Электронная библиотека диссертаций и авторефератов России
dslib.net
Библиотека диссертаций
Навигация
Каталог диссертаций России
Англоязычные диссертации
Диссертации бесплатно
Предстоящие защиты
Рецензии на автореферат
Отчисления авторам
Мой кабинет
Заказы: забрать, оплатить
Мой личный счет
Мой профиль
Мой авторский профиль
Подписки на рассылки



расширенный поиск

Исследование и разработка GaAs СВЧ транзисторов, переключательных и ограничительных диодов и интегральных схем для модулей АФАР Аболдуев Игорь Михайлович

Исследование и разработка GaAs СВЧ транзисторов, переключательных и ограничительных диодов и интегральных схем для модулей АФАР
<
Исследование и разработка GaAs СВЧ транзисторов, переключательных и ограничительных диодов и интегральных схем для модулей АФАР Исследование и разработка GaAs СВЧ транзисторов, переключательных и ограничительных диодов и интегральных схем для модулей АФАР Исследование и разработка GaAs СВЧ транзисторов, переключательных и ограничительных диодов и интегральных схем для модулей АФАР Исследование и разработка GaAs СВЧ транзисторов, переключательных и ограничительных диодов и интегральных схем для модулей АФАР Исследование и разработка GaAs СВЧ транзисторов, переключательных и ограничительных диодов и интегральных схем для модулей АФАР Исследование и разработка GaAs СВЧ транзисторов, переключательных и ограничительных диодов и интегральных схем для модулей АФАР Исследование и разработка GaAs СВЧ транзисторов, переключательных и ограничительных диодов и интегральных схем для модулей АФАР Исследование и разработка GaAs СВЧ транзисторов, переключательных и ограничительных диодов и интегральных схем для модулей АФАР Исследование и разработка GaAs СВЧ транзисторов, переключательных и ограничительных диодов и интегральных схем для модулей АФАР Исследование и разработка GaAs СВЧ транзисторов, переключательных и ограничительных диодов и интегральных схем для модулей АФАР Исследование и разработка GaAs СВЧ транзисторов, переключательных и ограничительных диодов и интегральных схем для модулей АФАР Исследование и разработка GaAs СВЧ транзисторов, переключательных и ограничительных диодов и интегральных схем для модулей АФАР
>

Данный автореферат диссертации должен поступить в библиотеки в ближайшее время
Уведомить о поступлении

Диссертация - 480 руб., доставка 10 минут, круглосуточно, без выходных и праздников

Автореферат - 240 руб., доставка 1-3 часа, с 10-19 (Московское время), кроме воскресенья

Аболдуев Игорь Михайлович. Исследование и разработка GaAs СВЧ транзисторов, переключательных и ограничительных диодов и интегральных схем для модулей АФАР : диссертация ... кандидата технических наук : 05.27.01.- Москва, 2002.- 92 с.: ил. РГБ ОД, 61 03-5/758-3

Содержание к диссертации

Введение


стр. 4

Глава 1 Система параметров GaAs полевых транзисторов. 9

  1. Определение параметров структуры полевого транзистора (ПТБШ), характеризующих его работу на высоких частотах. 9

  2. Структура системы параметров ПТБШ. 14

1.2.1 Важнейшие параметры и параметры - критерии годности

для генераторных и усилительных ПТБШ. 15

  1. Максимально допустимые параметры ПТБШ. 17

  2. Справочные параметры и характеристики ПТБШ. 18

1.3 Методы измерения и парк измерительного оборудования,
обеспечивающий реализацию системы параметров

ПТБШ. 19

1.4 Выводы. 21

Глава 2 Проектирование ограничительных и переключательных СВЧ диодов на основе GaAs диодов с барьером Шоттки.

2.1 Устройство защиты приемного СВЧ тракта на основе

GaAs ограничительных и переключательных диодов. 29

2.2 Выводы. 33

Глава 3 Схемотехнические и конструктивно-технологические

принципы проектирования СВЧ модулей на основе GaAs
элементной базы. 47

3.1 Проектирование СВЧ микросхем на основе GaAs ПТБШ

и диодов. 47

  1. Проектирование СВЧ функциональных узлов передающего тракта. Усилители мощности. 51

  2. Монолитная интегральная схема регулируемого

усилителя. 53

3.4 Проектирование элементов приемного тракта. 54

3.4.1 Выбор элементной базы малошумящего СВЧ усилителя.

3.4.2 Выбор варианта схемы и элементной базы
малошумящего усилителя с защитой от высокого уровня
входной мощности. 55

3.5 СВЧ элементы для ППМ АФАР. 57

  1. Переключатели ПРМ-ПРД. 59

  2. МИС фазовращателя. 59

3.6 Выводы. 59

Глава 4 Структура приемопередающего модуля на основе
разработанной элементной базы.
4.1 Состояние с развитием РЛС на основе АФАР.

4.2 Выбор структурной схемы ППМ на основе

разработанной элементной базы. 74

4.3 Схема управления ППМ (СУ). 76

  1. Алгоритм управления и диагностики СУ. 76

  2. Алгоритм взаимодействия с центральным вычислителем

(ЦВ). 76

  1. Конструкция ППМ. 78

  2. Выводы 79

Заключение 89

Список литературы

Введение к работе

Диссертация является итогом научно-исследовательских и опытно-конструкторских работ её автора, проводившихся с 1972 по 2001г. Работа представляет собой комплекс исследований. На первом этапе проведены исследования, связанные с разработкой элементной базы для усиления и переключения сигналов, микроминиатюрных интегральных схем, создания научно обоснованной системы контрольных параметров, измерительной и испытательной аппаратуры для контроля качества продукции при разработке и в условиях производства. Заключительным этапом работы является создание приемопередающего модуля (ППМ) для системы АФАР. При этом следует подчеркнуть, что возможность создания ППМ появилась в середине 80-х годов, именно на базе предыдущих исследований, указанных выше.

Похожие диссертации на Исследование и разработка GaAs СВЧ транзисторов, переключательных и ограничительных диодов и интегральных схем для модулей АФАР