Эпиптаксиальные пленки Pb1-xSnxTe(x=0,2), PbTe1-ySey(y=0,08), полученные в сверхвысоком вакууме и гетероструктуры на их основе Ахмедов, Эйнур Аждар оглы

Данная диссертационная работа должна поступить в библиотеки в ближайшее время
Уведомить о поступлении

Диссертация, - 480 руб., доставка 1-3 часа, с 10-19 (Московское время), кроме воскресенья

Автореферат - бесплатно, доставка 10 минут, круглосуточно, без выходных и праздников

Ахмедов, Эйнур Аждар оглы. Эпиптаксиальные пленки Pb1-xSnxTe(x=0,2), PbTe1-ySey(y=0,08), полученные в сверхвысоком вакууме и гетероструктуры на их основе : автореферат дис. ... кандидата физико-математических наук : 01.04.04.- Баку, 1995.- 17 с.: ил.

Похожие диссертации на Эпиптаксиальные пленки Pb1-xSnxTe(x=0,2), PbTe1-ySey(y=0,08), полученные в сверхвысоком вакууме и гетероструктуры на их основе

Разработка и исследование элементной базы на гетероструктурах на основе соединений А3В5 для СВЧ-модулейЮщенко, Алексей Юрьевич

Эмиссионные и инжекционные свойства низкоразмерных углеродных материалов и гетероструктур на их основеСтрелецкий, Олег Андреевич

Ультрадисперсные алмазы и пленки на их основеВалиуллова, Зульфия Хамитовна

Спектроскопия фотолюмисценции и комбинационного рассеивания света тонких сверхпроводниковых пленок и гетероструктур на основе арсенида галияБачериков, Юрий Петрович

Синтез, структура, свойства оксидных гетероструктур анодных пленок, сенсоры на их основеЕфименко Александр Васильевич

Процессы излучательной рекомбинации в пленках оксида цинка и гетероструктурах на их основеАливов Яхия Ибрагимович

Фотоэлектрические свойства эпитаксиальных пленок Pb1-z-ySnzGeyTe:In с перестраиваемыми дефектами и фоторезисторы на их основеТретиник, Виталий Викентьевич

Микролазеры на основе гетероструктур с InGaAs квантовыми точками с резонаторами, сформированными селективным окислением слоев AlGaAsБлохин Сергей Анатольевич

Генерационные характеристики лазеров с вертикальным резонатором на основе гетероструктур InGaAs-AlGaAsДеребезов, Илья Александрович

Перестраиваемые лазеры на основе гетероструктур InAsSb/InAsSbP, работающие в спектральном диапазоне 3-4 мкм Астахова Анастасия Павловна