Импедансные свойства и характеристики варакторных полупроводниковых структур Поляков Михаил Юрьевич

Данный автореферат диссертации должен поступить в библиотеки в ближайшее время
Уведомить о поступлении

Диссертация, - 480 руб., доставка 1-3 часа, с 10-19 (Московское время), кроме воскресенья

Автореферат - 240 руб., доставка 1-3 часа, с 10-19 (Московское время), кроме воскресенья

Поляков Михаил Юрьевич. Импедансные свойства и характеристики варакторных полупроводниковых структур : диссертация ... кандидата технических наук : 05.27.01.- Москва, 2000.- 155 с.: ил. РГБ ОД, 61 02-5/1846-9

Похожие диссертации на Импедансные свойства и характеристики варакторных полупроводниковых структур

Частотные свойства и характеристики обратносмещенных коммутационных pin-диодных структурДроздовская, Людмила Михайловна

Исследование фотоэлектрических характеристик многослойных фоточувствительных структур с диффузионными p-n-переходамиАндреев, Дмитрий Валерьевич

Структура и электронные характеристики пиролизованного полиакрилонитрилаДавлетова Олеся Александровна

Прогнозирование и контроль параметров и характеристик приборов на основе структур "кремний-на-изоляторе"Кеньо, Галина Владимировна

Разработка технологических способов управления морфологией поверхности и электрофизическими характеристиками фоточувствительных полупроводников и структур на их основеМаляр, Иван Владиславович

Моделирование и исследование полупроводниковых структур с вольт-амперными характеристиками N-типа и приборов на их основеНовоселов, Алексей Юрьевич

Атомная структура и электронно-энергетические характеристики углеродных нанотрубок сложной формыКолесникова, Анна Сергеевна

Люминесцентные свойства структур на основе кремния в области длин волн 1,5-1,6 мкм Крыжков Денис Игоревич

Влияние дефектов на электрофизические свойства структур металл-полупроводник и металл-диэлектрик-полупроводникБогданов Сергей Александрович

Электронные свойства структур с квантовой ямой InxGa1-xAs (0.2 x 0.6) на подложках GaAs и InPЮзеева, Наталия Александровна