Содержание к диссертации
Введение 4
1. Особенности неупругого рассеяния электронов кристаллическими и аморфными
телами 13
Экспериментальная установка и методика исследований 13
Обратное рассеяние и глубина формирования контраста на картинах кана-лирования электронов 14
Неупругое отражение электронов от слоистой системы платина-кремний.... 18
Основные результаты и выводы 22
2. Анизотропия обратного рассеяния электронов и дифракционные параметры для
центро- и нецентросимметричных кристаллов 32
Определение параметров дифракционного каналирования электронов по спектрам потерь энергии в обратном рассеянии 32
Динамическая теория дифракции электронов и концепция единого поглощения волнового поля в кристалле 40
Влияние нецентросимметричности кристаллической решетки на картины каналирования электронов 46
Основные результаты и выводы 54
3. Обобщенная теория дифракции электронов на колеблющейся решетке кристалла... 61
3.1. Решеточное рассеяние электронов для произвольных амплитуд и выбороч
ных длин волн колебаний 62
Структурный фактор и структурная функция рассеяния при целочисленной длине волны колебания в единицах межплоскостного расстояния 63
Однократное рассеяние в малоамплитудном приближении 64
Кратное рассеяние в малоамплитудном приближении 66
Оценка структурной функции рассеяния в высокоамплитудном длинноволновом приближении 67
Аналитическая аппроксимация структурной функции 69
3.2. Решеточное рассеяние электронов для любых амплитуд и длин волн коле
баний 70
3.2.1 Обобщение структурной функции рассеяния на все возможные
длины волн колебаний 71
3.2.2. Аналитическое описание структурной функции рассеяния 72
3.3. Тепловое рассеяние при дифракции электронов на кристалле 74
Тепловые колебания и усредненное электрон-фононное рассеяние... 74
Оценка усредненной структурной функции в малоамплитудном приближении 76
Усредненная структурная функция в высокоамплитудном приближении 78
3.4. Обобщение фононного рассеяния электронов на трехмерный случай 79
Структурный фактор рассеяния для произвольной амплитуды колебаний 80
Тепловое усреднение колебаний 83
Особая роль фононного рассеяния в ослаблении дифракционных эффектов.. 87
Основные результаты и выводы 89
4. Теория дифракции электронов на мягком кристаллическом потенциале 95
Модель суперпозиции жестких атомных потенциалов и ее ограничения 95
Задачи дифракции для ряда моделей кристалла 97
Металл, модель дискретных плоскостей в электронном газе 97
Металл, модель «уширенных» ионных плоскостей в электронном
газе 98
Неполярный диэлектрик (полупроводник), модель ионных плоскостей, непроницаемых для электронов 101
Неполярный диэлектрик (полупроводник), модель «уширенных» ионных плоскостей и связанных с ними электронов 102
Полярный диэлектрик, модель гармонически деформируемого «электронного желе» 104
Полупроводник или диэлектрик, модель упругого «электронного желе» с размытыми ступенями плотности при деформации 106
Обсуждение результатов и сравнение с экспериментом 108
Основные результаты и выводы 116
Заключение 125
Литература 127
Приложения 131
Введение к работе
Среди многих частиц и излучений, чье взаимодействие с твердым телом используется для изучения его структуры и свойств, а также для их изменения, свое особое место занимают пучки ускоренных электронов. В большой степени это связано с простотой их получения, экстремально малой массой среди частиц и, как следствие этого, хорошими дифракционными свойствами при взаимодействии с кристаллами. Со времени обнаружения таких свойств у электрона Дэвиссоном и Джермером в 1927 г. прошло уже прочти три четверти века, однако до сих пор не иссякает как научный, так и прикладной интерес к дифракции электрона на кристаллической решетке. Дифракционные методы анализа, использующие пучки электронов средних энергий от одного до нескольких сотен кэВ в настоящее время позволяют получать самую разнообразную информацию о локальной структуре и элементном составе конденсированных сред. Уникальная возможность получения остросфокусированных пучков в сочетании с простотой регистрации рассеянных электронов позволили создать ряд методов изучения структуры с атомным разрешением. Процессы, разыгрывающиеся в кристалле при попадании туда быстрых электронов (с энергиями выше нескольких десятков электровольт, т.е. выше энергий собственных, твердотельных электронов), многообразны и приводят к изменениям как состояния твердого тела, так и самого пучка электронов. Происходит упругое и неупругое рассеяние электронов, их отражение от кристалла, поглощение и частичное прохождение в случае тонких кристаллов, а также их дифракция на кристаллической решетке. Большинство из этих аспектов взаимодействия электронов достаточно глубоко разработаны, что привело к созданию многих полезных методов диагностики твердых тел с помощью электронных пучков. В настоящее время из наиболее известных можно назвать просвечивающую и сканирующую электронные микроскопии, электронно-зондовый рентгеновский микроанализ, электронную Оже-спектроскопию, метод дифракции медленных электронов и многие другие. Существует огромная научная литература по применениям этих методов и их физическим основам. Многие из этих методов основаны на взаимодействии электронов с кристаллами или используют его, другие, в большинстве случаев, должны учитывать такое взаимодействие при анализе кристаллических объектов. Физические основы дифракционных методов и их практическая реализация описаны во многих монографиях, обзорах и даже учебниках. Одной из лучших книг - наиболее часто цитируемой является книга Хирша с сотрудниками [1], которую смело можно назвать настольной книгой специалистов по электронной микроскопии и дифракции электронов. Существуют и другие монографии и обзоры [2-6], где отражены результаты более поздних исследований.
Несмотря на глубокую историю и широкий фронт исследований в этой области, далеко не все аспекты физики взаимодействия электрона с кристаллом ясны и прозрачны. Существует ряд трудно интерпретируемых и необъясненных, «аномальных» явлений и контрастов в электронной микроскопии и электронной дифракции. И, если с геометрией картин дифракции или картин каналирования электронов сложностей обычно не возникает, то количественное описание их интенсивности и контраста часто превращается в сложную, а иногда и нерешенную до сих пор проблему. Связано это с многообразным и значительно более сильным по сравнению, например, с нейтронами и рентгеновскими лучами, неупругим взаимодействием электронов с кристаллом. Неупругое рассеяние электронов в ряде случаев приводит к ослаблению, размыванию и исчезновению дифракционных контрастов, в других случаях оно само является источником таких контрастов, как, например, в обратном рассеянии. Каналов же неупругого рассеяния электронов в кристалле несколько, и не все они достаточно хорошо изучены. Не до конца ясна роль когерентного рассеяния в формировании полного неупругого отражения электронов кристаллом, а также особенности такого рассеяния в случае нецентросимметричных кристаллов. Все это определяет актуальность исследований, представленных в диссертации.
Цель настоящей работы, в общем виде, направлена на выявление и объяснение новых закономерностей явления дифракции электронов в кристалле и влияния на них основных неупругих процессов рассеяния. Если рассматривать общую цель более подробно, то она распадается на ряд конкретных задач, основные из которых могут быть сформулированы следующим образом:
выявление особенностей интегрального неупругого отражения электронов аморфными и кристаллическими телами, а также для пленочных неоднородных систем;
разработка способов получения информации о дифракционных параметрах по отклику кристалла на облучение его электронами;
развитие новых представлений о механизмах поглощения когерентного волнового поля электрона в кристалле;
развитие теоретических представлений о дифракции электронов в кристалле для любых амплитуд колебаний атомов и с применением более реалистичного описания кристаллического потенциала.
Научная новизна диссертационной работы состоит, в основном, в следующем: 1. Установлено, что усредненный, фоновый коэффициент неупругого отражения электронов кристаллом кремния существенно ниже, чем для аморфного кремния, что является следствием перекачки упругого атомного рассеяния электронов в канал решеточного ди-
фракционного рассеяния и приводит к ослаблению углового рассеяния пучка, увеличению его проникающей способности и уменьшению обратного выхода.
Установлены зависимости неупругого отражения от энергии электронов в диапазоне 1-80 кэВ для пленочных систем платина на кремнии в диапазоне толщин пленок 16 - 150 нм, а также для объемных кремния и платины.
Получено прямое доказательство ослабления ориентационных эффектов (эффекта каналирования электронов) в тонкой приповерхностной области кристалла (z < 0,1 для средних энергий электронов, подтверждающее правильность концепции единого когерентного волнового поля, формируемого в результате интерференции блоховских волн.
Предложен метод определения параметров дифракционного каналирования электронов в кристалле (абсорбционной и экстинкционной длин, толщины приповерхностного «неактивного» слоя и т.д.), основанный на анализе ориентационного контраста серии пиков плазмонных потерь в энергетических спектрах обратного рассеяния. Определены такие параметры для Si(l 11) в случае различных ориентации и энергий первичных электронов.
Предложена модель поглощения когерентного волнового поля в динамической теории дифракции без использования мнимой добавки к потенциалу. Выводы этой теории не противоречат имеющимся в литературе экспериментальным фактам, а в ряде случаев описывают их лучше, чем обычная теория с независимым поглощением блоховских волн.
В рамках двухволнового приближения динамической теории единого поглощения получено решение проблемы дифракции на нецентросимметричном кристалле, которая обычной теорией с мнимыми добавками к потенциалу не решалась. В частности, наблюдаемая в эксперименте асимметрия кривых качания в обратном рассеянии достаточно хорошо описывается предлагаемой теорией с поглощением, учитывающим неупругое рассеяние электронов на оболочечных электронах, фононах и плазмонах.
Получено точное аналитическое решение проблемы кинематической дифракции электронов на кристалле для любых амплитуд колебаний, т.е. вне рамок малоамплитудного приближения теории возмущений. Новая обобщенная теория удовлетворяет принципу соответствия: из нее вытекают предельные асимптотики для высокоамплитудного и малоамплитудного приближений, последний случай совпадает с общепринятой трактовкой кинематической дифракции.
В рамках этой теории решена проблема «длинноволновой катастрофы», то есть расходимости в малоамплитудном приближении для сечения электрон-фононного рассеяния вблизи брэгговских узлов обратной решетки. При приближении к такому узлу (когда волновой вектор фонона g—»0) и справа и слева сечение процессов переброса достигает максимума и затем, осциллируя, падает до нуля в узле. Интенсивность брэгговского рефлекса при этом,
также, осциллируя, падает до нуля. Подобным образом ведут себя и сечения кратных порядков фононного рассеяния. Все это приводит после усреднения по тепловым колебаниям к появлению диффузного фона вокруг узлов обратной решетки и кажущемуся уширению
9 1/9 9 1/9
(пропорционально температуре) брэгговских рефлексов до ширины &2
9. Проведено обобщение новой теории на трехмерный случай. Получен в аналитиче
ской форме обобщенный структурный фактор, описывающий как брэгговское и фононное
рассеяние различных порядков, так и межфононное, а также обобщенный фактор ослабления
рефлексов, который после усреднения в малоамплитудном приближении переходит в фактор
Дебая-Уоллера.
Электрон-фононное рассеяние, также как и брэгговское, имеет дифракционную природу и также является когерентным и нелокализованным. Его интенсивность также определяется свойствами кристалла и не зависит от свойств излучения, например, от энергии электронов. "Некогерентность" фононного рассеяния проявляется лишь в том, что оно выводит электроны из брэгговского волнового поля, а за счет широкого спектра колебаний и статистического характера возбуждений создает непрерывный, почти диффузный, фон в рассеянии. С ростом энергии электронов доля фононного рассеяния в поглощении брэгговского волнового поля увеличивается, т.к. другие неупругие процессы рассеяния (на оболочечных электронах и плазмонах) в этом случае ослабевают.
Разработана кинематическая теории дифракции электронов на кристалле, основанная на концепции мягкого (деформационного) потенциала. В ее рамках, в отличие от общепринятой модели жестких атомных потенциалов, учитывается влияние упругих смещений и деформаций распределенной ионной и электронной зарядовых плотностей при возникновении продольных колебаний в кристалле.
Решения для спектра электрон-фононного рассеяния, полученные в рамках модели мягкого потенциала и однофононного приближения, содержат особенности в виде разрывов первого рода и ступеней на границах зон Бриллюэна. Эти особенности деформационной природы являются следствиями упругой деформируемости распределенной ионной и электронной подсистем. В случае упругой деформации непрерывно распределенной ионной зарядовой плотности (из-за теплового уширения плоскостей в металлах, полупроводниках и диэлектриках) они проявляются как ступенчатый фактор Дебая-Уоллера, усиливающий подавление спектра с ростом номера зоны. При деформации связанной электронной плотности (в полупроводниках и диэлектриках) появляется ступенчатый фактор, который наоборот, усиливает подавление спектра с уменьшением номера зоны. В электронной микроскопии найдены экспериментальные доказательства существования первого из этих эффектов - эффекта деформационно-ионного подавления рассеяния в старших зонах.
Совокупность полученных в работе результатов закладывает основы двух научных направлений исследований:
физика дифракции на интенсивно колеблющихся решетках;
физика дифракции на неоднородно и непрерывно деформируемых решетках.
Практическая значимость работы определяется, с одной стороны, тем, что в ее результате создан целый ряд методик, методов и способов, позволяющих по-новому приготавливать объекты исследований, получать новые данные об их структуре и свойствах или уточнять такие данные. Из основных методик можно отметить следующие:
методика приготовления образцов кремния с внутренним, «захороненным» аморфным слоем и достаточно совершенным приповерхностным монокристаллическим слоем;
метод определения толщин разнородных пленок на объемных подложках из анализа зависимостей коэффициента неупругого отражения электронов от энергии зондирующих электронов;
способ определения направления полярной оси в нецентросимметричных кристаллах из анализа кривых качания в обратном рассеянии электронов, защищенный авторским свидетельством (в соавторстве с В.В.Макаровым);
метод определения дифракционных параметров монокристаллов из анализа ориента-ционных зависимостей характеристических потерь энергии в энергетических спектрах обратного рассеяния (в соавторстве с В.В.Макаровым).
С другой стороны, в результате работы разработаны и предложены новые концепции и физические модели, раздвигающие рамки наших познаний о свойствах твердых тел и их взаимодействия с ускоренными электронами. Это позволяет сейчас или в будущем, получать новую, необходимую исследователям информацию. К основным из таких моделей и теоретических разработок можно отнести следующие:
- модель единого поглощения когерентного волнового поля при динамической дифрак
ции электронов, не противоречащая основным экспериментальным наблюдениям и позво
ляющая описывать асимметрию кривой качания в обратном рассеянии для нецентросиммет
ричных кристаллов, и пригодная для получения информации о потенциале и процессах не
упругого рассеяния в кристаллах;
теоретическая разработка проблемы дифракции в условиях интенсивных колебаний решетки, которая позволяет оценить и предсказать поведение брэгговских отражений и их колебательных сателлитов в случае любых амплитуд колебаний для излучений и решеток любой природы;
концепция мягкого (деформационного потенциала), позволяющая дать более адекватную интерпретацию многих контрастов и явлений, наблюдаемых в различных типах электронной дифракции и электронной микроскопии (например, получить оценку анизотропии
фононных мод в кристалле), также пригодна для любых излучений и непрерывно деформируемых решеток любой природы.
Положения, выносимые на защиту:
Усредненный по углам, фоновый коэффициент неупругого обратного рассеяния электронов кристаллом существенно ниже, чем для аморфного тела того же состава.
Метод определения дифракционных параметров объемных кристаллов из анализа спектров характеристических потерь энергии электронов в обратном рассеянии.
Модель единого поглощения, базирующаяся на динамической теории дифракции и учитывающая неоднородное по ячейке распределение вероятности неупругого рассеяния электронов. Она позволяет оценивать дифракционные параметры из контраста картин кана-лирования электронов и объясняет асимметрию таких картин для нецентросимметричных кристаллов.
Теория кинематической дифракции электронов на кристаллической решетке в присутствии колебаний любой амплитуды, т.е. вне рамок обычно используемого малоамплитудного приближения теории возмущений, и основные следствия из нее. Её обобщение на трехмерный случай и учет усреднения по тепловым колебаниям.
Теория дифракции электронов на мягком кристаллическом потенциале и следствия из нее. Основным следствием является появление разрывов первого рода и ступеней на границах зон Бриллюэна в фононном спектре рассеяния для металлов, полупроводников и диэлектриков из-за перераспределения непрерывной ионной и электронной зарядовой плотностей в кристалле при его упругой деформации продольными гармоническими колебаниями.
Публикации и апробация работы
По теме диссертации опубликовано 36 печатных работ. Основное содержание отражено в 28 работах, 1 учебном пособии и 1 авторском свидетельстве.
1*. Аброян И.А., Подсвиров О.А. Глубина формирования обратного отражения электронов от монокристалла кремния. //Письма в ЖТФ, т.7, №3, с. 181,1981.
2*. Подсвиров О.А. Компенсационный метод измерения слабомодулированных сигналов. //Физическая электроника, Труды ЛПИ, №356, с.108, 1977.
3*. Аброян И.А., Подсвиров О.А., Ильин И.А. Об измерении толщин аморфных слоев методом обратного рассеяния электронов. //Известия АН СССР, сер. физическая, т.43, №3, с.626, 1979.
4*. Аброян И.А., Подсвиров О.А., Сидоров А.И., Титов.А.И. Влияние аморфной пленки кремния на анизотропию неупругого отражения электронов от монокристалла кремния. //Письма в ЖТФ, т.5, №21, с. 1287, 1979.
5*. Аброян И.А., Подсвиров О.А., Титов.А.И. О возможности восстановления профиля структурных нарушений методом обратного рассеяния электронов. //Письма в ЖТФ, т.6, №1, с.14, 1980.
6*. Подсвиров О.А., Кузнецов Ю.А. Вклад медленных электронов в анизотропию неупругого отражения. //Физика твердого тела, т.22, № 6, с. 1676, 1980.
7*. Аброян И.А., Подсвиров О.А. Особенности рассеяния электронов кристаллическими и аморфными телами. //IX Всесоюзное совещание по физике взаимодействия заряженных частиц с кристаллами. Тез. докл. М., изд. МГУ, с.100, 1981.
8*. Подсвиров О.А., Макаров В.В., Титов А.И. Измерение толщин аморфных и кристаллических слоев с помощью обратного рассеяния электронов. /ЛИ Всесоюзный симпозиум по растровой электронной микроскопии и аналитическим методам исследования твердых тел. Тез. докл. М., изд. ИКАН, с.19,1981.
9*. Аброян И.А., Подсвиров О.А. Особенности рассеяния электронов кристаллическими и аморфными телами. //Труды XI Всесоюзного совещания по физике взаимодействия заряженных частиц с кристаллами, М., изд. МГУ, с.422,1982.
10*. Подсвиров О.А., Макаров В.В., Титов А.И. Измерение толщины аморфных и кристаллических слоев с помощью обратного рассеяния электронов. /Поверхность. Физика, химия, механика, т.2, № 11, с.87,1982.
11*. Артемьев В.П., Макаров В.В., Петров Н.Н., Подсвиров О.А. Исследование канали-рования электронов в монокристалле по спектрам неупругих потерь в обратном рассеянии. //II Всесоюзная конференция по излучению релятивистских частиц в кристаллах. Тез. докл., Нальчик, изд. КБГУ, с. 26, 1983.
12*. Артемьев В.П., Макаров В.В., Петров Н.Н., Подсвиров О.А. Определение параметров дифракционного каналирования электронов в монокристаллах по энергетическим спектрам обратного рассеяния. //Физика твердого тела, т.25, № 3, с.684,1983.
13*. Артемьев В.П., Макаров В.В., Петров Н.Н., Подсвиров О.А. Исследование каналирования электронов в монокристалле по спектрам неупругих потерь в обратном рассеянии. //XIV Всесоюзное совещание по физике взаимодействия заряженных частиц с кристаллами. Тез. докл., М., изд. МГУ, с.55,1984.
14*. Аброян И.А., Подсвиров О.А., Котов А.В., Титов.А.И. Неразрушающий электрон-но-зондовый анализ распределения структурных нарушений по глубине. //Оптоэлектроника и полупроводниковая техника, №10, с.51, 1986.
15*. Макаров В.В., Подсвиров О.А. Влияние нецентросимметричности кристаллической решетки на картины каналирования электронов. //Письма в ЖТФ, т. 12, № 8, с.501, 1986.
16*. Макаров В.В., Подсвиров О.А. О природе асимметрии картин каналирования электронов от нецентросимметричных кристаллов. //XVII Всесоюзное совещание по физике взаимодействия заряженных частиц с кристаллами. Тез. докл., М., изд. МГУ, с.22,1987.
17*. Аброян И.А., Подсвиров О.А., Хлебалкин А.В., Титов А.И. Формирование разупо-рядоченных слоев с резкими границами в облученном ионами кремнии. //Тез. докл. Всесоюзной конференции «Ионно-лучевая модификация материалов», Черноголовка, с.218, 1987.
18*. Макаров В.В., Подсвиров О.А. Способ неразрушающего определения направления полярной оси в нецентросимметричных кристаллах. Авторское свидетельство СССР № 1374106 от 15.10.87 опуб. БИ, №6, с.176, 1988.
19*. Podsvirov O.A. Electron diffraction on crystal deformation potential. Book of Abstracts, //Proceedings of the IV-th All-Union Conference on Interaction of Radiation with Solids, Moscow, p. 143, 1990.
20*. Подсвиров O.A. Дифракционное рассеяние электронов на жестком кристаллическом потенциале. //XXIII Межнациональное совещание по физике взаимодействия заряженных частиц с кристаллами. Тез. докл., М., изд. МГУ, с.21,1993.
21*. Подсвиров О.А. Многофононное рассеяние быстрых электронов при дифракции на жестком кристаллическом потенциале. //XXIV Межнациональное совещание по физике взаимодействия заряженных частиц с кристаллами. Тез. докл., М., изд. МГУ, с.60,1994.
22*. Подсвиров О.А. Особенности фононного рассеяния электронов при дифракции на металлическом и диэлектрическом кристаллах. //XXV Международная конференция по физике взаимодействия заряженных частиц с кристаллами. Тез. докл., М., изд. МГУ, с.51, 1995.
23*. Подсвиров О.А. Обратное рассеяние электронов тонкими пленками платины на кремнии. //Российская научно-техническая конференция «Инновационные наукоемкие технологии для России». Тез. докл., С.-Петербург, изд. СПбГТУ, с.67, 1995.
24*. Подсвиров О.А. Особенности фононного рассеяния электронов при дифракции на кристаллическом деформационном потенциале. //Российская научно-техническая конференция «Инновационные наукоемкие технологии для России». Тез. докл., С.-Петербург, изд. СПбГТУ, с.68, 1995.
25*. Подсвиров О.А. Деформационное рассеяние электронов при дифракции на тонком кристалле. //Структура и свойства кристаллических и аморфных материалов. Тез. докл. научи, конф., Н. Новгород, изд. ННГУ, с. 170-171, 1996.
26*. Подсвиров О.А. Дифракция электронов на кристалле с акустическими колебаниями. Учебное пособие. С.-Петербург, изд. СПбГТУ, 1996, 58 стр.
27*. Подсвиров О.А. Фононное рассеяние электронов кристаллом при ориентации пучка вблизи брэгговских положений. //XXVI Международная конференция по физике взаимодействия заряженных частиц с кристаллами. Тез. докл., М., изд. МГУ, с.63, 1996.
28*. Подсвиров О.А., Гусев С.А. О природе некоторых контуров и Кикучи полос в просвечивающей электронной микроскопии. //XVI Российская конференция по электронной микроскопии. Тез. докл., Черноголовка, с.46,1996.
29*. Подсвиров О.А. Особенности фононного рассеяния при дифракции электронов на колеблющейся решетке кристалла. //Физика твердого тела, т.39, № 1, с. 18, 1997.
30*. Подсвиров О.А., Карасев П.А., Грачев Б.Д. Учет теплового рассеяния для кривых качания при прохождении электронов через тонкие кристаллы. //XXVII Международная конференция по физике взаимодействия заряженных частиц с кристаллами. Тез. докл., М., изд. МГУ, с.31,1997.
31*. Podsvirov О.А., Grachev B.D. The role of electronphonon scattering in production of absorbtion bands in electron microscopy, international Workshop on new approaches to Hi-tech materials 97 "Nondestructive Testing and Computer Simulations in Materials Science and Engineering". Abstracts, St. Petersburg, Russia, B5, 1997.
32*. Podsvirov O.A., Karaseov P.A. Computer simulation of the electron diffraction on the soft crystal potential. //International Workshop on new approaches to Hi-tech materials 97 "Nondestructive Testing and Computer Simulations in Materials Science and Engineering". Abstracts, St. Petersburg, Russia, B6, 1997.
33*. Подсвиров О.А., Карасев П.А., Грачев Б.Д. Учет теплового рассеяния для кривых качания при прохождении электронов через тонкие кристаллы. //Поверхность, № 5, с. 71, 1998.
34*. Podsvirov О.A. Role of electron-phonon scattering in production of absorbtion bands in electron microscopy. //Proceeding of SPIE, v. 3345, p.l 12, 1998.
35*. Podsvirov O.A., Karaseov P.A., Grachev B.D. Computer simulation of electron diffraction on the soft crystal potential. //Proceeding of SPIE, v.3345, p.l 18,1998.
36*. Подсвиров O.A., Карасев П.А., Грачев Б.Д. Ориентационные эффекты и поглощение электронов при их прохождении через тонкий кристалл. //XXVIII Международная конференция по физике взаимодействия заряженных частиц с кристаллами. Тез. докл., М., изд. МГУ, с.29, 1998.
Основные результаты работы докладывались и обсуждались на:
III Всесоюзном симпозиуме по растровой электронной микроскопии и аналитическим методам исследования твердых тел (Москва, 1981); II Всесоюзной конференции по излучению релятивистских частиц в кристаллах (Нальчик, 1983); XI, XIV и XVII Всесоюзных совещаниях по физике взаимодействия заряженных частиц с кристаллами (Москва, 1981, 1984 и 1987); Всесоюзной конференции по ионно-лучевой модификации материалов (Черноголовка, 1987); IV All-Union Conference on Interaction of Radiation with Solids (Moscow, 1990); XXIII и XXIV Межнациональных совещаниях по физике взаимодействия заряженных частиц с кристаллами (Москва, 1993, 1994); Российской научно-технической конференции «Инновационные наукоемкие технологии для России» (С.-Петербург, 1995); Российской конференции по структуре и свойствам кристаллических и аморфных материалов (Н. Новгород, 1996); XVI Российской конференции по электронной микроскопии (Черноголовка, 1996); International Workshop on new approaches to Hi-tech materials 97 "Nondestructive Testing and Computer Simulations in Materials Science and Engineering" (St. Petersburg, 1997); XXV, XXVI, XXVII и XXVIII Международных конференциях по физике взаимодействия заряженных частиц с кристаллами (Москва, 1995, 1996, 1997 и 1998).
Структура її объем диссертационной работы. Диссертация состоит из введения, четырех глав, заключения, списка литературы и двух приложений. В начале каждой главы или параграфа кратко излагается состояние соответствующей проблемы и, если требуется, краткое описание методики эксперимента. В заключение каждой из глав приводится сводка основных результатов и выводов. Диссертация содержит 142 страницы, в том числе 120 страниц текста, 3 таблицы и 43 рисунка. Список литературы включает 105 наименований.
