Разработка процесса формирования структур с множественными квантовыми ямами для многоэлементных фотоприемников ИК-диапазона методом МОС-гидридной эпитаксии Залевский, Игорь Дмитриевич

Данная диссертационная работа должна поступить в библиотеки в ближайшее время
Уведомить о поступлении

Диссертация, - 480 руб., доставка 1-3 часа, с 10-19 (Московское время), кроме воскресенья

Автореферат - бесплатно, доставка 10 минут, круглосуточно, без выходных и праздников

Залевский, Игорь Дмитриевич. Разработка процесса формирования структур с множественными квантовыми ямами для многоэлементных фотоприемников ИК-диапазона методом МОС-гидридной эпитаксии : автореферат дис. ... кандидата технических наук : 05.27.06.- 0, .- 23 с.: ил.

Похожие диссертации на Разработка процесса формирования структур с множественными квантовыми ямами для многоэлементных фотоприемников ИК-диапазона методом МОС-гидридной эпитаксии

Разработка и исследование технологических параметров процесса эпитаксии твердых растворов AIIIN методом молекулярно-лучевой эпитаксии для интегральных газовых сенсоровЗалозный, Александр Николаевич

Разработка неразрушающих методов контроля ионно-плазменных процессов формирования тонкопленочных структур и элементов оборудования для создания устройств электронной техникиСимакин Сергей Борисович

Разработка высокоэффективных ионно-лучевых систем и технологических процессов формирования тонкопленочных структур с диапазоном энергий обрабатывающих ионов 100-2000эВСвадковский, Игорь Витальевич

Разработка основ технологии получения эпитаксиальных слоев GaN,InxGa1-xN и AlxGa1-xN методом газофазной эпитаксии из металлоорганических соединений для светоизлучающих структурЕрмошин Иван Геннадьевич

Разработка и исследование технологии получения эпитаксиальных слоев кремния Р-типа проводимости для базовых областей мощных высоковольтных транзисторов методом жидкофазной эпитаксииМоргунов, Игорь Викторович

Разработка и исследование физико-технологических принципов создания микроэлектронных устройств на основе планарных многослойных гетероэпитаксиальных структур Si, CaF2 и CoSi2, сформированных методом молекулярно-лучевой эпитаксииАлтухов Андрей Александрович

Исследование и разработка процесса МОС-гидридной эпитаксии нитрида галлияМармалюк, Александр Анатольевич

Разработка процесса МОС-гидридной эпитаксии квантоворазмерных гетероструктур на основе полупроводников AIIIBV для приборов оптоэлектроники и ИК-техникиМармалюк Александр Анатольевич

Разработка и исследование процессов формирования фоторезистивных пленок на подложках некруглой формыМьо Хейн Зо

Разработка материалов и процессов для формирования системы металлизации СБИС субмикронного уровня Климовицкий Анатолий Григорьевич