Содержание к диссертации
ОСНОВНЫЕ ОБОЗНАЧЕНИЯ И СОКРАЩЕНИЯ 5
ВВЕДЕНИЕ 10
ГЛАВА 1. ОСОБЕННОСТИ ОСАЖДЕНИЯ И КОНТРОЛЯ ПЛЕНОЧНЫХ ОКСИДНЫХ СТРУКТУР (обзор литературы) 18
1.1. Области применения 18
1.2. Особенности технологии осаждения оксидных пленок методом реактивного распыления 19
1.3. Модели процесса реактивного распыления 24
1.3.1. Частные изотермические модели 24
1.3.2. Общая изотермическая модель 27
1.4. Оптические методы контроля оксидных пленок 31
1.4.1. Спектры отражения и пропускания оксидных пленок 31
1.4.2. Аналитическое описание спектров 34
1.5. Электрические методы контроля оксидных пленок 39
Выводы и постановка задач диссертационного исследования 43
ГЛАВА 2. ОСАЖДЕНИЕ ОКСИДНЫХ ПЛЕНОК МЕТОДОМ РЕАКТИВНОГО РАСПЫЛЕНИЯ 45
2.1. Изменение состава поверхностного слоя оксида при распылении 45
2.2. Анализ изотермической модели 48
2.3. Неизотермическая модель, основанная на хемосорбции 50
2.4. Неизотермическая модель, основанная на поверхностной химической реакции 51
2.4.1. Основные допущения модели 51
2.4.2. Кинетика формирования слоя соединения МШХ„ за счет поверхностной химической реакции 53
2.4.3. Уравнение стационарного состояния поверхности мишени 55
2.4.4. Уравнения стационарного состояния поверхности подложки и стенки камеры..56
2.4.5. Газовые потоки при реактивном распылении 58
2.4.6. Система уравнений 59
2.4.7. Анализ режимов работы мишени 61
2.5. Технология осаждения пленки соединения 65
2.5.1. Параметры процесса 65
2.5.2. Устойчивость процесса осаждения 67
2.5.3. Диагностика плазмы разряда в реактивной газовой среде 69
Выводы 79
ГЛАВА 3. ОПТИЧЕСКИЕ МЕТОДЫ КОНТРОЛЯ ПЛЕНОЧНЫХ СТРУКТУР 81
3.1. Оптические спектры пропускания и отражения в видимом диапазоне 81
3.1.1. Матричный метод вычисления коэффициентов пропускания и отражения 81
3.1.2. Пропускание и отражение для трехслойной и четырехслойной структуры 84
3.1.3. Физическая форма выражений для спектров пропускания и отражения 85
3.1.4. Приборный эффект 88
3.1.5. Анализ спектров отражения и пропускания 92
3.2. Спектры пропускания и отражения слабо поглощающих пленок 93
3.2.1. Сильно поглощающая подложка 93
3.2.2. Прозрачная подложка 96
3.3. Метод определения оптических констант и толщины слабо поглощающей пленки на прозрачной подложке по экспериментальному спектру пропускания 98
3.3.1. Система уравнений 98
3.3.2. Начальное приближение 99
3.3.3. Итерационная процедура 101
3.4. Особенности определения оптических констант и толщины слабо поглощающей пленки на прозрачной подложке по экспериментальным спектрам пропускания и отражения 105
3.5. Особенности определения оптических констант и толщины слабо поглощающей пленки на сильно поглощающей подложке по экспериментальному спектру отражения 107
Выводы 110
ГЛАВА 4. ЭЛЕКТРИЧЕСКИЕ МЕТОДЫ КОНТРОЛЯ ПЛЕНОЧНЫХ СТРУКТУР 112
4.1 Поверхностный потенциал диэлектрической пленки с зарядом 112
4.1.1. Потенциалы на границах пленки 114
4.1.2. Потенциалы на электродах 115
4.1.3. Заряды, индуцированные на электродах 117
4.1.4. Динамический режим 119
4.1.5. Измерение заряда в пленке методом динамического конденсатора с компенсацией 120
4.2. Изотермическая релаксация инжектированного заряда 121
4.2.1. Постановка задачи и исходные уравнения 122
4.2.2. Аналитическое решение нестационарной граничной задачи 125
4.2.3. Анализ поведения инжектированного заряда во времени 130
4.2.4. Частные случаи анализа 137
4.2.5. Поверхностный потенциал пленки 139
4.3. Метод определения параметров диэлектрической пленки 140
4.3.1. Основные уравнения и порядок расчета... 140
4.3.2. Численные расчеты и анализ экспериментальных данных 141
4.4. Метод оперативного определения подвижности электронов 143
Выводы 144
ГЛАВА 5. ОБОРУДОВАНИЕ, ЭКСПЕРИМЕНТАЛЬНАЯ РЕАЛИЗАЦИЯ МЕТОДОВ ОСАЖДЕНИЯ И КОНТРОЛЯ ПЛЕНОЧНЫХ ОКСИДНЫХ СТРУКТУР И РЕКОМЕНДАЦИИ ПО ИХ ПРАКТИЧЕСКОМУ ПРИМЕНЕНИЮ 146
5.1. Научно-исследовательская лаборатория 146
5.1.1. Установки осаждения ПОС методом реактивного магнетронного распыления 146
5.1.2. Установка измерения спектров отражения и пропускания 149
5.1.3. Установка измерения поверхностного потенциала пленки 150
5.1.4. Ионный источник с осцилляцией электронов 152
5.2. Пленка оксида титана в составе ПОС 156
5.2.1. Технология осаждения пленки 156
5.2.2. Внутренний фотоэффект в пленке оксида титана 162
5.3. Пленка оксида тантала в составе ПОС 164
5.3.1. Технология осаждения пленки 164
5.3.2. Управление кристаллизацией аморфных пленок оксида тантала путем термического отжига 170
5.3.3. Влияние металла подложки на электретные свойства пленочной структуры... 175
5.4. Рекомендации по разработке ультрафиолетовых фотоприемников на основе ПОС для УФ дозиметров 179
5.4.1. Ультрафиолетовое излучение 179
5.4.2. Фотоприемники УФ диапазона 181
5.4.3. Дифференциальный фотоприемник на основе ПОС 183
5.5. Рекомендации по разработке ПОС для репарации поврежденных тканей 185
5.6. Требования к технологическому комплексу для промышленного производства ПОС 187
Выводы 190
ЗАКЛЮЧЕНИЕ 192
ПРИЛОЖЕНИЕ 1. КИНЕТИКА ПРОЦЕССОВ ПРИ РЕАКТИВНОМ РАСПЫЛЕНИИ... 197
П.1.1. Кинетика объемной химической реакции 197
П.1.2. Кинетика неизотермической физической адсорбции 198
ПРИЛОЖЕНИЕ 2. ДОПОЛНЕНИЕ К МАТРИЧНОМУ МЕТОДУ ОПРЕДЕЛЕНИЯ КОЭФФИЦИЕНТОВ ПРОПУСКАНИЯ И ОТРАЖЕНИЯ ЧЕТЫРЕХСЛОЙНОЙ СТРУКТУРЫ 201
П.2.1. Коэффициенты отражения и пропускания Френеля 201
П.3.2. Элементы матриц связи 203
ПРИЛОЖЕНИЕ 3. РЕШЕНИЕ УРАВНЕНИЯ РЕЛАКСАЦИИ ИНЖЕКТИРОВАННОГО ЗАРЯДА 205
ЛИТЕРАТУРА 208
СПИСОК РАБОТ АВТОРА ПО ТЕМЕ ДИССЕРТАЦИИ 223
Введение к работе
Основы науки о диэлектрических материалах, содержащих оксиды металлов, в 20-х годах прошлого столетия в нашей стране были заложены академиком А.Ф. Иоффе и его учениками (А.П. Александровым, Б.М. Вулом, И.В. Курчатовым, П.П. Кобеко и др.). Позже в 40-х годах возникли научные школы, которые занимались исследованием и разработками новых диэлектрических, в частности, керамических материалов. В Москве такую школу представляли Г.И. Сканави, Б.М. Тареев, позже А.Н. Губкин и др. В Ленинграде и, в частности, в ЛЭТИ возникла научная школа профессора Н.П. Богородицкого. К 60-м годам была не только глубоко изучена природа диэлектрических явлений в объемных оксидных материалах, но и освоено промышленное производство большой номенклатуры изоляционных материалов различного назначения, в том числе для электронной промышленности.
В 60-х годах объектами исследований и разработок стали диэлектрики в виде пленок толщиной до 1 мкм. При этом большое внимание было уделено их изолирующим свойствам в связи с использованием в дискретных планарных транзисторах и в элементах интегральной электроники. Именно в это время появился интерес к пленкам оксидов переходных металлов, которые демонстрировали рекордную для оксидов диэлектрическую проницаемость. В 70-х годах анодные пленки оксида тантала были использованы для производства конденсаторов в НПО «Позитрон». В связи с этим возник более глубокий интерес к электрофизическим свойствам и других оксидов переходных металлов (ниобия, титана и др.) [1,2].
К началу 90-х годов пленки оксидов переходных металлов составили отдельный класс материалов со свойствами (изолирующими, ферромагнитными, сегнето-электрическими, фотохромными и др.), благодаря которым они нашли широкое применение в электронике, оптике и других областях.
В 90-х годах начинается разработка пленочных изоляторов для замены оксида кремния в процессорах и динамической памяти. Так, повышение диэлектрической проницаемости и электрической прочности вместе со снижением тока утечки и плотности дефектов достигается в пленках бинарных твердых растворов Ta2Os -Ті02 [3], Та205 - А1203 [4], Ті02 - А1203 [5] и др. В гетероструктуре НЮ2 - Та205 с несколькими десятками пар слоев толщиной 5-20 нм удалось получить плавное изменение диэлектрической проницаемостью от 16 до 25 [6]. Кроме этого возникают новые области применения, в которых используют полупроводниковые свойства пленок оксидов переходных металлов, управление которыми достигается за счет создания кристаллической фазы в аморфной матрице пленки, легирования атомами металлов или создания слоистых структур [7-9].
Все эти работы формируют новое научное направление: пленочные структуры оксидов переходных металлов. Многообразие свойств этих оксидов создает ши рокие возможности для синтеза новых пленочных материалов с новыми электрическими, магнитными и оптическими характеристиками. Такие материалы могут быть созданы в виде многослойных покрытий, состоящих из нескольких слоев оксидов, последовательно осажденных на подложку. Каждый слой может представлять собой либо монооксид, либо трехкомпонентную систему, например, оксинит-рид, оксикарбид или твердый раствор двух оксидов. Подобное многослойное покрытие вместе с подложкой, на которой оно сформировано, в дальнейшем будем называть пленочной оксидной структурой (ПОС). Одиночная монооксидная однофазная (либо многофазная) или многокомпонентная пленка на подложке представляет собой частный случай ПОС.
Целью диссертационной работы является разработка комплекса научно-обоснованных методов осаждения ПОС и контроля их физических свойств, которые определяют возможность изготовления ПОС для приборов электронной техники, а также создают основу для выработки требований к технологическому оборудованию для промышленного производства ПОС.
Для достижения указанной цели необходимо было решить ряд задач:
1) разработать модель технологического процесса, избранного для изготовления ПОС, и получить ее аналитическое описание;
2) на основе модели разработать методы выбора и контроля режима осаждения пленок оксидов;
3) разработать физически корректные модели и аналитическое описание процессов, лежащих в основе контроля физических свойств ПОС
4) разработать методы контроля физических свойств ПОС;
5) провести экспериментальное исследование технологии ПОС на основе оксидов тантала и титана, изучить их физические свойства и показать возможность применения в качестве материалов и приборов электронной техники, а также для других приложений.
6) выработать требования к составу и техническим характеристикам технологического комплекса для промышленного производства ПОС.
Разнообразие возможных применений оксидных пленок стимулировало разработку и исследование множество методов их осаждения, которые можно разделить на три группы: химические, испарение и распыление.
Среди химических методов синтеза пленок оксидов наиболее популярен золь-гель метод [10, 11]. Кроме этого эффективно применяют разновидности газофазных методов такие, как химическое газофазное осаждение (CVD) [12-15], химическое газофазное осаждение, активированное плазмой (PECVD) [16], химическое газофазное осаждение, активированное ионным пучком (IBCVD) [17], химическое газофазное осаждение из металлоорганического соединения (MOCVD) [18].
Следует отметить, что, несмотря на относительную простоту технической реализации, химические методы обладают рядом недостатков, которые ограничивают их применение. С их помощью, во-первых, трудно получить беспримесные одиночные пленки стехиометрического состава, поскольку для химических систем характерны конкурирующие реакции. Определение области стехиометричности пленки при управлении температурой и концентрациями исходных реагентов является сложной термодинамической задачей. Во-вторых, задача резко усложняется при создании многослойных ПОС, когда формирование каждого последующего слоя при повышенной температуре приводит к изменениям в предыдущих слоях.
Этих недостатков в значительной мере лишены методы осаждения пленок оксидов, в которых применяют физические методы формирования рабочего потока частиц металла или оксида при низком давлении. Процесс проводят либо в инертной газовой среде, содержащей только Аг, либо в смеси газов Аг + 02. В частности, поток исходного вещества может быть получен путем испарения электронным пучком [19-21]. Однако осаждение испарением равномерных слоев на подложках большой площади представляет собой очень сложную техническую задачу.
Индустриальная технология, применяемая для осаждения пленок любого состава на большие площади, основана на методах распыления. Распыление металлических мишеней в плазме инертного газа (обычно аргона) - известная и эффективная методика осаждения пленок металлов. Добавление в среду Аг реактивного газа (02, N2, В2Н6 и т.д.) позволяет осаждать пленки оксидов, нитридов, боридов, карбидов и т.д. [22, 23]. Реактивное распыление может быть выполнено при низкой температуре на фактически любой материал и может давать пленки, которые имеют ограничение по толщине только в связи с внутренним напряжением в пленке, что значительно влияет на механическую устойчивость пленочной структуры.
Этот технологический метод обладает высокой гибкостью в управлении процессом осаждения одиночных слоев. Потенциально он дает возможность осаждать композиционно градиентные пленки и формировать неравновесные составы [24]. Управление осуществляется регулированием нескольких независимых переменных (расходы аргона и кислорода, электрическая мощность на мишени, температура подложки, потенциал смещения на подложке и др.). Кроме этого реактивное распыление позволяет в едином вакуумном цикле получать разные по составу слои с помощью нескольких мишеней [25] и (или) реактивных газов (например, кислород и азот) [26].
Для эффективной реализации всех возможностей реактивного распыления, как многофакторного процесса необходимо, в первую очередь, установить его общие закономерности, связать технологические режимы со свойствами пленок. Понятно, что пленка оксида формируется на подложке за счет химической реакции. Но ее механизм не вполне очевиден. Одни авторы считают, что реакция протекает на поверхности подложки, другие допускают распыление оксида с окисленной поверхности мишени. Реакции в газовой фазе маловероятны из-за низких сечений взаимодействия в высоком вакууме.
Огромный пласт исследований процесса реактивного распыления содержит работы, которые сосредоточены главным образом на изучении свойств конкретных пленок, осажденных с помощью какой-либо разновидности метода. Известны работы, цитируемые в главе 1, в которых сделаны попытки создать физическую модель процесса реактивного распыления. Однако до сих пор подобные попытки не привели к созданию общей теории этого процесса. При таком положении дел установление закономерностей управляемого синтеза слоев ПОС остается задачей, которую обычно решают методом «проб и ошибок», используя интуицию и технологический опыт. Разработке обобщенной физической модели процесса реактивного распыления, получению ее аналитического описания и разработке метода выбора режима осаждения пленки соединения посвящена глава 2.
После изготовления пленочной структуры возникает не менее важная задача контроля ее физических свойств. Следует уточнить, что в диссертационной работе термин «контроль физических свойств ПОС» означает только первую часть контрольно-измерительной операции - измерение значения физической величины (параметра), отражающей определенное свойство оксидной пленки или ПОС в целом (электрическое, оптическое и др.). Остановимся только на определении таких физических параметров, которые определяют электропроводность и поляризуемость оксидных пленок. Для характеризации электропроводности используют темновую и спектральную проводимость на постоянном токе, подвижность носителей заряда, концентрацию глубоких и мелких ловушек. Поляризуемость пленки определяют относительной диэлектрической проницаемостью, тангенсом угла потерь и их дисперсией. В оптическом диапазоне эти свойства описывают показателями преломления и поглощения. Для оперативного контроля выделенных свойств ПОС обычно применяют оптические и электрические измерения (более подробно эти вопросы освещены в главе 1).
Так в оптическом диапазоне параметры слабо поглощающих пленок, осажденных на прозрачную подложку, вычисляют по экспериментальным спектрам пропускания [27] и (или) отражения [28]. Решение этих задач обычно проводят численно по методикам, которые построены на аналитическом описании физических процессов, протекающих в пленочной структуре при воздействии на нее электромагнитной волны.
При анализе методики обработки спектра пропускания пленок оксидов, применяемой многими экспериментаторами [29], автором диссертационной работы были обнаружены неточности, в выборе физической модели, которая связывает экспериментально измеренные спектры с геометрическими и оптическими пара метрами исследуемой структуры. Детальный анализ других публикаций, в которых более последовательно рассмотрены процессы отражения, поглощения и пропускания света для различных сред, также показал наличие ряда ошибок и взаимных противоречий [30, 31]. Поэтому для получения надежных расчетных соотношений в применении к обработке результатов измерений возникла задача разработки физически корректной модели, пригодной для электродинамического анализа пленочных структур с учетом явлений интерференции и оптического поглощения в материале пленки и подложки. Решению этой задачи, а также разработке соответствующих расчетных методов посвящена глава 3.
Проводимость пленки, подвижность электронов и концентрацию глубоких ловушек определяют по временной зависимости изотермической релаксации неравновесного заряда, инжектированного в пленочную структуру [32]. Академический интерес к этим процессам, связанный с изучением электретного состояния диэлектрических пленок, отмечен значительным числом публикаций в 70-х - 80-х годах прошлого столетия. Было установлено, что изотермическая релаксация электретного состояния диэлектрической пленки, осажденной на металл, в отсутствие, остаточной поляризации происходит вследствие дрейфа инжектированного в материал неравновесного заряда в собственном поле [33]. При изучении электретных свойств диэлектрических материалов авторы применяли физические модели разной степени сложности. В самом простом случае пленку диэлектрика рассматривали как идеальный изолятор [34-36], в которой после инжекции носителей заряда возникает дрейфовый ток. Вкладом диффузионного компонента тока обычно пренебрегали. Другие авторы включали в рассмотрение проводимость диэлектрика [37, 38] или исследовали случай только с захватом неравновесных носителей ловушками [28, 39-41]. Причем в большинстве случаев в модели учитывали моноэнергетические ловушки. Для этих простых моделей описание процесса изотермической релаксации было получено в аналитической форме. В наиболее сложном случае, когда пленка имеет проводимость и центры захвата, задачу решали численными методами [42-44].
В последнее время интерес к электретным свойствам диэлектриков переместился в сферу практического применения (электретные преобразователи, газовые фильтры, релейные переключатели и др.). Однако аналитическое решение задачи релаксации неравновесного реального заряда в диэлектрической пленке для наиболее общего случая, когда диэлектрик обладает проводимостью и ловушками, до сих пор не получено. Численное решение задачи не позволяют детально изучать влияние параметров материала на релаксацию заряда в нем. Исследованию задачи релаксации неравновесного заряда, инжектированного в пленочную структуру, разработке метода измерения потенциала свободной поверхности пленки и метода вычисления ее физических параметров по результатам таких измерений посвящена глава 4.
В главе 5 описаны оригинальные компоненты научно-исследовательской лаборатории, сформированной в процессе диссертационных исследований, в которой получены авторские экспериментальные результаты по формированию пленочных структур на основе оксидов тантала и титана методом реактивного магнетронного распыления на постоянном токе. При осаждении пленок использован метод, разработанный в главе 2. Для контроля ПОС применены оптические и электрические измерения, в частности, с использованием методов, изложенных в главах 3 и 4. Показано возможное применение ПОС на основе пленок оксидов тантала и титана в электронике и для изменения физических свойств поверхности объемных материалов. Кроме этого в данной главе изложены требования к составу технологического комплекса для промышленного производства ПОС,.
Все результаты диссертации как в постановке задач, так и в исследовании моделей осаждения пленок и их контроля получены лично автором. Создание научно-исследовательской лаборатории, проведение в ней экспериментальных исследований и анализ результатов выполнены коллективов аспирантов, инженеров и студентов дипломного курса под руководством автора.
В ходе диссертационного исследования получены новые научные результаты, на основе которых сформулированы научные положения, выносимые на защиту:
1. Модель реактивного распыления металлов, основанная на поверхностной химической реакции, протекающей в неизотермических условиях, адекватно отражает экспериментально наблюдаемые эффекты и служит методической базой для разработки технологии пленочных оксидных структур.
2. Аналитическое представление оптических спектров четырехслойной структуры в форме, которая в области прозрачности пленки устраняет вклад интерференции в толстой подложке, нерегистрируемый спектрофотометром, составляет основу методов контроля пленочных оксидных структур.
3. Аналитическое решение задачи релаксации заряда, инжектированного в диэлектрическую пленку, с учетом проводимости диэлектрика и глубоких ловушек с быстрой зарядкой выявляет однозонный и двухзонный режимы релаксации, что служит основой методов контроля пленочных оксидных структур.
4. Совокупность разработанных методов осаждения и контроля пленочных структур определяют требования к составу и техническим характеристикам технологического комплекса для промышленного производства ПОС, основными элементами которого являются: многопозиционная автоматизированная установка изготовления ПОС методом реактивного магнетронного распыления, оснащенная спектрофотометрической системой диагностики плазмы, и установка измерения спектров пропускания и отражения в УФ и видимом диапазонах.
Совокупность научных результатов диссертационной работы представляет собой решение крупной проблемы научного обоснования технологии пленочных оксидных структур, методов контроля га физических свойств и разработки требований к составу и техническим характеристикам технологического комплекса для промыитенного производства ПОС, имеющей важное значение для производства материалов и приборов электронной техники.
Основные положения и результаты диссертационной работы представлены на Международных, Всесоюзных и Всероссийских конференциях, а также на научно-технических семинарах. В том числе на: Республиканской конференции «Физическая электроника» (г. Каунас 1985 г.), Международной конференции по электронно-лучевым технологиям (НРБ. г. Варна 1985 г.), Всесоюзной конференции «Ион-но-лучевая модификация материалов (пос. Черноголовка 1987), Всесоюзной конференции «Интегральная электроника СВЧ» (г. Красноярск 1988), VI Всесоюзном симпозиуме по РЭМ и аналитическим методам исследования твердого тела (г. Звенигород 1989 г.), VI Intern. School on Vacuum, Electron and Ion Technologies VETT 89 (Varna 1989 г.), Всесоюзной конференции «Ионно-лучевая модификация материалов (г. Каунас 1989 г.), IX Всесоюзной конференции «Взаимодействие атомных частиц с твердым телом» (г. Москва 1989 г.), VI, VII и IX международных конференциях «Современные технологии обучения» (г. Санкт-Петербург 2000 г., 2001 г. и 2003 г. ), Международной конференции «Межфазная релаксация в полиматериалах» (г. Москва 2003 г), X международной конференции «Физика диэлектриков «Диэлектрики - 2004»» (г. Санкт-Петербург 2004 г.), Международном симпозиуме «Тонкие пленки в электронике» (г. Москва 2004 г.), Международной конференции «Тонкие пленки и наноструктуры» (г. Москва 2004 г.), 7-й и 8-й международных конференциях «Пленки и покрытия» (г. Санкт-Петербург 2005 г. и 2007 г.), Научно-технических семинарах «Вакуумная техника и технология» (г. Санкт-Петербург 2005-2007 гг.), XI Международной конференции «Высокие технологии в промышленности России» и XVII Международном симпозиуме «Тонкие пленки в электронике» (г. Москва 2005 г.), III Всероссийской конференции «Физико-химические процессы в конденсированном состоянии и на межфазных границах «ФАГРАН-2006»» (г. Воронеж 2006 г.), XII Международной конференции «Высокие технологии в промышленности России» (г. Москва 2006 г.), XIII Международной конференции «Высокие технологии в промышленности России» и XX Международном симпозиуме «Тонкие пленки в электронике» (г. Москва 2007 г.), XX Всероссийском совещании по температурноустойчивым функциональным покрытиям (г. Санкт-Петербург 2007 г.), ежегодных научно-технических конференциях профессорско-преподавательского состава СПбГЭТУ (1985-2008 гг.).
Автор искренне благодарен всем своим коллегам и научным сотрудникам, постоянное деловое общение с которыми в течение многих лет определило тематику научной работы автора и способствовало ее завершению в виде диссертации на соискание ученой степени доктора технических наук.
Автор особенно признателен профессору А.А. Барыбину, активное участие которого в работе коллектива лаборатории привнесло в нее высокий дух научного творчества, обогатило исследования многими теоретическими идеями и разработками. Во многом, благодаря настойчивости и убеждению профессора А.А. Барыби-на автор завершил цикл многолетних исследований в форме докторской диссертации.
Выражаю также благодарность члену корреспонденту РАН В.А Жабреву, профессорам О.Г. Вендику, Б.А. Калиникосу, к.х.н. Л.П. Ефименко, инженерам А.А. Коломийцеву, А.Е. Комлеву, аспирантам А.В. Завьялову, В.В. Пинаеву, А.К. Чернаковой, механикам В.К. Ликандрову, В.А. Туманову и многим коллегам по кафедре физической электроники и технологии, а также студентам, каждый из которых на определенном этапе оказал большую помощь автору в организации и проведении исследований.
