Введение к работе
Актуальность темы. S настоящее срема перэд бо^ьишжтгсм
предприятий электронной промышленности стоят задача яе»2ерсн;<
производства продукции и расширения за счет этого иокенялзтуры
изделий широкого потребления. Особенно актуальна эта прсблема
для предприятий, занятых выпуском гтолупрогодкяяозых
оптоэлектрониых прнбороз ближней м средней нкфрзйраснсй (ИК)
области спектра оптического излучения, поскольку «х продукция в
осноеком предназначена для ислользсг-няя в тсапетз^кмой и
радиометрической аппаратура специального назначения. В то >гз
время потребности промышленности, медицины,
исследовательских учреждения, служб охрани окружающей среда, сельского хозяйства и т.д. в подобной аппаратуре достаточно велики. Однако широкое ее применение сдерживается с одкей стороны высокой стоимостью, а с другой - маобхе.т.кмость» использования для охлаждения фогоярмгккикоз жидкого азота или спацмал!>ных охлааедакнцих усганезох, что разпо усложняет условия эксплуатации.
Перспактнзкым нгярззлениги применения гголупро2зд)<икесъа« оптоэлектренныя прибороз ближней ИК области спектра оптического излучения является непользеезние их а системах дистанционного управления, ояраниом, пожарной и пр. сигнализации. Вместе с тем анализ параметров и характеристик излучающих диодов и фотоприемникоз ближнего М!( дкзягаггкз, выпускаемых в настоящее гремя а качестве т.н. "ш??рт;стр2баи, показывает, что они зачастую не удовлетворяют всему перачк» требований, выполнение которых обеспечивало бы ссотеетеггие этих систем мировым стандартам.
Наиболее крупные успели в области ИХ техники п ясследкка годы связаны с «спользоганием в качестве фогепряемнккез средней ИК области спектра оптического излучения узкозедаях полупроводников IrsSb и твердого полупроводникового раствор-CtJxHoj.xTe. Узкая ширина запрещенной зоны, высокое отношекж. подвижиостей осноеных и неосновных носителей заряда и малые времена . жизни носителей заряда делают эти материалы чрезвычайно пригодными для изготовления фотсприеммккоа
до-~гг.їОч*іо cosapiusiattisv и чистке «&#.с^рксгал.пз ЪЬ м тагрдого г.ояуярогсдьйпоього fics*opa oy^j-xTa, пзз?с«» фзтспр«к.тя«: «а и;-; ocacsa "обязд-.ао? wsssxsa ^)%стсятсг.&;сстиэ (Зг.пз%ой к тсорзтнческску пределу) к. ИК «яу«с:;ію, гр^адацгі-їуся ssa сака прозрачности егкосфгра - 3-S а -14 «kw.
Для раргяшз pc^i;cissrpt-;;t « таллоидс«И1 'болш.*сіі -кмггрзс представляет «ногссэтсктральныг Ш спстсгла, тізсзля;цг<&г епализмроізт* мзяучзФзг от с&ьгхта »;г.5л:в«с»гл а кгсхстодмя спсэтрглшых дос'ш&н&і, а . таю;» устройства с вдсогш» прострекстсгш&зд рггр&шгнкз». В .скзм с этим, сопрсси, ссззгнкыс с «ссдг&азгкйсы и разработкой -ккзгсслзстрсд&г^ ("мяогоіргтша") и іиагозламгііт.'йж cpoTcnpucsHUixos, соггршгнетсз&ижгм с&зіструхц;:» м тсхкэлотки игпэтегйкгмя, предстЕзлгиат боглшу» грс^тичоску» ц:ж;осп».
фотоприемн»заоо кіпдїотся спрдйт«фотор2ійтсрм (фотспр^гкмжн с смутргнки» «итсгрііромаіксм ссткглг). Те»яг5йз;№ЦЗ:г аістсгш на мх ochozo дзкгт шобрг^-ииг бзнжсг по р^зр:и:с;-&мЭ к тепесизйоїіїісму. Одной «з сэсйгклсгтгГ; спрсйт-фотор^носргз езлкєтск то, что их доте;;в;ружц"2 Сісйстсз тс» c^iiu-э, чім
больше CKCpOCTtt CUCKJjpoi^JviJ,-;, Т. -С. , ЧС^ СКДХНСе (ІрКЛОІЙ^анОУ
злектричзсдос полз. Мгкскксльная Д.г;;-ікз r-сля сгрг^гимидггтся
уровнем избыточных шумоз и 7салэ:а*1 ргзогргаом еігета
фоторезистора, который «о^ст бить ;&ч:1тг/.ы:э y;.-,ss;biii2ti за
-і счет применения спеціальних систем ездкзздекия.
Потенциальные дстектирухздиг сеойстей фэтопригнниксг
определяются параметрами «сходного катсри&ла, но ия
реализация зггисит от уро&пя "тсхнзяогки. В научной литература
приводятся многочисленные йанкіїг о способах «згстсйг.гн«а
фотолриемнкков, которыз -имовда содержат прзтпігргчнзш
результаты. Это указывает на то, что «опроси, сгязгинаа с
размерной м химической обр&Ззтксй «сходного «зтераглг,
отмывкой, пассивацией, ка&егкмем «онтеэтез м р., c^s .:с-
получмли однозначного ргидоздл.
Серьезные затруднения еыз:а::ает применение суи^зстсугг-ус* методик измерения шумезык м фонсгых кгргитсристих ИК фотоприемникоз из-за юс сысокой погрешности.
Тгхим образом, актуальность разработки конструкций и
технологий многофункциональных полупрогоднмхоаы»
оптоэлактронкыя пркбороэ ближнем и средней ИХ сбягсти спгктра оптического излучения определяется праптическей потребность! как предприятий и оргсчмзгцмй электронного профиля з'oczcsiw.t ногой продукции широкого назначения, тек и предприятий-потребителей этой продукция.
Справедливость дгккего сызода подт;:ер::у;ак?т
мзг.ргпленнсстъ, количество и срою» с^здргния- рззультотез коздопзеорнух работ с предприятиями и ергекиззцнг:^, промзеодящики и потреблпгасдкмн сятоаяектрекнуе приборы ближнем и средней И К сблгега спектра оптического излучения.
U Постановка задачи включала*. 1. Анализ лгра^етроэ и ягрглтеркстнн иззестнкя 2. Анализ р*±:::ка епрега и предлеяїеккя- р.олуярс=одммяс!Г(п 3. Выбор направлений проззд~н*ія исслэдозакки- по - мглиз м еыргботка тргЗеггмий и полупрогаднмкоеъш еггтоз-лгятроянкм приборам бякмаїзй- » средней- ИХ области спестрг оптического излучения, сбгепэчиегхацкх дсеггс«сяи» предельных ксрс^тсрисгик дял ко;кргт!а:к lh^cz слпгрітуру; CKh-c;rrti я г?гто-ч »;rx^r-r~;:^, Eco y.zcr.z, разработка оригв;.г>-«к!ых кгтодік и слигрстуру дпя измерения и иселгдоггння сскоии^к фзтезлс;прг1;;:с:;іі;і хсрсзггсріїсгк;;, п&рг^строг и тса«слог»ічсс»аїй соаОсклсстсн нзготоїлшлд псдупрсііо.ЕГ'.жс^л сяїезл^ілраійк-в; при'Зорсз блш,:к:й и сред ісй Г«С с5г^ги ексілр:; сїгоссксго »лучсііц;;; иссг.у;гьіік:г и р^р^С-атка цс::стру;;ц^Л ц теисолггън кногофу^іірізн^іі&й; полуг.рСїа:;:;;с2і« оптоглс;ггро:г::-ііх пркборос бл;с^::гГі в- средней У..І сйлЬгтн сітгдтре; олт;;чссг;эго излучений пр^Сізіягяаго к бггзгаг» тежаг,сгиг..ч прс^р^гпгкД; 05t2iJTCUij з;;сг.;:рг.:-;с;гт&л:>кзго іхслг:їс:.5і;>.я слулзі/.и p-n rot;» - »з гстєроао:;:-{іІ2 &no,:;wo налучгизи^з u фотодоо&'.^с струцтуру бл;с:-мгГі ИЛ області! cnoutps оптического излучения, с тй:с«С! фотсргс;;стор;*.аіг и фогодоо;;;зыэ структура ергдлой ИК едлегтн спектра оптического ііз/іу^ймл, рсботгиг^циг как при текпергтуро їздлгии;} каедяого азотг, tcj; н с термазлгитрмчгекмм олясй{дснйсг4. В процессе проегдоаия ііссяадогашгй мспойвгоссл^сь лабораторные и промігшлгнн^г образцы структур. При проссдзшіл зкепера^гнтйлъмьгх исследований Сыъ наюг.азосс'і комплекс методик, ксг.іочгиощіій кзучеик'. аяс:ггр0Гіросзд::зс7и, гффокта Холла, аэпьтсяг.^рнии, сольт&атткад, спгстр-льлых, екпйлик^ь", порогесыд п пр. характеристик структур. Ряд кгтодих бал ыэдйфкцнропел с цсл^гі nccti^CJnsa точности, расширения области применения ,: гто^ат>гзсір^і eSpaSoTiui результатов из.4с-рзний. Испальза^лм.:;.- rc:C«a кстодя электронной 0;гсз - спгятрсс:<сп:їіі. їСрсг-та того, г.елупрссо,"55'-"'ссого р~стпорэ CdsHgj_xTe и JnSb. Нтуккяп іюзизк-а получзнных разуяьтатоэ состоит з t. Ппере^г, а ссотсзтстс:;:і с прсфзмксй ксі'лерсии, пр-озеден комплекс работ по разработке и г.!!-гдрг.,!й:о a f^acccsoa гірс:сгодстпо з Ксггсродссм схцлонерном ^бшестзз открытого типа (АСОТ) "Плгнгта" сс-нейстса г>наг--фу(;,щя,с;:^ль!!Ь!Х S1!< фотоднодоз из крет'*::ія с различно» ст2пгкь:э лгп<рсг?к5«я н corprsrerww с г:і^м по епгхтра/инкм х?р~:{тгр":ст;*".";5 И К ігз-у^з.'сг'ия днодоз нз есисзг р-'і гокострухтур О^Лз (Si) н гетерс структур GaAIAs; »зготоз/<г;;ы Н!< фотодиоды для бустрод-зкетеугещих csjctgm дистанциенного утфззяенкя і'і !1К Л'/:гуї с ііизяї'.:.*!*, э ср?.гкл>кки с изезсткь^и ИК фото.^:ол-«И| :'-:;%*з-кклмн ссбстсёккой- емкости из смсс:їсс?.:ксго р?зкеі:ія с удельном сопротивлением 4Q0-5C0 см см, получз::яого легированием ггфннгм и цирконием о процесса сь:ргл;^г~:;!:я по пзтоду Чохральского; 3. Проггдзкы исследования, на оенсеа которая ргсргЗотгл'-! 4. Впероыз разработана конструкция дгуясяаятралгкого 5. Влгрзые показано, что гторогосыз характеристики спрайт- 6. Разработчика кзтедика юкерскга» прэдзямзого потока 7. Предложена методика нзкг^гкка спсэтрал^дай плотности 8. Предложена . математическая кодг/к> роботы 9. Впервые проведено сравнительное иссладосат» влияния на 10. Уст&иоглзко, «по засветки еидммым светом окисленной 11. Устенаалгнэ, что электрические контакты к р-тклу Достоверность и практическая значимость. Достоверность полученных в диссертации результатов полупрраоднмкоаых оптоэлектронных приборов, и сравнением отдельных результатов работы с теоретическими и экспериментальными исследованиями других авторов. Практическая ценность работы заключается в следующем: - рпзр^ботз::^ и скедрему о кз-ссс-оз гтрзпгггдгтго о КрСГ'МИеГ.УЗ фОГОДДСД«:І G.V.!?.?.\?"\ IVX оЗЛ-СТИ СПСИТрЗ СПТИЧЗСКОГО «злу.с«щ ті:г.а КД0115-Л, ІСДФ115-ЛЗ и КД0115-А5 с низким з^.^:f.r.'.ir; ссїстгг:;::о:ї сї.гсости; рпзргбатгг:я и висдр2!:ы о прсиз-зсдстсо гермзкисзыэ ИК фотодиода, чугстсіїтзльніїї і: іСлу;г;::::о э дкзпззоизл 0.4-1.7 мкм; - рззр~6оггл'ы и снздргкы э прсмзгодстсэ д^споктрзльиые ра;рг.бота«їі к скэдргны з ітзсссзоз производство мисгофункі!::«:к"і.Т':.*;ь!2 излу-'-'сщие д::од;і бл:і;ккзй ИК области спехгрл оптг.чес.сго издугаг.п г,',та СД-5!П її ЛЯ 154 нз ссноаз р-п гсмсструктур СлЛв (Si) м готерострукгур С?ЛІЛз; разр-богй.-'З кс:этру:а';"л н кзгстсглзпи нэлуч.з.'си'пе дкоды блиг-глй 1!!\ сблгсти сл~:!трз стгігізсного излучения с пространств":::!'- p:^Д'"д.':c!J::, "і :!злу:зн::згі: снедрзт а гз-ссезсо производство луяьтоз дкетгнцноинего упр~їїяег.ия для телсг::зорсо m Новгородском ПО "Ктнт", Лздо?::ском з-.годз "Лсдога" и .""ГГЇ "!(роі'"ер!<" оптопгра на оснояс фотодиодов КДФ115-АЗ, КДФ115-Л5 н оптимально согласованных с ними излуїгг.гг.мня д!!ОДоз ЛЯ 164, СД-НП2(Б, В, Г, Д); разработана конструкция н изготезлемы даухслектральныз ФПУ (3 - 5 н 8 - 12 тм) на ескезз пзлзиия дисперсии оптического излучения дли тепло-изерэ ТВ-03, сблг>да:оіцне повышенными, о сргг.!ігн!!:і с "сзндсгіч"-стру«тург.'.г:і, детектирующими сгойстпами; рззреботеяа кокструкг/.'.г, її изготсзліим дсуясяс-ктральные ОПУ (3 - 5 н 3 - 14 v.ttn) для н;із:сстег:гер?.турмого радиометра; разреботсиа конструкция із ісготсзлзнм дсуяспгктральньиз СПУ для «:*.крор?д,.іО!.ї'2трз ИКР-3, >.>у"Т~ІТСЛЬ;-:- к излучению с тег.*перг,тур~?"і 2С0 iv 5 рз?рз.ботс:«зі конструкция м нзготозлены слрайт-фотерззистеры с раздельными цеплт ечнтыг-енмч фотосигнала м е'зндемпл. Кслользосгмка текеГі конструкции спр-айт-фзтерез^сгсра позволило сущсстгсмко уменьшить урогень ігзї^тс'ім^.і шутсез еблгетм с::1тыганкя и погысить за счет этого ддтс:т;ру:с::;-э с-їГсгт^х потсаа фота:;р;:с:4:'.;:;;&з средней ї'.'.і (каст» споктра оптического издучак;:л, га^^іііиуа-йлорсккм ссадагсльСтсом. Относительная псгргіаі:йсгь.^сдс;рг:лій і:о npaEiuaasr 17%; прзсс^іїїУ комплексные исследования датсипузуісиуіх сазйстз фзтсрак'.стороз, охгіЬадсгміік до температур кипсикя карого азота. На основним анализа полученных разуглтстоа разраЗотака катекатмчсская кодз/Ді работы фоторгзмстора, п;аааглг<:ощал Ои«:;.;«з«рсагтг» ргз:;и.--;у его работы. npcas;;j;y ио:4Яла«сные кеследосания температурных заакааіс-гтей паракатрев н характеристик фоторезкеторных структур из InSb и тезрдого колупросодажосого расгеора CdKH5j_j,Tc, разработана м кадрам с лр&)ізаоСТБО конструкции и техколс-гк» одиночный и &з;гогозлг."елткы;с фоторезист срез срадяей ПК области спектра егтгнчьского излучения с Зкано»>г<ісск;іи зффакт от шг&рекиа ра-зу/ататоа диссертационной работы сссте=йл: 1SBS г. - 10.0 тыс руб., 1SS3 г. - 1920.0 тус руб., 1S34 г. - 35U0 гас руб. Зашииі?змаа полокпвия. Проеденный комплекс оптозлоктрон;;аа щтВор'л. 1. отсд:;одьз блахгей К области спзэтра слтнчасигго излучения. t! разработать іі еигдрить г-їхгопсг:;!:гсх:!,Гі процесс изготовления крг«к!іеі:ьі« фотедігедоз сер:іи КДФ115 з Нсагородасои ДСОТ "ПЛАНЕТА" и сргги;і"сзать сгр::й:-;са прскгсодстсо на оскогг ссгрсмск: :ого пзтсгізтнзираг-скяого, єь'.ескопрсизоодитеяьгого сбсрудсз^*,ия; - разработать на осносг гзр-.т2г;мг:ь!х тргле^гтерез тіста МП25-26 и кремниевых фотодиодоп І(Д115 конструяцн» и технологию германиесых фотодподоз н снадрить six о производство. 2. Излучающие диоды ближней 'ЛИ области спгхтра оптического излучения. И К излучающие диоды используются о элэктроккых схемах в качестве источника опткческого излучения. Но, как я о случае с ИК фотодиодами, параметры и характеристики излучающих диодов, выпускаемых з настоящее время отечественной промышленностью, не »обеспечивают в ряде практических случаев сыполнения требований по диаграмма направленности излучения, мощности излучения и прямого падения напряжения. Прозаденный комплекс работ по разработке и исследованию конструкций и технологии ИК излучающих диодоз позволил: - создать базозую конструкцию ИК излучающих диодов ccpv.vs - устаиосить, что ИК излучающие дмодм на ссногс разработать и снедрмть технологический процесс изготосления излучающих ИК диодоо серии АЛ 164 в Новгородском АООТ "ПЛАНЕТА" и организовать серийное произаодстао на солоае современного азтояатнзнроааиного, Еысокопроиз^одителыюго оборудования. 3. Фотоярис«иі«и средней ИК области спектра оптического излучения с термоэлектрическим охлаждением. Проседемные комплексные исследования температурных засисимостей пара,-.:гтроз и «ракгерг.'стнк фогорез:;сторны;< структур из IrtSb и C - на OCH05C inSb, чуастеитеяьных к излучение о Діапазоне 2 - - на осноае CdxHgl-кТе. чугстсительных к излучению о диапазоне 2 - 5,С «км с ебнарумштельной способностью с максимуме спектральной чувствительности 0* = 2т09см-Гц1/2 Вт"' О л (еоздушиый радиатор) к установить, что: - температурное зависимости темноеого сопротивления и изменяя концентрацию носители гзрядац ножно смещать область насыщения сольтобой чувствительности в сторону как более ексрккх, тал и бодга низяк» темпгратур. Причем, для фоторезистсрсз из CdxHsj^Te нз кзстепвложенка облгсти насыщения, псм:г^я> кокцинтргцки кбснтелгй згряда, схазъюзет существенное ел»ян:«? ссстгз ксяодксга'кзтсрнала; край длинноволнового гтоглощгкия о интервале температур 220 - 160 К на уровне 0.1 изменяется для фоторезисторсз из InSb от 7.2 до 5.8 икм; для фоторезистороэ из Cd„Hg|.sTe от 0.0 до 9.5 «хм (ж = 0.13); ог 6.7 до 7.5 мхм (х » 0.2); от 5І4 до 6.0 мкм (х * 0.26), для получения приемлемых для практики детектирующих свойств необходимо поддерживать температуру чувствительной площадки фоторезистора не выше 210 К; конструкция корпуса фотоприемника должна обеспечивать минимальные теплопритоки за счет конвекции и теплопроводности к чувствительной площадке фоторезистора. 4. Фотопрмсмникн средней ИК области спектра оптического излучения, охлаждаемые до температуры кипения жидкого азота. Проведенные исследования детектирующих свойств, а также технологических и конструктивных особенностей изготовления фоторезисторов на основе InSb и. твердого полупроводникового раствора Са^Нд^иТ* позволили установить, что - методика измерения спектральной плотности напряжения иукоз, в k4cctes которого ксйаяьзувтся- ксслсд^гк&ік фатор^і^лор є сбссЕйчеійіси соСїСП.*:;и;, .с5сспгчизгзт с^ссгсуа точность; - устройство н кстад;:;^ -ісусрсиха прзС.с^:зго потскг урогскъ. ксііточ;і^; иг/ї-352 фгтсрсзхстороз'из узхсзої тык полутіро2сд:;;і;;сїї с сскогіізм спргдгл«2тся прзц2ссс.*-~і на позгркнсстм; дзтскп:руй::^::о сззГ;стза фзтзрезнзторзз с .пзсс»ісг.ру;з:ці:;-? пз.-рьгткс^ «а catzz2 ;;од.а>й; скисгык пллг;ок са^г, чем у фоторезисторзг, пзеерг^зстъ которих была пассизарозенз с чугсткггельмыз плжі&цхк фотергзкетороз, пгсекзирозашио снодии» с;аіслзк, нгз&ходгжа ггфзннрозать от еидкмого излучения, пгсиоліиу згеззтки бн^ік^м сегтом оккслгнмоГі кззеркноеш кзгут прі^з^ігть к росту урозня избыточных шумэз; - элс»тр;:чсси2 ко:гталы ка сагова лаллздмя к р-ткпу /U#:C;»m^&«I 3^шГС;пЗЗр<'«ї!^3 Х&р»ТБр»>ТНКСл& И КУ0ЇО7 И»ЗК«!« урогень иг/дгоз; - зпктаксизл^іиз структуры Ctyig^Te по толщн.нг кмзют был ОДИОрСДЯ№3 ІЮ СОСТПЗу М, ЕО-ВТСрЫК, ЄГО ТОЛ!ЦКН соотбстстззззлз.дпшіиогалнегому крзаз поглощения излучения; - поротозы& карзктгрмстиим спрайт-фоторгзкетороз koskko - детегтфуязщпе сгойстса ягуяспгхтраг.мшз» фотсярнегакксз мстя го псеъ.<сить, селя ксяояьзоззтъ при рйзр^боткг их конструкция пеленке дисперсии сгтпїчгскего излучгикя. Дпообзция рзботм. Ссксгже «атеріггям диссертационной работы дсклздыгзлись и обсуждалась гл каучяыя семммграх кгфодры спецматериалоэ. мнярозлгятрэгкга» ГЛЯЭТ {г. Москва, 1S33-1994 гг.), кафедры полупрсесдаяссе^я it кяхрагдехтрокных пр:;бороа КПИ (г. Новгород, 1237 - 1S94 гг.), научко-^сследоезтельсясм институте пркклгд:яхї -ф«г;?хи (г. Москгл, 1935 г.), институте зхспср:;?гсііТ2Лїнс!і сетссралсги:» (г. ОЗнкмск, 1985 г.), на 11 Есесс«эз?«:й кемферекц:*.» "Г-!едепіфо;е.ии« отказоа из 2SM и статистических кепкпгягл нздїя-""* еягятрсяясл техники (г. Суздаль, 1305 г.), на Всероссийской конференции "Физические сскоеы дегрздецяи не,дк:ї?к>сті! ясяуяее^дшягсеыя ярябероз" (г. Кесеа. 1SD2 г.). на НТС Г!!!ЭТ. ПО "ПлгвдтаУПО "Сапфир" (1937 - 10ЭЗ гт.)- Публихгчжн. гчг.*ч\ fyrc*-». По **етер::гл~» диссертационной реботы сяубликоегко 45 научных ребот а еяда научных статен, описания изобретения, тезмсоз и текстеэ дзкладез из научных конференциях и совещаниях. 8 ссиозу диссертации положены результаты научных и научно - технических изысканий, шполпеякыя егтерем з период 1983 - Личное участка азтора з работах, иатеркзл которых язляется ОСКОЇОЙ диссертации, заключалось в разработке методик; разработке конструкций, яроектіфоегнки, создании и испытаниях измерительных и зкеперикентальмкх кокпг.ексоз; разработке конструкций и технологий изготовления ЙК нзяучгхяцих диодоа и фотояркегяииков, внедрение их а массовое произгодстео; единоличное или непосредственное участие в экспериментах. Теоретические и обобщающие положения диссертационно» работы сформулированы лично автором. Структура и объем работы, Диссертация состоят из б глаа, введения, заключения, списка литературы, приложения н содержит 308 страниц, мз ник 95 рисунков и 18 таблиц. Список литература включает 176 нанкгмсвгмий.
отечественных и згрубаягкмк толупроеодмихесьв: ептозлакгренн:*;****.
прпбероэ блю:<к2й и средней ПК области спзнтрз егтмгекеп»
излучения.
оптозлектренных приборов бтеккзй и средней ИК области спектрі
оптического излучения.
разработке »исгофун«циснаг.ък«к полупрегодкихсг-іїх
оптоэлзктронный прпбороз бля!янэй и средней ИК области спектра
сятичгскего излучения для алларзтуры широкого лрикгнамия:"
мг.п создаем ногуе гїгтог.я еп~::дзл2кка та:і::х :'~^r.trcpt;CT!::< е<я<
г,!^:.г.?.-жзсн::"і г.-глезо;} чузет^ггельноспі фотол"~Л2з »гз ir.Sb,
сс5стг-!«:сго косффі:!:гнта щг.-.л tv.tz-.icavtiia (20 - 60 Ом)
фэтсраз:?с?срках структур «а осне^е твердого
конструкции к технологии одиночных п кпъ-оог.ик^тклх. \*.\\
фоторезистороз из InSb и теердого полупро^сдп:.:',о=сго р-стсерз
С<УСі-хТв» охлаждаемых тер:я»я2:стр:г:сскими
і'.икрохолод.члькиксми.
фотспркемника средней ПК области спектра оптического
излучения с использованием гффзкта дисперсии оптического
излучения, сбеспечиеакэщая поскшеикыз, э сравнении с "езндвкч"-
струитурамн, детектирующие свойстса;
фоторезистсрез можно улучшить, если разделять цепи съема
фотоенгнада и смещения;
излучения ИК фотсприсмннясз дазлазсиоз 3-5 н 8*^* *****#
основанная иа принципе суперпока{«а дзу» потокоз кглучення;
напряжения' luywos ї4алошу«яц$йх «игяеггааа фэтсргззстороз (20
60 Ом) из узгозэняая гагяуйреза^^йоа Ctyigj-jje м InSb,
ос«огзикая «а срссасика уроггя «зЗшсюеах іауйоз с vxtoku^ou
те(и;ойых шужю, качсстье которого кспользугтся ксслэдускый
фоторезистор ь обесточенном cccras»»*.
фотореэисторов из твердого лолупрозоднкхобого раствора
Cd»H9t_xTe, позволяющая олткмизярозать реглана его работы;
детектирующие свойства - фоторгхкетороз из твердого
полупроводникового раствора Cd,Ha,.KTe п&секгкруэщкх покрігткй
не основе химических и акоднык сходных пл&гок. Устсгюаяскэ,
что лучшими детектирующими сеоГїстсімя с5яасот
фоторезисторы с анодным окислом;
поверхности фоторгзігстороа из твердого полулрогоднмяоеого
раствора Ccyfgj-»Te «огут вызвать рост уровня избыточных шумоа;
твердого полупрогоднтоЕОГО раствора Cd„Hg,_)(Te на основе
палладия являются омическим» и имеют низкий уровень шумоз.
обеспечена применением простых и хорошо апробированных
экспериментальных , методик, . комплексным -харадтеяоии^,,.
исследований,'' совпадением результатов независимых
экспериментов, ясной физической картиной изученных валений и
процессов, хорошо согласующихся с существующими
представлениями о принципах фукционированкя
Новгородском ЛО0Т "ПЛЛКЕТЛ" «когофунхц^нальны»
И!( фотодиода, чугстснтеяъиь.'З к излу.'Зі;::» а диапазонах 0.5-1.1 и
1.1-1.7 мкм;
экспериментальных м теоретических кссяадоганнй позашшл
разработать и снедрить е »4асеогог произведете»
коикураитнссшссбл^а, стаачерцу;г тргбзаа»;:;»* ї*с^чду;іродет?о
урвамя, мэетсфл^-Ч^^'5*1^ пэлуяроаэдчнхеехз
АЛ 164 н ее модификаций - СД-НП, согласоеаииых по спектру
иолучгния с ИК фотодиодами типа КДФИ5 и сбеспгчдсающих
еыпалнем;а отксчекних бьішз требоезннй;
гетероструктур GoAIAs обладают большей мощность» излучения о
сравнении с гомострухтурамн GaAs (Si) и хорошо согласуются по
спектру излучения с фотодиодами КДФ115 из сисо;сооі.;ного
кремния парки КЗФ-500.
6.3 м»:м с обнару^ітельиой способностью в максимуме
спектральной чувстсигеліиости DJ = 2Ю9смГц,/2 Вт"1 (создушный
радиатор) и в диапазоне 2 - 5.S имл с обкарулйггелъкой
способностью в «здеимуме спектральной чусстсмтєльноспі
DA -. а-ю*см-Гц,/2 Вт"' {содякой радиатор)
вольтовой чувствительности имеют в некотором диапазоне
те«перзтур область насыщения. Диапазон температур, при
которых наступает насыщение, зависит от концентрации носителей
заряда исходного материала и соответствующей данной
концентрации температурной зависимости времени жизни
носителей заряда;
шумов малошумящих низкоомиыя фоторезисторов (20 60 Ом) из
узкозонкых полупроводников CdxHg,.,Te и іп^Ь, основанная на
сравнении уровня нзбиточныя шумов с источником тепловых
тьердого полупрзз=»:'.асзго ргстезра Ссі/Ід^Тс обдздз;зт
пзрамемный сестгз, который є игчзлг н в конца роста
зпитсксизішнси плсіші вкгф- рзз;:о нгзднородяый cocras, а на
некоторой глубина ккегтея слой с относительно стгбидиида
составом. Поэтому для того, чтобы фэтопркеннкхн на основе
зпйтаксизлькгйй структур имели удосягтзорлтель^аз
детектнрусіциз ссойстш необходимо, во-тшршк, чтобы этот спой
улучшятъ, «сяа рог&рскхь цзпн счмткгзлия фотссигнала и
скодедшя;
1S94 гг.Похожие диссертации на Разработка и исследование многофункциональных полупроводниковых оптоэлектронных приборов для ближней и средней области спектра оптического излучения
