Электронная библиотека диссертаций и авторефератов России
dslib.net
Библиотека диссертаций
Навигация
Каталог диссертаций России
Англоязычные диссертации
Диссертации бесплатно
Предстоящие защиты
Рецензии на автореферат
Отчисления авторам
Мой кабинет
Заказы: забрать, оплатить
Мой личный счет
Мой профиль
Мой авторский профиль
Подписки на рассылки



расширенный поиск

Сверхбыстрые процессы в полупроводниках в условиях образования электрон-дырочной плазмы с высокой концентрацией носителей при воздействии инфракрасных фемтосекундных лазерных импульсов Овчинников Андрей Владимирович

Сверхбыстрые процессы в полупроводниках в условиях образования электрон-дырочной плазмы с высокой концентрацией носителей при воздействии инфракрасных фемтосекундных лазерных импульсов
<
Сверхбыстрые процессы в полупроводниках в условиях образования электрон-дырочной плазмы с высокой концентрацией носителей при воздействии инфракрасных фемтосекундных лазерных импульсов Сверхбыстрые процессы в полупроводниках в условиях образования электрон-дырочной плазмы с высокой концентрацией носителей при воздействии инфракрасных фемтосекундных лазерных импульсов Сверхбыстрые процессы в полупроводниках в условиях образования электрон-дырочной плазмы с высокой концентрацией носителей при воздействии инфракрасных фемтосекундных лазерных импульсов Сверхбыстрые процессы в полупроводниках в условиях образования электрон-дырочной плазмы с высокой концентрацией носителей при воздействии инфракрасных фемтосекундных лазерных импульсов Сверхбыстрые процессы в полупроводниках в условиях образования электрон-дырочной плазмы с высокой концентрацией носителей при воздействии инфракрасных фемтосекундных лазерных импульсов
>

Диссертация, - 480 руб., доставка 1-3 часа, с 10-19 (Московское время), кроме воскресенья

Автореферат - бесплатно, доставка 10 минут, круглосуточно, без выходных и праздников

Овчинников Андрей Владимирович. Сверхбыстрые процессы в полупроводниках в условиях образования электрон-дырочной плазмы с высокой концентрацией носителей при воздействии инфракрасных фемтосекундных лазерных импульсов : диссертация ... кандидата физико-математических наук : 01.04.08 Москва, 2007 113 с., Библиогр.: с. 105-113 РГБ ОД, 61:07-1/1400

Введение к работе

Актуальность темы

Уникальные характеристики излучения фемтосекундных лазеров дают возможность использовать их в фундаментальной науке, технике и медицине. Быстрое развитие фемтосекундных лазерных систем за последние два десятилетия привело к созданию большого многообразия таких лазеров по значениям выходной энергии, длительности импульса и длинам волн. Разработка фемтосекундных лазеров позволила не только получить рекордные плотности, мощности и температуры, но и изучать сверхбыстрые процессы, протекающие в различных материалах.

Отличительная особенность воздействия фемтосекундных лазерных импульсов состоит в том, что длительность импульса является меньше характерных времён релаксационных процессов. Это позволяет создавать в течение действия импульса в поверхностном слое полупроводников электрон-дырочную плазму с концентрацией носителей выше 1022 см-3 (более 10% валентных электронов находятся в возбужденном состоянии в зоне проводимости).

Исследования процессов образования и релаксации электрон-дырочной плазмы высокой плотности в полупроводниках, фазовых превращений и связанных с ними явлений, возникающих при воздействии фемтосекундных лазерных импульсов, имеют фундаментальное значение и являются чрезвычайно актуальными в настоящее время. Результаты подобных исследований дают новую информацию о физических процессах, которая позволяет управлять структурными превращениями вещества, получать новые материалы с необычными свойствами и служит основой для разработки новейших лазерных фемтосекундных технологий.

Цель работы

Целью работы является исследование процесса образования и динамики релаксации электрон-дырочной плазмы с высокой концентрацией носителей в широкозонных полупроводниках (кремний и арсенид галлия) при воздействии инфракрасных фемтосекундных лазерных импульсов.

Для достижения поставленной цели работы решаются следующие задачи:

- создание экспериментальной установки для проведения исследований и разработка усилителя мощности для усиления импульсов фемтосекундного хром-форстеритового лазера на длине волны излучения 1240 нм;

- исследование динамики релаксации электрон-дырочной плазмы, созданной фемтосекундными лазерными импульсами в кремнии и арсениде галлия при интенсивностях ниже порога плавления;

- получение экспериментальных данных об образовании электрон-дырочной плазмы высокой плотности в поверхностном слое полупроводников при воздействии фемтосекундных лазерных импульсов с излучением в видимой и инфракрасной области спектра и интенсивностью, приводящей к плавлению и абляции поверхностного слоя.

Научная новизна работы

1. Для исследований электрон-дырочной плазмы в кремнии и арсениде галлия разработан и создан усилитель мощности инфракрасных фемтосекундных импульсов для тераваттной хром-форстеритовой лазерной системы, не имеющей аналогов в России и за рубежом.

2. Впервые для исследований образования и релаксации электрон-дырочной плазмы высокой плотности в широкозонных полупроводниках использованы инфракрасные фемтосекундные лазерные импульсы, для которых полупроводники Si и GaAs являются практически прозрачными.

3. Получены новые экспериментальные данные об особенностях релаксации носителей в электрон-дырочной плазме при плотности энергии ниже порога плавления.

4. Экспериментально показано формирование тонкого поглощающего слоя при воздействии фемтосекундных лазерных импульсов как инфракрасного, так и видимого диапазонов спектра излучения на кремний и арсенид галлия при интенсивностях, приводящих к плавлению и абляции поверхностного слоя.

Практическая ценность

Исследованные в диссертационной работе процессы взаимодействия фемтосекундных лазерных импульсов с веществом расширяют представления о сверхбыстрых процессах в полупроводниках в условиях образования электрон-дырочной плазмы и могут найти применение для разработки технологий обработки и упрочнения поверхностного слоя образцов, изготовления сверхмалых отверстий, прецизионной микрообработки материалов.

Защищаемые положения

1. Для проведения исследований электрон-дырочной плазмы с высокой концентрацией носителей разработан усилитель инфракрасных фемтосекундных импульсов для хром-форстеритовой лазерной системы, позволивший получить тераваттный уровень мощности излучения.

2. Релаксация электрон-дырочной плазмы, созданной при воздействии фемтосекундных лазерных импульсов на кремний и арсенид галлия, при интенсивностях ниже порога плавления определяется процессом Оже-рекомбинации с характерными временами несколько пикосекунд.

3. Пороговые значения плотности энергии, при которой происходит плавление поверхностного слоя кремния и арсенида галлия, практически одинаковы при воздействии фемтосекундных лазерных импульсов с энергией кванта больше и меньше ширины запрещенной зоны полупроводников. Аналогичные результаты получены для пороговых значений плотности энергии, при которой происходит абляция поверхностного слоя.

4. При воздействии излучения фемтосекундных лазерных импульсов на кремний и арсенид галлия с энергией кванта как больше, так и меньше ширины запрещенной зоны полупроводников электрон-дырочная плазма с высокой концентрацией носителей возникает в результате уменьшения глубины пробега фотона (до ~10 нм в кремнии и до ~40 нм в арсениде галлия) при пороговых интенсивностях плавления и абляции поверхностного слоя и поглощения лазерного излучения электронами в зоне проводимости.

Апробация работы и публикации

Основные результаты исследований, представленные в диссертации, докладывались на следующих научных конференциях: XI Международная конференция "Оптика лазеров-2003", Санкт-Петербург 2003, 2 Научно-координационное совещание "Проблемы физики ультракоротких процессов в сильнонеравновесных средах" Абхазия, Н.Афон, 2004, The XXVIII ECLIM (28th European Conference on Laser Interaction with Matter), Italy, Roma, September 6-10, 2004, Физика экстремальных состояний вещества, Черноголовка-2005, 3 Научно-координационное совещание "Проблемы физики ультракоротких процессов в сильнонеравновесных средах" Абхазия, Н.Афон-2005, International symposium, “Topical problems of nonlinear wave physics”, Russia, Nizny Novgorod, NWP-2005. Также опубликованы 4 работы в реферируемых изданиях и оформлен 1 патент.

Структура и объем диссертации

Диссертация состоит из введения, четырех глав и заключения. Работа изложена на 112 страницах, включает 54 рисунка и список литературы (общее число ссылок 98).

Похожие диссертации на Сверхбыстрые процессы в полупроводниках в условиях образования электрон-дырочной плазмы с высокой концентрацией носителей при воздействии инфракрасных фемтосекундных лазерных импульсов