Введение к работе
альность теми. Одной из наиболее важных и интересных проблем современной фи-ксндепсированного состояния является определение симметрии спаривания в вы-гемпературных сверхпроводниках, а также механизмов, которые приводят к сверх-эдимости при высоких температурах. Возиикает проблема поиска методов и те-с помощь» которых можно различить типы спаривания из, возможных кандидатов юзначпо определить симметрию параметра порядка. В этом плане исследование ятных и транспортних свойств сверхпроводников с анизотропным спариванием ггавляет большой интерес поскольку оно позволяет выяелть природу сверхпрово-го состояния в ВТСГІ и в некоторых сверхпроводниках с тяжёлыми фермиояами 'z, CtCuiSii и т.д.), спаривание в которых сильно анизотропно. Анизотропия «етра порядка приводит к новым физическим эффектам и свойствам, которые -.твенно отличаются от свойств обычных изотропкыхсверхпроводников. Позто-ученпе свойств сверхпроводников с анизотропным спариванием необходимо как онимания природы сверхпроводимости, так я для возможных новых применений І, в частности, в сверхпрсчодииковой микроэлектронике.
з работы является нахоядение характерных особенностей магнитных и тране-ых свойств сверхпроводников с анизотропным параметром порядка, а также ис-запие возможности идентификации типов спаривания в анизотропных сверхпро-ках. іая новизна результатов заключается в следующем:
Впервые аналитически нсследоваиы связанные состояния кказичастиц, возникающие вблизи поверхности сверхпроводников с анизотропным спариванием. Показано, что связанные состояния с ненулевой энергией возникают при любом, даже сколь угодно малом, подавлении параметра порядка вблизи границы. Получено выражение для зависимости энергии связанных состояний Єв(р) от направления падающего на границу импульса. Показано,-что функция д(р) всегда имеет экстремум в направлении на нормаль.
Впервые исследованы характерные особенности вольт-амперных характеристик 'ВАХ) туннельных контактов между сверхпроводниками с анизотропным спарп-іанпем, возникающие из-за появления связанных состояния квазичастиц вблизи 1ЛОСКОСТИ туннельного барьера. Возникновение связанных состояний приводит '- тому, что ВАХ будут иметь новые пики и скачки.
впервые показано, что зависимость кондактанса NIS-контакта от напряжения при іизких температурах может иметь дополнительные пики при отличных от нуля спряжениях. Эти пики возникают от вклада связанных состоянии с ненулевой нергиен и их положение может дать информацию об анизотропной параметре орядка в глубине сверхпроводника.'
(первые показано, что зависимость верхнего критического поля плёнки из еяерх-
роводника с двухкомпоиентпым параметром порядка может иметь излом из-за
пшшия границ. ' - ,. '
редложен новый тест, позволяющий различить Е\ и Е'2 тины спаривания в "пче-ігонально!,! сверхпроводнике вбл«зи-Гс. Тест основан на измерении заниаі'.пк ти ГсгС^) в пленке для двух разных ориентации кристалла относительно границ,
сследовапо влияние различного поведения параметра порядка ьблизн нулей на готность состояний при'малых энергиях (для однородного .я смешанного гласит сверхпроводника), низкотемпературное поведение удельно:'! генлоеик'к.чи..
глубины проникновения магнитного поля и теплопроводности, ВАХ SIS и . туннельных контактов при низких напряжениях. Показано, что недавние эю рименты по теплопроводности в UPt% ножно объяснить только если парал порядка имеет как линию, так и точки нулей на поверхности Ферми. \
Перечисленные результаты получены впервые и выносятся на защиту. Практическое значение настоящей работы состоит в том, что экспериментальное Ы ружеяий обсуждаемых в ней эффектов и их анализ на основе полученных резульк могут быть использованы для идентификации типов спаривания в анизотропных св< проводниках, в частности, для обнаружения изменения знака параметра порядка на верхности Ферми, Найденные особенности вольт-амперных характеристик туннелы контактов между сверхпроводниками с анизотропным спариванием можно использої в сверхпроводниковой микроэлектронике.
Апробация работы. Результаты диссертационной работы докладывались на Обще сковском семинаре Физического института РАН (руководитель - академик В.Л. Гі бург), семинаре Института физических проблем, семинаре Отделения теоретичес физики ФИАН, а также на Пятом Международном симпозиуме "Неоднородные а тронные состояния" (Новосибирск, 1995), Международной конференции "Сверхпр< димость: Физические аспекты" (Харьков, 1995), Международной конференции "С метрия параметра порядка в ВТСП" (Анкара, 1996), 21-й Международной конфереп по физике низких температур (Прага, 1996), 38-й и 39-й научных конференциях МФ' Структура и объем диссертации. Работа состоит из введения, четырех глав, заклк ния, приложения и списка литературы из 135 наименований. Общий объем днесерта - 118 страниц, включая 20 рисунков и 2 таблицы.
