Введение к работе
Актуальность работы
Эффект коррелированного туннелирования одиночных электронов в наноструктурах известен и широко изучается уже в течении почти четверти века. Этот эффект, суть которого состоит в (кулоновской) блокаде электронного транспорта и в упорядоченном движении элементарных зарядов, возникающих благодаря их взаимодействию посредством электрического поля, наблюдался в различных материалах и системах: металлах, полупроводниках, сверхпроводниках, кластерах, графене, молекулярных структурах. Необходимым условием наблюдения этого эффекта является наличие в твёрдых телах естественно или искусственно созданных малых проводящих гранул, разделённых туннельными переходами. Присутствие на таком малом острове одного "лишнего" элементарного заряда приводит к большому электрическому полю в его окрестности. Однако, несмотря на то, что на сегодняшний момент теоретически описаны и экспериментально реализованы разнообразные одноэлектронные устройства (такие, как одноэлектронный транзистор, ячейка памяти, логические элементы), постоянно обнаруживаются новые, до настоящего времени малоизученные стороны этого явления. Данная работа посвящена весьма востребованному анализу одноэлектронного транспорта в существенно неоднородных структурах. При этом рассмотрены особенности одноэлектронного транспорта в неоднородных структурах двух типов -в асимметричном одноэлектронном транзисторе-электрометре, т.е. системе с одним островом, расположенным между двумя туннельными переходами, и в неоднородных тонких гранулированных плёнках хрома нанометровых поперечных размеров размеров (нанополосках). В некоторой степени свойства неоднородных одноэлектронных структур ранее рассматривались в литературе (в основном в применении к описанию поведения одномерных и двумерных
массивов туннельных переходов), где, как правило, изучалось влияние естественных (как правило, небольших) флуктуации параметров таких структур на их свойства. В данной диссертационной работе исследуются металлические одноэлектронные структуры, в которых неоднородности (или асимметрия) являются большими из-за особенностей их изготовления, или сделаны таковыми специально.
Цель диссертационной работы
Целью данной диссертационной работы является экспериментальное исследование особенностей электронного транспорта в неоднородных одноэлек-тронных структурах, проведение численного моделирования процессов протекания тока и самонагрева в этих структурах, а также сравнение результатов моделирования с экспериментальными данными.
В данной работе решались следующие основные задачи:
-
Разработка и усовершенствование технологии изготовления (а) асимметричных алюминиевых (А1) одноэлектронных транзисторов и (б) на-нополосок на основе неоднородных хромовых (С г) гранулированных плёнок.
-
Измерения электрических характеристик (а) асимметричных одноэлектронных А1 транзисторах и (б) двумерных структурах на основе неоднородных Сг гранулированных плёнок в широком диапазоне температур.
-
Проведение численного моделирования характеристик (а) асимметричных одноэлектронных транзисторов и (б) нанополосок на основе гранулированных плёнок. Сравнение результатов моделирования с экспериментальными данными.
-
Анализ возможности практического использования (а) асимметричных одноэлектронных транзисторов и (б) нанополосок с существенными неод-
нородностями на основе гранулированных металлических плёнок.
Объект исследования
Объектом исследования в данной работе являются асимметричный одно-электронный транзистор (АОТ) с туннельными переходами типа А1/АЮХ/А1 малой площади (до 50 нмхЮО нм), а также неоднородные тонкие гранулированные плёнки (нанополоски) С г шириной 100 нм и длиной от 200 нм до 1000 нм, изготовленные с помощью модифицированной технологии многотеневого напыления металлов через жёсткую подвешенную маску.
Предмет исследования
Предметом исследования являются структурные и электрические свойства неоднородных одноэлектронных структур: сильно асимметричного одно-электронного транзистора и неоднородных тонких гранулированных нанопо-лосок, а также анализ влияния различных типов неоднородностей на электрический транспорт в таких структурах. Также анализируются обнаруженные уникальные электрические свойства неоднородных одноэлектронных металлических структур (асимметричного транзистора и неоднородных нанополо-сок) на предмет их возможного использования в физических экспериментах и устройствах.
Научная новизна
В диссертационной работе получены следующие новые результаты:
1. Разработаны методы изготовления нанополосок на основе тонких (толщиной 7-8 нм) гранулированных хромовых плёнок и исследованы их электрические транспортные характеристики в широком диапазоне температур (25 мК-30 К).
В частности, впервые обнаружено явление гистерезисного переключения системы между состоянием кулоновской блокады (т.е. полным отсутствием тока) и токонесущим состоянием, сопровождавшееся резким
изменением (скачком) транспортного тока амплитудой порядка долей нА.
2. Предложена модель гранулированной нанополоски, представляющая со
бой двумерную систему проводящих наногранул, связанных между со
бой туннельными переходами и имеющих несколько (от 1 до 5) локаль
ных неоднородностей. С помощью этой модели, методом Монте-Карло
исследованы особенности электронного транспорта, в том числе:
выявлено образование устойчивых зарядовых конфигураций при нахождении системы в блокадном состоянии;
обнаружено образование нескольких токовых каналов при переходе системы из блокадного в проводящее состояние;
гистерезисное переключения тока объяснено в рамках модели, учитывающей выделения тепла при актах одноэлектронного туннели-рования, приводящего к повышения электронной температуры в наногранулах металла.
3. Экспериментально реализован, аналитически и численно промоделиро
ван оригинальный режим работы асимметричного А1 одноэлектронного
транзистора при нулевом постоянном смещении в присутствии накачки
переменным или шумовым сигналом. При температуре Т=25 мК макси
мальное значение крутизны преобразования заряд-ток этого транзисто
ра составило ц = dl/dQo = 1 нА/е, где Qq - заряд затвора транзистора,
что сравнимо с типичными значениями в симметричных А1 транзисто
рах в режиме постоянного смещения.
Практическая значимость
Понимание процессов одноэлектронного транспорта в тонких Сг нано-полосках является необходимым условием для разработки различных одно-
электронных устройств на базе гранулированных плёнок. Результаты данных исследований могут быть применены для построения одноэлектронной ячейки памяти с большим временем хранения и/или повышенной рабочей температурой. Кроме того, данная ячейка может выполнять функцию порогового квантового детектора микроволнового излучения. Результаты, полученные в ходе исследования свойств АОТ, работающего в режиме накачки переменным сигналом, могут быть использованы для реализации электрометра, имеющего ослабленное обратное влияние на источник сигнала, а также детектора уровня шума в измерительных криогенных установках при экспериментальном исследовании чувствительных одноэлектронных и джозефсоновских устройств.
Достоверность полученных результатов
В диссертационной работе используются широко применяемые методики экспериментального исследования структурных и электрических характеристик образцов. Численные, а также получисленные методы моделирования процессов в изучаемых наноструктурах базируются на применении хорошо проверенной классической ортодоксальной теории одноэлектронного тунне-лирования. Достоверность результатов подтверждается соответствием между результатами математического моделирования и экспериментальными данными.
Личный вклад автора
В диссертации приведены результаты, полученные непосредственно автором или при его активном участии. Совместно с соавторами автором разработана технологию изготовления хромовых нанополосок. Совместно с соавторами проведены измерения электрических характеристик Сг нанополосок при сверхнизких температурах в рефрижераторе растворения. Совместно с соавторами автором впервые наблюдалось явление гистерезисного переключения хромовых гранулированных нанополосок между состоянием кулоновской блокады и проводящим состоянием. Автором лично разработана математиче-
екая модель и методы численного моделирования процессов в неоднородных хромовых плёнках, проведено моделирование в широком диапазоне параметров и сравнение его результатов с экспериментальными данными. Автором лично обнаружено образование устойчивых зарядовых конфигураций при нахождении плёнки в блокадном состоянии и их резкий переход в устойчивые токовые каналы в проводящем состоянии. Совместно с соавторами автором проведено моделирование процессов в АОТ, сравнение его результатов с экспериментальными данными, рассчитана зависимость крутизны преобразования от степени асимметрии одноэлектронного транзистора. Совместно с соавторами автор непосредственно участвовал в написании научных статей, а также подготовке и представлении докладов и постеров на научных конференциях.
Публикации.
По теме диссертации опубликовано 3 статьи в рецензируемых научных журналах, входящих в перечень ВАК РФ, и 8 тезисов докладов на Российских и международных конференциях, список которых приведён в конце автореферата. В работах, опубликованных в соавторстве, лично соискатель: принял непосредственное участие в постановке задачи исследования [1-10], проведении экспериментов [1-10], анализе и обсуждении полученных результатов [1-11] и самостоятельно выполнил численное моделирование [2-11].
Апробация работы
Основные результаты диссертационной работы, её положения и выводы были доложены, обсуждены и вызвали положительную оценку специалистов на ряде научных форумов, включая:
международную конференцию «Микро и Наноэлектроника» (ICMNE-2005) в 2005 г. (г. Звенигород, Россия),
международную конференцию «Nano and Giga Challenges in Microelectronics» в 2005 г. (г. Краков, Польша),
серию международных конференций по физике и технологии наноструктур (Nanostructures: physics and technology) в 2004 г. (г. Санкт-Петербург, Россия), 2005 г. (г. Санкт-Петербург, Россия), 2007 г. (г. Новосибирск, Россия) и 2009 г. (г. Минск, Республика Беларусь).
Структура и объем диссертации
