, что делает возможным совершенствование приборов, работающих на основе халькогенидов свинца. С появлением требований к повышению уровня интеграции всё больший интерес для исследователей и практиков представляют эпитаксиальные плёнки A1VBVI на Si-подложках, на базе которых создаются монолитные твердотельные матрицы с системой обработки информации.
Несмотря на имеющиеся работы по изучению гетероэпитаксиальных структур AIVBVI/Si, ощущается недостаток информации о структурных параметрах и деформационных явлениях, возникающих в плёнках, выращиваемых без применения и с применением буферных слоев. В результате различия параметров кристаллических решёток, коэффициентов термического расширения материалов плёнок, подложек и буферных слоев в эпитаксиальных композициях возникает комплекс явлений, приводящих к появлению растягивающих и сжимающих напряжений, трещин, дислокаций, оказывающих значительное влияние на свойства гетероэпитаксиальных систем и работу создаваемых приборов. К началу выполнения данной работы практически отсутствовали сведения о структурных параметрах и деформационных явлениях в плёночных системах Pbi-jEuvSe/CaiySi(111) с относительно большими значениями х. Поэтому комплексное исследование структурных характеристик эпитаксиальных плёнок халькогенидов свинца на Si остаётся актуальной материаловедческой задачей.
На сегодняшний день одной из наиболее развивающихся областей является создание структур нанометрового масштаба и формирование на их основе приборов наноэлектроники. Интерес к низкоразмерным материалам вызван тем, что они проявляют совершенно новые свойства, не характерные для объёмных структур. Один из технологических подходов по переходу к нанометровому масштабу заключается в создании пористых объектов, когда при высокой пористости размеры оставшихся после вытравливания элементов кристаллической матрицы могут быть уменьшены до нескольких нанометров. Первым из пористых материалов был детально исследован пористый кремний; вслед за ним были получены и
" ..л a IIIt-.V т-»
описаны пористый германии, пористые материалы соединении А В и А В . Все они создавались анодированием монокристаллических пластин, а параметры пористой структуры определялись условиями электрохимической обработки. К началу выполнения данной работы отсутствовали литературные данные, в которых сообщалось бы об образовании пористой структуры при электрохимическом травлении плёнок халькогенидов свинца. В последнее время появились новые подходы к созданию наноструктурированных халькогенидов свинца при помощи методов плазменного распыления. Исследования в этом направлении представляют важную задачу физической электроники. Поиск путей формирования наноразмерных материалов AIVBVI представляется актуальным, поскольку наноструктурированные халькогениды свинца обладают большими перспективами при создании устройств ИК-диапазона, термоэлектрических приборов, при разработке систем телекоммуникации на длине волны 1,55 мкм и т. д.
Цель работы заключалась в комплексном исследовании морфологических и структурных параметров эпитаксиальных плёнок халькогенидов свинца, выращенных на Si-подложках с буферным слоем CaF2, в исходном состоянии и после проведения операций электрохимического и плазменного травления.
Для достижения поставленной цели в рамках представляемой диссертационной работы требовалось решить следующие задачи:
1. Исследовать с помощью атомно-силовой и электронной микроскопии состояние
поверхности плёнок халькогенидов свинца, выращенных на подложках CaF2/Si (111)
методом молекулярно-лучевой эпитаксии.
2. Определить структурные параметры плёночных систем PbTe/XMVSi (111),
PbSe/CaF2/Si(lll), Pbi.xEu^Se/CaF2/Si (111) (x=0,06-0,16) и многослойных композиций на их
основе методами рентгеноструктурного анализа.
3. Разработать методику анодирования халькогенидов свинца, провести
электрохимическое травление плёнок РЬТе при малых плотностях тока и исследовать
структурные, электрофизические и оптические свойства анодированных образцов.
Исследовать влияние индукционной высокоплотной аргоновой плазмы низкого давления на структуру плёнок РЬТе, подвергнутых предварительно электрохимическому травлению.
Развить модельные представления о процессах, происходящих на поверхности и в объёме плёнок теллурида свинца при электрохимическом и плазменном воздействиях.
Научная новизна работы заключалась в следующем:
1. Впервые показано, что морфология поверхности эпитаксиальных плёнок
Pbi-^EusSe/CaFa/Si (111) при значении х<0,16 характеризуется треугольными наноступенями
высотой 15-20 А и ямками выходов пронизывающих дислокаций.
2. Впервые экспериментально определены величины напряжений, возникающих в
эпитаксиальной системе Pbi-xEuxSe/CaF2/Si (111) при вариации х в интервале от 0,00 до 0,16.
3. Впервые установлено, что электрохимическая обработка системы PbTe/CaF2/Si (111)
в травителях на основе раствора Норра приводит к модификации поверхности и объёма
теллурида свинца, заключающейся в образовании пористой структуры и формировании
микровыступов на поверхности.
4. Впервые проведены исследования двухступенчатой операции анодирования и
плазменной обработки для формирования крупных выступов халькогенидов свинца на
Si-подложках.
Положения, выносимые на защиту:
1. При молекулярно-лучевой эпитаксии плёнок Pbi.^EuxSe (0,06<х<0,16) на подложки
CaF2/Si (111) происходит проникновение европия в буферный слой фторида кальция и
образование твёрдого раствора Са^Еи^.
2. Пронизывающие дислокации в плёнках теллурида свинца являются местом
локализации субмикронных выступов, возникающих на поверхности при анодировании
PbTe/CaFySi (111) в травителях на основе раствора Норра.
3. Комплекс структурных, электрофизических и оптических исследований
свидетельствует об образовании пористой структуры плёнки РЬТе при анодном
электрохимическом травлении системы PbTe/CaF2/Si(lll) в электролитах на основе
раствора Норра при малых плотностях тока (3-15 мА/см ).
4. Анодированные плёнки РЬТе имеют более высокие значения скорости распыления в
аргоновой плазме (до 50 нм/с) по сравнению с монокристаллическими плёнками теллурида
свинца (17,3 нм/с), что объясняется пористой структурой материала.
Практическая ценность диссертационной работы:
1. Предложен способ и разработана методика электрохимической обработки
полупроводников А В ', заключающиеся в применении эпитаксиальных структур на
Si-подложках с тонким (2-4 нм) диэлектрическим слоем CaF2.
2. Показана информативность использования метода построения полюсных фигур при
определении типа эпитаксии и выявлении взаимного расположения кристаллических
решёток сопрягающихся слоев в гетерокомпозициях на основе халькогенидов свинца на Si.
Определены скорости распыления эпитаксиальных систем PbTe/CaF2/Si (111), PbSe/CaF2/Si(lll) и Pbi_^EuxSe/CaF2/Si (111) (x=0,06-0,16), значения которых важны при формировании мезаструктур халькогенидов свинца.
Предложен способ формирования крупных выступов халькогенидов свинца на кремниевых основаниях при последовательном использовании анодной и плазменной обработок.
5. Определены технологические условия формирования пористых структур теллурида
свинца, перспективных для создания приборов наноэлектроники, плотноупакованных
микроэлектронных термоэлектрических преобразователей, люминесцентных устройств и
т.д.
Апробация результатов работы
Результаты диссертационной работы докладывались и обсуждались на: XI-IX международных конференциях "Опто-, наноэлектроника, нанотехнологии и микросистемы" (Ульяновск, 2009, 2008 и 2007 гг.), научно-практической межрегиональной конференции "Квантовые компьютеры, микро- и наноэлектроника (физика, технология, диагностика и моделирование)" (Ярославль, 2008 г.), всероссийской конференции "Кремний-2006" (Красноярск, 2006 г.), IV научно-технической конференции "Материалы и технологии XXI века" (Пенза, 2006 г.), VII-VI всероссийских молодёжных конференциях по физике полупроводников и полупроводниковой опто- и наноэлектронике (Санкт-Петербург, 2005 и 2004 гг.), VIII и VII научных молодёжных школах по твердотельной электронике "Актуальные аспекты нанотехнологии" (Санкт-Петербург, 2005 и 2004 гг.), международной научной школе-конференции "Тонкие плёнки и наноструктуры" (Москва, 2004 г.), XI всероссийской научно-технической конференции студентов и аспирантов "Микроэлектроника и информатика" (Москва (Зеленоград), 2004 г.), всероссийской научной конференции, посвященной 200-летию Ярославского государственного университета им. П.Г.Демидова (Ярославль, 2003 г.), IV международной научно-практической конференции "Теория, методы и средства измерений, контроля и диагностики" (Новочеркасск, 2003 г.).
Достоверность результатов, полученных в данной работе, определяется
применением высокоточных современных экспериментальных методик,
воспроизводимостью результатов, сравнением полученных научных результатов с литературными данными, согласием предложенных моделей с результатами экспериментальных исследований.
Личное участие автора. В диссертации изложены результаты, полученные как лично автором под научным руководством проф. Зимина СП., так и в сотрудничестве с Герке М.Н. и Горлачевым Е.С. (АСМ-исследования), Амировым И.И. (плазменная обработка), Наумовым В.В. (рентгеновские исследования), Бучиным Э.Ю. (электрохимическое травление), Спивак Ю.М. (электронная микроскопия), Симакиньш С.Г. (элементный анализ), Цогом X. (ЕТН, Цюрих) (оптические исследования). Подготовка экспериментов, обработка и интерпретация всех полученных экспериментальных данных, построение зависимостей и физических моделей проводились соискателем самостоятельно. Научным руководителем проф. Зиминым СП. была оказана помощь в планировании экспериментов и построении физических моделей. Гетероэпитаксиальные структуры для исследований были представлены Цогом X., тестовые образцы PbTe(Ga)/BaF2(lll) - Акимовым Б.А. (МГУ, Москва).
Работа выполнялась в рамках гранта Минобразования РФ (проект Е02-3.4-423), Госконтракта 02.513.11.3462 и в рамках Программы "Развитие научного потенциала высшей школы" (проект 2.1.1/466).
Структура и объём работы. Диссертация состоит из введения, пяти глав, выводов и списка литературы и содержит 128 страниц, 66 рисунков, 10 таблиц, 48 формул. Список использованных источников включает 130 наименований.
В первой главе диссертации приводится описание основных свойств и приборного применения бинарных соединений и твёрдых растворов на основе халькогенидов свинца. Обсуждаются вопросы по созданию плёночных композиций с заданными свойствами. Даётся описание свойств наноструктурированных халькогенидов свинца, создания на их основе приборов наноэлектроники. Освещаются существующие методы формирования пористых полупроводников.
Во второй главе даётся характеристика исследованных образцов. Описываются режимы анодирования и плазменной обработки плёнок халькогенидов свинца. Приводятся основные параметры технического оборудования и режимы методик, использованных для анализа исследованных материалов.
Третья глава посвящена исследованию морфологических и структурных характеристик плёночных систем PbTe/CaFVSi (111), PbSe/CaFVSi (111) и
Pbi.xEu^Se/CaF2/Si (111) =0,06-0,16) и многослойных композиций на примере образца PbSe/Pbi.j:Eu^Se/BaF2/Pbi.xEuxSe/CaF2/Si(lll) (х=0,06). Приводится описание взаимного расположения кристаллических решёток сопрягающихся слоев исследуемых систем.
В четвёртой главе рассматриваются возможность и особенности проведения анодирования плёнок PbTe/CaF2/Si (111), связанные с присутствием в эпитаксиальной композиции буферного слоя CaF2, являющегося диэлектриком. Описываются и сравниваются результаты электрохимического травления плёнок РЬТе в разных электролитах. Проводится комплексное исследование морфологических, структурных, электрофизических и оптических свойств анодированных объектов. Выдвигается гипотеза об образовании пористого слоя РЬТе.
В пятой главе на примере плёнок РЬТе осуществляется модификация поверхности при обработке в высокоплотной аргоновой плазме низкого давления. Приводятся результаты определения скоростей распыления плёнок РЬТе, PbSe и Pbi-xEuxSe (х=0,06-0,16). Описывается влияние содержания европия на скорость травления в плазме плёнок твёрдого раствора Pbi.^EurSe. Даётся характеристика результатов травления анодированных плёнок РЬТе в аргоновой плазме. Приводится подтверждение образования пористой плёнки РЬТе на эпитаксиальных композициях PbTe/CaF2/Si (111) при электрохимическом травлении плёнок AIVBV1. Предложен модельный ряд, отображающий состояние систем PbTe/CaFVSi (111) после проведения электрохимической и плазменной обработок, а также после совместного применения этих операций.
Результаты диссертации опубликованы в работах:
1. ZiminS.P., Bogoyavlenskaya Е.А., BuchinE.Yu., PetrakovЛ.Р., ZoggH., Zimin D.
Formation of porous nanostructured lead telluride films by an anodic electrochemical etching
method II Semicond. Sci. and Technol. 2009. Vol. 24. P. 105008 (6pp).
Зимин СИ, Горлачев E.C., Богоявленская Е.А., Амиров И.И. Влияние европия на скорость распыления эпитаксиальных пленок PbuvEu^Se в аргоновой плазме // Вестн. Помор, ун-та. Сер. "Естественные науки". 2008. Вып. 4. С. 64-68.
Zimin S.P., Bogoyavlenskaya Е.А., Gorlachev E.S., Naumov V. V., Zimin D.S., Zogg H., Arnold M. Structural properties of РЬ^Еи^е/СаРг/вЦШ) II Semicond. Sci. and Technol. 2007. Vol. 22. P. 1317-1322.
Богоявленская E.A., Зимин СП. Изучение кристаллов и пленочных структур A1VBVI методом полюсных фигур // Известия вузов. Материалы электронной техники. 2007. № 2. С. 67-71.
5. Зимин СП., Богоявленская Е.А., Горлачев Е.С, Васин В.М. Особенности
микрорельефа поверхности пленок РЬТе после анодирования // XI международная
конференция "Опто-, наноэлектроника, нанотехнологии и микросистемы": сб. науч. тр. Ульяновск: УлГУ, 2009. С. 134.
6. Зимин СП., Богоявленская Е.А., Бучин Э.Ю., Симакин СТ., Васин В.М. ВИМС-
исследования анодированных пленок РЬТе // Научно-практическая межрегиональная
конференция "Квантовые компьютеры, микро- и наноэлектроника (физика, технология,
диагностика и моделирование)": сб. науч. тр. Ярославль: ЯрГУ, 2008. С. 39-45.
7. Зимин СП., Васин В.М., Богоявленская Е.А., Бучин Э.Ю., Ашхотов ОТ. Изменение
соотношения атомов свинца и теллура в объеме анодированных пленок теллурида свинца //
X международная конференция "Опто-, наноэлектроника, нанотехнологии и микросистемы":
сб. науч. тр. Ульяновск: УлГУ, 2008. С. 163.
8. Зимин СП, Богоявленская Е.А., КокановД.А., Бучин Э.Ю. Исследование
модификации поверхности эпитаксиальных структур PbTe/CaF2/Si после анодирования // IX
международная конференция "Опто-, наноэлектроника, нанотехнологии и микросистемы":
сб. науч. тр. Ульяновск: УлГУ, 2007. С. 149.
9. Зимин СП., Богоявленская Е.А., Наумов В.В. Возможности метода полюсных фигур
для описания кристаллического строения эпитаксиальных пленок на кремнии // III
Российское совещание по росту кристаллов и плёнок и исследованию их физических свойств
и структурного совершенства "Кремний-2006": сб. науч. тр. Красноярск, 2006. С. 46.
Зимин СП., Горлачев Е.С., Богоявленская Е.А., Бучин Э.Ю., АмировИ.И. Модификация эпитаксиальных пленок А4В6 на кремнии при анодировании и плазменной обработке // III Российское совещание по росту кристаллов и плёнок и исследованию их физических свойств и структурного совершенства "Кремний-2006": сб. науч. тр. Красноярск, 2006. С. 44.
Зимин СП., ГорлачевЕ.С, БогоявленскаяЕ.А., Бучин Э.Ю., АмировИ.И., Нестеров СИ, Герке М.Н., ZoggН., ZiminD. Модификация поверхности теллурида свинца при обработке в аргоновой плазме // IV научно-техническая конференция "Материалы и технологии XXI века": сб. науч. ст. Пенза: Приволжский Дом знаний, 2006. С. 26-29.
12. Богоявленская Е.А. Деформационные явления в пленках Pbi_xEuxSe (х=0,00-0,16) //
VII всероссийская молодёжная конференция по физике полупроводников и
полупроводниковой опто- и наноэлектронике: сб. науч. тр. СПб.: СПбГПУ, 2005. С. 19.
13. Богоявленская Е.А. Структурные параметры пленок Pbi.xEuxSe на кремнии //
Актуальные проблемы физики: сб. науч. тр. молодых учёных, аспирантов и студентов.
Ярославль: ЯрГУ, 2005. Вып. 5. С. 52-59.
Богоявленская Е.А. Исследование пленок Pbi_xEuxSe методом рентгеновской дифрактометрии // VIII научная молодёжная школа по твердотельной электронике "Актуальные аспекты нанотехнологии": сб. науч. тр. СПб.: СПбГЭТУ "ЛЭТИ", 2005. С. 29.
Богоявленская Е.А., ZiminD.S. Изменение параметров пленок РЬТе после анодирования // VII научная молодёжная школа по твердотельной электронике "Физика и технология микро- и наноструктур": сб. науч. тр. СПб.: СПбГЭТУ "ЛЭТИ", 2004. С. 24.
Богоявленская Е.А., Зимин СП. Анодирование эпитаксиальных структур PbTe/CaTVSi // VI всероссийская молодёжная конференция по физике полупроводников и полупроводниковой опто- и наноэлектронике: сб. науч. тр. СПб.: СПбГПУ, 2004. С. 39.
Зимин СП., Богоявленская Е.А., Бунин Э.Ю., Наумов В.В., Герке М.Н., Фаткулин Е.Р., Зимин Д.С. Особенности структурных параметров эпитаксиальных пленок РЬТе после анодирования // Международная научная школа-конференция "Тонкие плёнки и наноструктуры INTERMATIC-2004": сб. науч. тр. М.: МИРЭА, 2004. Т. 3. С. 42-45.
Богоявленская Е.А. Изменение межплоскостных расстояний в пленках теллурида свинца после электрохимической обработки // XI всероссийская межвузовская научно-техническая конференция студентов и аспирантов "Микроэлектроника и информатика": сб. науч. тр. М: МИЭТ, 2004. С. 39.
Баклан А.В., Богоявленская Е.А., Зимин СП., Наумов В.В. Анализ совершенства кристаллической структуры модифицированных сплавов халькогенидов свинца с помощью рентгеновской дифрактометрии // Всероссийская научная конференция, посвященная 200-летию Ярославского государственного университета им. П.Г.Демидова: сб. науч. тр. Ярославль: ЯрГУ, 2003. С. 33-37.
Баклан А.В., Богоявленская Е.А., Зимин СП., Наумов В.В. Программа для анализа рентгеновских дифрактограмм кристаллов // IV международная научно-практическая конференция "Теория, методы и средства измерений, контроля и диагностики": сб. науч. тр. В 3 ч. Новочеркасск: ЮРГТУ, 2003. Ч. 2. С. 4-7.
