Введение к работе
Актуальность проблемы
К числу современных направлений, развивающихся на стыке физики полупроводников и радиофизики, можно отнести исследования взаимодействия электромагнитных полей в электродинамических системах с полупроводниковыми элементами. Важным фактором, стимулирующим проведение этих исследований, является открытие новых физических эффектов в полупроводниках, на основе которых разработаны и широко внедрены в практику устройства СВЧ различного назначения: твердотельные источники электромагнитных колебаний, усилители СВЧ, полупроводниковые приборы для преобразования и управления энергией электромагнитных волн.
Традиционным до настоящего времени в физике полупроводников и радиофизике можно считать подход, основанный на предположении о том, что характер взаимодействия электромагнитного излучения СВЧ-диапазона с полупроводниковыми элементами определяется свойствами полупроводниковых структур, параметры которых зависят только от технологических особенностей их создания и могут изменяться в результате воздействия температуры, постоянных электрических и магнитных полей и излучения оптического диапазона.
Гораздо менее изученным является рассмотрение взаимодействия с полупроводниковыми элементами электромагнитных полей с учетом сложного характера их распределения в конкретных электродинамических системах и зависимости параметров полупроводниковых структур от уровня мощности воздействующего СВЧ-сигнала.
Проведение таких исследований затруднено тем, что для строгого теоретического описания физических процессов, протекающих в полупроводниковых элементах при воздействии на них СВЧ-излуче-ния, и, в частности, для определения параметров их эквивалентных схем оказывается необходимым решать систему нелинейных дифференциальных уравнений. Эта система уравнений еще более усложняется в случае, когда на полупроводниковую структуру воздействуют постоянные электрические и магнитные поля, излучение оптического диапазона.
При теоретическом описании и экспериментальных исследованиях взаимодействия электромагнитного излучения СВЧ-диапазона с полупроводниковыми приборами оказывается необходимым рассматривать не только физические процессы, протекающие в полупроводниковых структурах при воздействии на них СВЧ-излучения,
но и решать сложные задачи по нахождению распределения поля в электродинамической системе с полупроводниковыми элементами, размещенными в ней с помощью специальных держателей. Строгое рассмотрение таких систем с полупроводниковыми элементами может быть получено лишь при совместном решении поставленных выше задач.
При описании свойств полупроводниковых приборов на СВЧ часто считают возможным использовать их стационарные или малосигнальные характеристики (вольт-амперную характеристику, импеданс). Такой подход в ряде случаев позволяет успешно конструировать различного типа СВЧ-устройства на полупроводниковых приборах.
Однако, с увеличением уровня воздействующей СВЧ-мощности наблюдается существенное изменение как высокочастотных характеристик полупроводниковых приборов, так и их режимов работы по постоянному току.
Воздействие СВЧ-излучения высокого уровня качественным образом изменяет спектр выходного сигнала СВЧ-устройств на полупроводниковых приборах: становится возможным генерация субгармонических составляющих и шума, наблюдается модуляция выходного СВЧ-сигнала сравнительно более низкочастотными колебаниями, частота и форма которых зависят от частоты и амплитуды входного сигнала, проявляется гистерезисный характер зависимостей выходных характеристик, наблюдается эффект автодинно-го детектирования в полупроводниковых приборах с отрицательным сопротивлением.
Поведение различных типов полупроводниковых приборов под действием СВЧ-излучения имеет свою специфику. Учет описанных эффектов существенен при анализе использования различного типа полупроводниковых приборов СВЧ, при определении условий их эксплуатации и областей применения. Использование этих эффектов позволяет создавать различного типа измерители, предотвращение их появления позволяет улучшить основные характеристики некоторых типов устройств.
По сравнению с приборами вакуумной электроники зависимость параметров твердотельных приборов СВЧ от таких внешних факторов как температура, освещение может проявляться гораздо более существенным образом, что обусловлено сильно выраженной зависимостью от этих факторов свойств полупроводниковых материалов. Кроме того, характеристики полупроводниковых материалов и при-
боров могут существенным образом зависеть от величины и ориентации магнитного и электрического полей. Вследствие этого важное значение при разработке и определении условий эксплуатации полупроводниковых СВЧ-приборов имеет исследование их модуляционных характеристик.
Анализ исследований, посвященных рассмотрению взаимодействия электромагнитного излучения СВЧ-диапазона с полупроводниковыми элементами, позволяет сделать вывод о том, что до настоящего времени в большинстве случаев многие авторы, стремясь как можно более строго решить электродинамическую задачу, представляют полупроводниковые активные элементы, используя сильно упрощенные модели.
С другой стороны при изучении процессов, протекающих в полупроводниковых элементах при воздействии на них СВЧ-излучения, часто не учитывают сложного характера распределения электромагнитного поля в конкретных электродинамических системах, в которые помещаются исследуемые полупроводниковые элементы.
Такой односторонний подход к решению проблемы создания СВЧ-устройств на полупроводниковых элементах, по мнению ряда авторов, привел к задержке на несколько лет разработки новых полупроводниковых СВЧ-генераторов, мощных полупроводниковых устройств СВЧ-диапазона, достижения максимальных значений коэффициента полезного действия, предельной частоты и мощности, повышения их надежности, адекватного описания характеристик новых СВЧ-устройств. Для решения этих задач требовалось проведение трудоемких экспериментальных исследований.
В связи с этим является актуальным проведение целенаправленного комплекса теоретических и экспериментальных исследований взаимодействия с полупроводниковыми элементами электромагнитных полей с учетом сложного характера их распределения в конкретных электродинамических системах и зависимости параметров полупроводниковых структур от уровня мощности воздействующего СВЧ-сигнала, оптического излучения, постоянных электрических и магнитных полей.
Проведение целенаправленного комплекса таких исследований может позволить обнаружить новые физические явления в полупроводниковых приборах, создать на их основе новые типы твердотельных СВЧ-устройств, а также улучшить характеристики устройств, уже получивших широкое распространение в различных областях техники СВЧ, и, тем самым, еще более расширить области их применения.
Цель диссертационной работы
Установление, в результате проведения теоретических и экспе
риментальных исследований взаимодействия электромагнитных
полей с полупроводниковыми приборами, новых физических за
кономерностей, связанных с учетом
сложного характера распределения электромагнитных полей в конкретных электродинамических системах,
зависимости параметров полупроводниковых структур от уровня мощности воздействующего СВЧ-сигнала, оптического излучения, постоянных электрических и магнитных полей;
разработка и создание на их основе новых типов СВЧ-устройств.
Для достижения поставленной цели были решены следующие задачи
-
Теоретическое и экспериментальное исследование изменения стационарных характеристик полупроводниковых приборов при воздействии на них СВЧ-излучения.
-
Теоретическое и экспериментальное исследование низкочастотного спектра выходного сигнала СВЧ-устройств на полупроводниковых приборах.
-
Установление механизма влияния стационарного магнитного поля нахарактеристики полупроводниковыхдиодных генераторов СВЧ.
-
Выявление механизмов воздействия оптического излучения на характеристики СВЧ-устройств на полупроводниковых приборах.
-
Использование эффектов нелинейного взаимодействия электромагнитного излучения с полупроводниковыми структурами для разработки новых методов и средств радиоволнового контроля.
Научная новизна
1. Впервые проведен целенаправленный комплекс теоретических и экспериментальных исследований взаимодействия электромагнитных полей с полупроводниковыми приборами по установлению новых физических закономерностей, связанных с учетом сложного характера распределения электромагнитного поля в конкретных электродинамических системах и зависимости параметров полупроводниковых структур от уровня мощности воздействующего СВЧ-сигнала, оптического излучения, постоянных электрических и магнитных полей.
-
Установлено теоретически и подтверждено экспериментально, что воздействие внешнего СВЧ-сигнала на полупроводниковые структуры с туннельно-тонкими р — n-переходами приводит к исчезновению на вольт-амперных характеристиках таких структур участков с отрицательным дифференциальным сопротивлением, что связано с уменьшением туннельной компоненты, резким увеличением диффузионной компоненты полного тока, вследствие разогрева свободных носителей заряда, и появлением продетектированного сигнала.
-
Выявлена возможность как исчезновения областей отрицательного наклона, так и возникновения дополнительных максимумов на вольт-амперных характеристиках последовательно соединенных туннельных диодов под действием греющего СВЧ-поля.
-
Обнаружен эффект возникновения отрицательного дифференциального сопротивления на вольт-амперных характеристиках диодных структур на основе невырожденного р — n-перехода при воздействии на них высокого уровня СВЧ-мощности.
-
Теоретически описан экспериментально наблюдающийся эффект возникновения отрицательного дифференциального сопротивления в р — і — n-диодных структурах и диодных структурах на основе р — n-перехода при воздействии на них СВЧ-излучения в результате учета детекторного эффекта, разогрева носителей заряда и зависимости импеданса полупроводниковой структуры от уровня входной СВЧ-мощности.
-
Теоретически описан и экспериментально исследован эффект ав-тодинного детектирования в многоконтурном генераторе на диоде Ганна с низкочастотным колебательным контуром в цепи питания. Обнаружено, что изменение нагрузки в СВЧ- и НЧ-цепях могут вызывать изменение продетектированных в этих цепях сигналов как одинакового, так и противоположного знаков. Установлено, что наблюдавшиеся экспериментально локальные максимумы и минимумы на зависимостях продетектированного сигнала от изменения нагрузки в СВЧ-цепи, обусловлены наличием в спектре выходного сигнала СВЧ-генератора на диоде Ганна высших гармоник.
7. Установлена экспериментально и описана теоретически взаи
мосвязь сопротивления диодов Ганна в слабых электрических полях
с выходной мощностью генераторов на их основе и нестабильностью
характеристик выходного сигнала.
8. Обнаружен экспериментально и описан теоретически режим
релаксационных низкочастотных колебаний в генераторах на дио-
дах Ганна и явление гистерезиса в возникновении низкочастотных колебаний.
9. Экспериментально установлена и теоретически обоснована возможность существования субгармонических составляющих в спектре выходного сигнала СВЧ-усилителя на GaAs ПТШ. Определены интервалы значений входной мощности, режимов работы ПТШ по постоянному току и параметры внешней СВЧ-схемы, при которых возникают и существуют субгармонические колебания.
-
В полупроводниковых СВЧ-генераторах обнаружен эффект невзаимности, заключающийся в зависимости амплитуды и частоты генерации сигнала от направления внешнего магнитного поля при сохранении его величины. Степень проявления эффекта определяется параметрами электродинамической системы, в которую включен полупроводниковый активный элемент, и характеристиками самих полупроводниковых элементов, зависящими от технологических особенностей их создания и режимов работы по постоянному току.
-
Установлены два механизма влияния оптического излучения на частоту и мощность сигнала генераторов на диодах Ганна: тепловой и концентрационный. Показано, что величина и знак сдвига частоты генерации, вызванного этими механизмами влияния оптического излучения на диод, определяются электродинамическими параметрами генераторной секции. В зависимости от этих параметров оба механизма: тепловой и концентрационный — могут приводить к сдвигам частоты как одного, так и разных знаков.
-
Теоретически и экспериментально исследовано влияние оптического излучения на статические характеристики GaAs ПТШ и спектральные характеристики выходного сигнала СВЧ-усилителя на его основе, работающего в режиме большого сигнала. Исследован эффект изменения спектральных характеристик выходного сигнала усилителя на GaAs ПТШ под действием оптического излучения в широком диапазоне значений входного СВЧ-сигнала. Установлены режимы работы ПТШ и значения уровней СВЧ- и оптического сигналов, при которых наблюдается максимальное проявление эффектов усиления или подавления высших гармоник в спектре выходного сигнала СВЧ-усилителя под действием оптического излучения. Показано качественное соответствие теоретических и экспериментальных результатов.
-
На основе проведенных теоретических и экспериментальных исследований предложены новые типы СВЧ-устройств и новые способы неразрушающего контроля.
Достоверность результатов диссертации
Достоверность теоретических результатов обеспечивается строгостью используемых математических моделей, корректностью упрощающих допущений, сходимостью вычислительных процессов к искомым решениям, выполнимостью предельных переходов к известным решениям, соответствием результатов расчета эксперименту.
Достоверность экспериментальных результатов обеспечена применением современной стандартной измерительной аппаратуры, обработкой экспериментальных данных с помощью современных методов с использованием ЭВМ, успешным использованием на практике приборов, в основу работы которых положены результаты проведенных исследований.
Практическая значимость работы
Показана эффективность управления характеристиками полупроводниковых структур с туннельно-тонкими р — п-переходами греющим СВЧ-полем, что представляет интерес при создании устройств СВЧ-диапазона, быстродействующих аналоговых и цифровых устройств обработки информации.
Эффект возникновения ОДС на стационарных вольт-амперных характеристиках р — і — n-диодных структур и структур на основе невырожденного р — гг-перехода при воздействии СВЧ-излучения может быть использован при создании генераторов и усилителей с управляемым отрицательным сопротивлением.
Установлена возможность прогнозирования основных характеристик СВЧ-генераторов на диодах Ганна по величине их сопротивления в слабых электрических полях.
Эффект невзаимности, обнаруженный в полупроводниковых СВЧ-генераторах, может быть использован для уточнения условий их эксплуатации, а также для оценки погрешности при исследовании параметров полупроводниковых структур СВЧ-методами при наличии магнитного поля.
Показана возможность создания оптически управляемых СВЧ-генераторов на диодах Ганна и детекторов импульсного излучения видимого и инфракрасного диапазонов на их основе.
Теоретические и экспериментальные результаты, полученные при исследовании влияния оптического излучения на вольт-амперные характеристики, коэффициент усиления и спектр выходного сигнала СВЧ-усилителя на ПТПІ могут быть использованы при создании нового класса твердотельных приборов с оптическим управлением. В частности, показана возможность уменьшения нелинейных
искажений в СВЧ-усилителе, работающем с различными уровнями входной мощности с помощью оптического сигнала.
В результате проведенных исследований разработаны и созданы новые приборы для контроля параметров тонких металлических пленок и диэлектрических слоев, параметров вибраций и перемещений, электропроводности водных растворов, принцип действия которых основан на эффекте автодинного детектирования в полупроводниковых СВЧ-генераторах.
Основные положения, выносимые на защиту
-
Воздействие внешнего СВЧ-сигнала на полупроводниковые структуры с туннельно-тонкими р — n-переходами приводит к исчезновению на вольт-амперных характеристиках таких структур участков с отрицательным дифференциальным сопротивлением, что связано с уменьшением туннельной компоненты, резким увеличением диффузионной компоненты полного тока, вследствие разогрева свободных носителей заряда и появлением продетектированного сигнала.
-
На вольт-амперных характеристиках последовательно соединенных туннельных диодов под действием греющего СВЧ-поля наблюдается как исчезновение областей отрицательного наклона, так и возникновение дополнительных максимумов.
-
Учет детекторного эффекта, разогрева носителей заряда и зависимости импеданса полупроводниковой структуры от уровня входной СВЧ-мощности позволяет адекватно объяснить экспериментально наблюдающийся эффект возникновения отрицательного дифференциального сопротивления на вольт-амперных характеристиках р — і — n-диодных структур и диодных структур на основе невырожденного р — n-перехода при воздействии на них высокого уровня СВЧ-мощности.
4. С ростом сопротивления диодов Ганна в слабых электрических
полях одновременно с уменьшением выходной мощности генераторов
на их основе уменьшается величина долговременной нестабильности
характеристик выходного сигнала генераторов, обусловленная изме
нением условий теплопередачи и температуры окружающей среды.
5. В многоконтурном генераторе на диоде Ганна с низкочастотным
колебательным контуром в цепи питания изменение нагрузки в СВЧ-
и НЧ-цепях могут вызывать изменение продетектированных в этих
цепях сигналов как одинакового, так и противоположного знаков. На
блюдающиеся экспериментально локальные максимумы и минимумы
на зависимостях продетектированного сигнала от изменения нагруз-
ки в СВЧ-цепи обусловлены наличием в спектре выходного сигнала СВЧ-генератора на диоде Ганна высших гармоник.
-
При возникновении НЧ-колебаний в цепях питания СВЧ-гене-раторов на диодах Ганна наблюдается явление гистерезиса при напряжениях смещения, существенно превышающих пороговое. Форма НЧ-колебаний имеет вид, характерный для релаксационного режима.
-
При воздействии мощного СВЧ-сигнала в спектре выходного сигнала СВЧ-усилителя на GaAs ПТШ при определенных значениях входной мощности, режимах работы ПТШ по постоянному току и параметрах внешней СВЧ-схемы возникают субгармонические составляющие.
-
В полупроводниковых диодных СВЧ-генераторах, находящихся в постоянном магнитном поле, наблюдается эффект невзаимности, заключающийся в зависимости амплитуды и частоты генерации сигнала от направления внешнего магнитного поля при сохранении его величины. Степень проявления эффекта определяется параметрами электродинамической системы, в которую включен полупроводниковый активный элемент, и характеристиками самих полупроводниковых элементов, параметры которых зависят от технологических особенностей их создания и режимов работы по постоянному току.
-
Тепловой и концентрационный механизмы влияния оптического излучения на работу генераторов на диодах Ганна в зависимости от электродинамических параметров генераторной секции могут приводить к сдвигам частоты как одного, так и разных знаков. Максимальное проявление эффектов усиления или подавления высших гармоник в спектре выходного сигнала СВЧ-усилителя под действием оптического излучения определяется режимами работы ПТШ и значениями уровней СВЧ- и оптического сигналов.
10. На защиту выносится группа новых типов СВЧ-устройств, созданных на основе эффекта автодинного детектирования в полупроводниковых СВЧ-генераторах и защищенных патентами и авторскими свидетельствами на изобретения.
Настоящая диссертация выполнена на кафедре физики твердого тела Саратовского государственного университета, в НИИ механики и физики при СГУ. Она является обобщением работ автора, выполненных в период с 1980 по 1998 гг. по одной из актуальных проблем физики полупроводников и радиофизике, заключающейся в теоретическом и экспериментальном исследовании взаимодействия электромагнитных полей в электродинамических системах с полупроводниковыми элементами.
Совокупность научных результатов, изложенных в диссертации, можно рассматривать как решение крупной научной проблемы по исследованию взаимодействия с полупроводниковыми элементами электромагнитных полей с учетом сложного характера их распределения в конкретных электродинамических системах и зависимости параметров полупроводниковых структур от уровня мощности воздействующего СВЧ-сигнала, оптического излучения, постоянных электрических и магнитных полей.
В результате решения этой научной проблемы установлены
новые физические закономерности в модуляционных характеристиках полупроводниковых приборов СВЧ;
новые физические явления, наблюдающиеся в этих приборах при воздействии электромагнитного излучения оптического и СВЧ-диапазонов, постоянных электрических и магнитных полей;
разработаны, созданы и внедрены
новые типы твердотельных СВЧ-устройств, обладающие улуч
шенными характеристиками по сравнению с известными устройства
ми аналогичного назначения, что имеет важное народнохозяйствен
ное значение.
Реализация результатов в народном хозяйстве
Исследования выполнены в соответствии с:
координационными планами НИР АН СССР на 1981-1985 гг. и 1986-1990 гг.;
координационным планом НИР высших учебных заведений системы Минвуза СССР в области физики полупроводников на 1986-1990гг.;
комплексной научно-технической программой Минвуза РСФСР «Датчик» на 1986-1990 гг.;
межвузовской программой НИР на 1986-1990 гг. «Научное приборостроение»;
НИР «Параметр», проводимой согласно постановлению ГКНТ СССР и включенной в народнохозяйственный план социального и экономического развития РСФСР на 1985 г.;
программой фундаментальных исследований «Физика твердого тела» по проблеме «Неразрушающие физические методы контроля» ООФА АН СССР на 1991-1995 гг.;
научно-технической программой Гособразования СССР на 1989-1992 гг. «Новые технологии и автоматизация процессов в машиностроении»;
межвузовской инновационной научно-технической программой Госкомвуза РФ на 1991-1993 гг. «Исследование, разработка, освоение и выпуск наукоемкой продукции для отраслей народного хозяйства РФ»;
межвузовской инновационной научно-технической программой Госкомвуза РФ на 1991—1993 гг. «Мелкосерийная и малотоннажная наукоемкая продукция»;
межвузовской научно-технической программой «Неразрушающий контроль и диагностика» Минобразования РФ на 1991-1994 гг. и 1995-1997 гг.;
межвузовской инновационной научно-технической программой «Тран-сферные технологии, комплексы и оборудование в машиностроении» на 1993-1994 гг. и 1995-1997 гг.;
грантами Государственного Комитета РФ по высшему образованию в области радиотехники и электроники 1992-1993 гг., (МИЭТ ТУ); 1994-1995 гг. № гос. per. 94-1-74, № 01940005020; 1995-1997 гг. № 95-3-67;
научно-технической программой «Вузовская наука регионам»на 1997-2000 гг.;
научно-технической программой Минобразования РФ «Электроника», подпрограмма «Микроэлектронные технологии изделий электронной техники» на 1997-2000 гг.;
планами НИР СГУ на 1993-2000гг.;
Разработанные в ходе выполнения диссертации приборы экспонировались на:
ВДНХ СССР в Москве в 1985-1989 гг.;
выставке «Ученые Минвуза РСФСР — народному хозяйству страны» в Москве в 1985 г.;
Международных выставках «ТЕЛЕКОМ-87» (Женева — 1987г.), «Советская Россия сегодня» (Прага — 1987г.);
Всесоюзной выставке «Ученые Поволжья — народному хозяйству» в Москве в 1989 г.;
IV, V, VI, VII Российских выставках-конференциях в 1991, 1993, 1995, 1997 гг. в Саратове, Ульяновске, Череповце;
Международных выставках «МЕРА-92» и «МЕРА-93» в Москве в 1992,1993 гг.;
Российской с международным участием выставке-конференции «Неразрушающий контроль в науке и индустрии» в Москве в 1994 г.;
Российской выставке «Достижения вузов России в машиностроении» в Москве в 1992 г.;
годичных собраниях межвузовских инновационных научно-технических программ Минобразования РФ «Мелкосерийная и малотоннажная наукоемкая продукция», «Трансферные технологии, комплексы и оборудование в машиностроении» в С.-Петербурге и в Саратове в 1991-1997 гг.
Один из вариантов приборов, созданных в результате проведенных автором диссертации исследований, отмечен бронзовой медалью ВДНХ СССР за 1987 г.
Разработанные в ходе выполнения диссертации СВЧ-измери-тели выпущены в виде опытных партий на заводе «Тантал», в Центральном НИИ измерительной аппаратуры, НИИ механики и физики при СГУ в рамках госзаказа на 1987-1989 гг. и внедрены в НПО «Молния», НПО «Энергия», НПО «Исток» в рамках НИОКР «Самшит», ЦНИИИА, ГНПП «Алмаз», НИИ ПМЭ МАИ, МАИ, СНИИМ, ВНИИ «Электронстандарт», СЗПИ; переданы предприятиям электронной промышленности КНР по заключенным с ними контрактам.
Разработанные в рамках диссертации методы измерения параметров тонких металлических и диэлектрических слоев и выпущенные в виде опытных серий СВЧ-измерители типа СИТ-40, принцип действия которых основан на эффекте автодинного детектирования в полупроводниковых СВЧ-генераторах, включены в число распространенных методов и средств неразрушающего контроля авторами 5-ти томного практического пособия «Неразрушающий контроль» под ред. В. В. Сухорукова.
Апробация работы
Основные результаты диссертационной работы доложены на:
V и VI Всесоюзных совещаниях по исследованию арсенида галлия в Томске в 1982, 1987 гг.;
X Всесоюзной научной конференции «Электроника сверхвысоких частот» в Минске в 1983 г.;
Всесоюзном совещании-семинаре «Взаимодействие электромагнитных волн с полупроводниками и полупроводниково-диэлектрическими структурами и проблемы создания интегральных СВЧ-схем» в Саратове в 1985 г.;
межведомственном научно-техническом совещании «Состояние и тенденции развития метрики полупроводниковых и диэлектрических структур» в Саратове в 1986 г.;
42 Всесоюзной научной сессии, посвященной дню радио в Москве в 1987 г.;
VI Всесоюзной научно-технической конференции «Методы и средства измерений электромагнитных характеристик материалов на ВЧ и СВЧ» в Новосибирске в 1987 г.;
XI Всесоюзной научно-технической конференции «Неразрушающие физические методы и средства контроля» в Москве в 1987 г.;
11 Всесоюзной научной конференции «Электроника СВЧ» в Орджоникидзе в 1986 г.;
8 Krajowa Konferencja Microfalowa "MIKON-88" в Гданьске (Польша) в 1988г.;
10 Всесоюзном семинаре по методам решения внутренних краевых задач электродинамики в Вильнюсе в 1988 г.;
44 Всесоюзной научной сессии, посвященной Дню радио, в Новосибирске в 1989 г.;
Всесоюзной научной конференции «Волновые и вибрационные процессы в машиностроении» в Горьком в 1989 г.;
4 Всесоюзной научно-технической конференции и выставке «Контроль толщины покрытий и его метрологическое обеспечение» в Ижевске в 1990 г.;
12 Всесоюзной научно-технической конференции по твердотельной электронике СВЧ в Киеве в 1990 г.;
Всесоюзной научно-технической конференции «Приборы с отрицательным сопротивлением и интегральные преобразователи на их основе» в Баку в 1991 г.;
Международной научно-технической конференции «Актуальные проблемы электронного приборостроения» (АПЭП-92) в Новосибирске в 1992 г.;
13 научно-технической конференции «Неразрушающие физические методы и средства контроля» в С.-Петербурге в 1993 г.;
Российской научно-технической конференции с международным участием «Неразрушающий контроль в науке и индустрии-94» в Москве в 1994 г.;
X International Microwave Conference MIKON-94 Ksiaz Castle (Польша) в 1994 г.;
IV, V, VI Российских научно-технических конференциях с международным участием «Оптические, радиоволновые, тепловые методы и средства неразрушающего контроля» в Саратове в 1991, 1995 гг., Ульяновске в 1993 г.;
XI International MicroWave Conference MIKON-9G в Варшаве (Польша) в 1996 г.;
Международной научно-технической конференции «Актуальные проблемы электронного машиностроения» в Саратове в 1996 г.;
III и IV Всероссийских научно-технических конференциях с международным участием «Актуальные проблемы твердотельной электроники и микроэлектроники» в Дивноморском в 1996, 1997 гг.;
Всероссийской межвузовской научной конференции «Современные проблемы электроники и радиофизики СВЧ» в Саратове в 1997 г.;
VII Международной научно-технической конференции «Оптические, радиоволновые, тепловые методы и средства контроля природной среды, материалов и промышленных изделий» в Череповце в 1997 г.;
I, II Всероссийских научно-технических конференциях с международным участием «Электроника и информатика» в Зеленограде в 1995, 1997 гг.;
III Международной конференции «Экология. Экологическое образование. Нелинейное мышление» в Воронеже в 1997 г.;
21 International Conference on Microelectronics MIEL'97 в Ниш (Югославия) в 1997 г.,
а также на объединенном научном семинаре кафедр физики твердого тела, физики полупроводников, электроники и волновых процессов Саратовского госуниверситета.
Публикации
По материалам диссертации опубликована 91 научная работа, включая 29 статей, 2 патента и 5 авторских свидетельств на изобретения. Результаты диссертации использованы в двух учебных пособиях, рекомендованных к изданию Министерством общего и профессионального образования РФ.
Материалы диссертации используются в разработанном цикле лекций «Явления переноса в структурах с туннельно-тонкими полупроводниковыми слоями» в рамках курса «Физика твердого тела» и практикуме по курсу лекций «Измерение параметров полупроводников на СВЧ».
Структура и объем диссертации
