Введение к работе
Актуальность темы диссертации.
Одним из наиболее нижних и огне їх.лепных пронесенії п создании и производстве интегральных микросхем является проектирование БИС, включающее два взаимосвязанных этапа: логическое проектирование, в ходе которого определяется логическая организация (архитектура), система команд, структур.! управления и обработки данных, ьрсмепнад діїаірамма р.ібоп.і и схемотехническое проектирование, охнатмвлюшес совокупность задач выбора конструктивно-технологического базиса и наиболее аффективных схемотехнических решений Гшонмх элементов, преобразования логических схем и илектрнческне схемы на транзисторном уровне, в подробный компоновочный план, в топологию кристалла ПИС.
Если методолоііш п пути решения проблем и задач этана логического проектировании БИС достаточно летально рассмотрены а отечественных п japjf>e)KHbix изданиях, то с этапом схемотехническою проектирования, к дзжалеппю, дело обстоит иначе. Сущность проблем схемотехническою іроектировання сводился к следующему. Известно, что чиєю іспоігтряіошнхся элемента нреобрашаашш сигнален в цифровых БИС по зною раз больше, чем » обладающих высокой степенью регулярности микросхемах памяти, что в условиях сокращения сроком просктиропаппя ісласт чрезвычайно актуальной проблему создания аттестованного набора схемотехнических решений (библиотеки) базоиых элементов БИС, методов-и іраїшл их создания и использования в сосгане КИС. Также известно, что атрішл времени, интеллекта, материальных к финансовых средств, на (росктпроваппс новых, оригинальных схемотехнических . репіеппіі и іроисдешіе всех последующих итераций настолько велики, что «любые оэможпые меры, направленные на ик уменьшение без ущерба для качества и ременных характеристик БИС, будут безуслонио оправданы» (К.Киноспга, ),Асдда. Логическое проектирование СБИС Пер. с иной.: Мир, 198ІЇ, с. 5й).
Эффектпапос схемотехническое.решение базового элемента БИС может ушегтнеппо улучшить параметры, характеристики и уменьнпгп. площадь ристалла RHC. Iі ост степени ннзефацни БИС, согласно закону Мура,
определяется прогрессом, развития технологии, схемотехники и архитектуры БИС. Наиболее сложные схемотехнические решения базовых элементов и современных БИС применяются только тогда, когда они апробированы и можно доказать их несомненный нбложц-тельный эффект. Общепризнанным является тот факт, что «использование более эффективных схемотехнических решений по сравнению с традиционными позволяет достигнуть быстродействия, соответствующего новым конструктивно-технологическим проектным нормам на два-три. года раньше, чем ото можно ожидать при совершенствовании технологии» (Кармазииский А.Н. Ситсз принципиальных схем цифровых элементов на МДП-транзисторах. М. Радио и связь, ШЗ, с.7).
Большинство известных публикаций по данному научному направлению микроэлектроники рассматривают фактически схемотехнику К.МОП-ыпкросхем, а переход к схемотехнике больших (БИС), сверхбольших и улирабольших (УБЬС) интегральных микросхем поставил принципиально новые вопросы и потребовал новых методов их решения. При этом здесь и далее под схемотехникой понимается області! инженерной, производственном и научной деятельности, предметом которой является изучение процесса проектирования интеїршн.пьгх микросхем. По проблемам схемотехники биполярных БИС следует выделигь работы Arams F.R., Bergev U.S., Мс Dowcll H.I., Howard W.E., Miller D.C., Mullcr M.W., Wicdcman S.H., Winn D.R.,.a также докторов технических наук И.И.Шагурнпа, А.Г.Алсксеп-ко, Ю.Е.Наумова, А.Н.Кармазинекого, И.П.Стснапснко, Т.М.Аіахапяна, доктора фаз,- мат. наук Г.И.Фурсина, д.т.ц. А.Н.Бубешшкова, В.К.Конопелько, П.Н. Бибило, Э.П.Катошкина, А.Н.Семашко, А.А. Петровского, В.Н.Ярмол'йка, Б.Н.Ботанина, В.С.Лершсикова, В.А.Мшденко, члена- корреспондента НАН РБ Л.И.Гурского и других.
Решение комплекса задач схемотехнического проектирования позволит решить проблему дальнейшего соверше. отвивания элементно!! базы современных цифровых БИС путем создания базовых библиотек эффективных схемотехнических решений олс)( нтов БИС, правил и меюдов их использования в составе БИС Если дли К.МОП БИС задача создания таких библиотек в значительной степени решена, 'га проблема создания схемотехнических библиотек, и методов проектирования БИС на основе элементов инжекцнонной логики (И?Л) и биполярных чранзисторов с диодами Шатки ('ГТЛШ), применяемых в тех сферах, где использование КМОП БИС загрудпепо (сочетание высокого быстродействия и высокой иаіру ючноіі способности в широком температурном диапазоне, при 'наличии ионизирующих воздействий и др.), требует решения.
Особый научный и практический интерес Аля созданш сложнофункциопальных цифровых систем представляют исследовашо проблемы и разработка новых эффективных методов обеспеченш температурной стабилизации статических и динамических парамеции биполярных цифровых БИС на основе создания адекватных физпкО' математических моделей базовых И2Л іі ТГЛШ элементов, разработка комплексных методов повышения качества и выявления и оібраковкі микросхем со скрытыми дефектами повышения устойчивости БИС і
различного рода дестабилизирующим факторам, помехам, перенапряжениям и
разрядом статического электричества." .
Таким, образом,-разработка конструктігаі№-схемотсхиичсскпх методов иросктнронапня'бигшлярпых' цифровых БИС с улучшенными техническими характеристиками является Актуальной научной и народнохозяйственной проблемой, решение которой позволит обеспечить создание целого рада новых ч-лвжноф'унадиональных устройств информатики, промышленной н бытопой техники, систем спсдиаіьного.и двойного применения.
Счш'ь работы с круниьгми научными программами, темами.
Основные исследования, результаты которьк представлены в диссертационной работе, проводились а рамках программы развития важнейших направлений электронной техники, утвержденной Решением ВПК СС JP J\y 383 от IS. 11.85 г., комплекено-иелеиых программ «Память 1, 2», «Логика», «Мнкролроцессроы»,. уліерхдспньгх Министерством электронной промышленности СССР (Приказы МЭИ'№ 197 от 15.12.S9 г. и to 219 от 06.12.90 г.)" .; Решением Гооударітпеїшой Комиссйі! при Сонете Ми петров СССР по воеино-промышлеитшм допросом № 301 от 31.10.90 г., а ~го<а рееиубднктшекпх научно-технических программ 27.0IP, 'Л 02Р, 2".031', «Информатика», Государственной научію-гсуиГчсской про ра.ммы (ГНТГІ) «Бед-дтск-^одика», «Лудиотехпикл*, Президентской программы «Бытолад э.чсктрог.ха» D рамках отдельных научно-технических проектов, НИОК? тематического^ плана ННКТЛ «Бегмикроеиетемы» НПО «Инте«ал», гд; в период с 1974 но 1997г.г. под рукогодст-вом и тгри непосредственном участки автора и качестве главною конструктора ОКР (научного, руководителе НИР) было выполнено более 50 НИ ОКР по теме дпесерт: циониой работы.
Полученные в работе научный и пракпгческне результаты положены в
основу конс-рукпий- серийно производимых ИС, а таухе планируется
использовать в совместных Российско-белорусских программах «Специальная
электроника», .«Союзный телевизор»,-«Космоо. . .
Цель її задачи исследования.'
Цель работы состоит в разработке комплекса конструхтгзно-ехемотехьпческнх методов проєїсгнроваінві элементной базы цнфрэзых биполярных БИС с улучшенными техническими характернстіПчими и расширенными функциональными тозкожкостями.
Оспенные задачи исследования: .. ,.
' 1. Разработка требований' к составу и системе параметров бсловдгх элементов обобщенной струкгурь: БИС на основе проведения системного анализа архитектур современных идф'ропмх БИС.
-
Развитие коііцсіщли синтеза функционально - интегрированных структур и разработка на се основе новых базовых логических элементов, новых функциональных схем и конструктивно - схемотехнических решений, элементов памяти, входных и выходных согласующих элементов биполярных ТТЛШ и И2Л БИС с повышенной надежностью, помехоустойчивостью, быспюдействием, уменьшенным энергоаотрсбленирм, расширенными функциональными возможностями.
-
Создание температурозависимых физико-топологических моделей элементов И2Л и Шоткн транзисторной логики (ШТЛ), учитывающих' кинетику физических механизмов переноса зарядов и разработка практических рекомендаций по умсньшег чо six температурной зависимости в расширенном диапазоне рабочих температур, а -также создание температурозависимых моделей кремниевых^ интегральных резисторов, и на их основе разработка конструктивно-технологических решений базовой библиотеки ноннолсшрованных интегральных резпезоров, работающих в диапазоне токов от 1Q"6 до К)"2'А и температур от минус 60С до + 125С.
-
Разработка схемотехнических методов обеспечения температурной стабилизации статических параметров И2Л БИС п.организации внутренних цепей питания Іі-'Л БИС, снижающих зависимость величин токов инжекторов от расположения инжекторов на поверхности кристалла.
-
Исследование физических механизмов снижения помехоустойчивости базовых элементов биполярных БИС (логических элементов, входных іі выходных элементов согласования, элементов памяти) к разработка конструктивно-схемотехнических мс.одоп повышения их помехоустойчшюстн в расширенном диапазоне гемнератур.
-
Исследование характера изменения усилительных свойств биполярною транзистора при уменьшении (масштабировании) его топологических размеров и разработка рекомендаций по выбору оптимальны < тополоінчсских и конструктивных' решений базовых библиотек транзисторов биполярных БИС.
7. Разработка, новых '.системотехнических и конструкгпвно-
схсмотсхинчсских способов повышения надежности процессов обработки
информации с- С.ііюлярних БИС на основе методе в контроля четности,
мажоритарных принципов восстановления информации и интегральной
реализации встроенных в БИС специальных аппаратных средств, а также
создание новых коїіструктшшо-схсмотехішческіїх решениіі элементов заниггы
биполярных-БИС от перенапряжений и разрядов статического электричества,
разработка новых методов выявления и повышения достоверности отбраковки
потенцшаыю ненадежных биполярных БИС со скрытыми дефектами.
Объект я предмет исследований. Объектом исследовании являются цифровые БИС на основе шіжекци^нной логики-и бнпо;шрных транзисторов с диодами Шотки.
' 5
Предметом исследований являются методы проектирования элементной базы биполярных шкіц ліьіх БКС, обладающих совокупностью расширенных функциональных возможностей и диапазона рабочих температур, улучшенными техническим» характеристиками - быстродействием, надежностью, помехоустойчивостью, уменьшенными площадью кристалла и энергопотреблением.
Методология и методы проведенного исследования.
Решение рассматриваемых- п диссертации задач базируется на использовании методов логического синтеза, rer-іци конечных автоматов, булевой алгебры, математической логики, физико-топологического моделирования полупроводниковых структур, теорий физики полупроводников н диэлектриков. Предложенные в работе физико-математические модели построены с использованием вычислительных процедур на основе методов численного -дифференцирования и иитег\нцююшія, тсорнії масеопереноса, методов аппроксимации и интерполяции экспериментальных данных.
Для подтверждения достоверности результатов теоретических исследований, конструктивно- схемотехапіч еккх решений и эф(|>ективности предложенных методов схемотехническою проектирования пепользо.«злись методы теории планирования мнотфакчорных экснернмептоп, изготовление, исследование и испытания тестовых матриц и опытных образцов БИС с новыми конструктивно-схемотехническими решениями базовых элементов.
Научная ноинли » iWii'iiisioiTb полученных результатов.
Полученные рс ij .iii.iuii.i іеорепіческнх н экспериментальных
ьсследоїшііій можно сформі-шріЛіать слелуюіцпм образом:
I. Предложена обід"ііисііи;иі структу|>а цифровой БИС и на се основе разработана унниере.шишн классификация базовых элемекгов структуры, 'сформулированы ф.'йжлшы к системе статических и динамических параметров огнч -эл'.-метов. Предложена модифицированная методика логическою сіїнісі.і комбинационных схем на основе элеметхщ инжскііиоіпіоі! .піл о использованием минимизированных дизыопкпшт.К' в коныопктнвньк нормальных форм, на основе которой синтезирована блюьан биоалон.ч.д .основных «функциональных блоков 11*Л БИС.
2,. Впервые разработан компчек- іаиілпруктіишо-схемотсхничеекпх методов проектировании базовых з-.зсметчн микросхем на основе биполярных трапжешроо с диодами 1 Потки, по і ноля /оі цих на 15+2() % повысить пх . бьнпролейезиио, lUiMOwoycivjiiMitBocTi,, уменьшить на 10-12Fo 3iicpf(iiioipttjjH-Hiie іі расширить функциональные возможности и на его основи ..проектированы, исследованы н і.нелепы в состав САП? ТГЛ11І ВМС ашолоіическал и ехсмснехинчсская библиотеки, включающие тактируемые уровнем RS и DV- триыеры, у которых отсутствует эффект сосііііаппії сшналов при записи, ихокные элементы согласования с царафашимн иыходани, быстродействующие входные элементы на основе
интегрального RO- генератора тока и выходные элементы с активным выходом и тремя состояниями.
3. На основе развитая концепции функціонально- интегрированных структур
впервые синтезированы и реализованы а серийных изделиях новые
функциональные схем і и схемотехнические решения быстродействующих
И2Л логических элементов с внутренней обратной связью и форсирующими
цепями разряда зарядов, накопленных в базе ключевых транзисторов.
Разработаны функциональные схемы и схемотехнические решения
устройств памяти на элементах И2Л (RS, D, DV- триггеров) с
расширенными функциональными возможностями и повышенной
надежностью, впервые сформулированы и реализованы в ИгЛ БИС правила
проектирования триггеров для микросхем с параллельно-конвейерной,
архіп ктурой на основе разработанного метода трех временных слоев.
Показано, что "спользг чание предложенных способов включения
многоэмнттерных п-р-п и дополнительных р-п-р транзисторов и емкостей
по входных и выходных элементах согласования И2Л и И2Л-ТТЛ БИС
позволяет па 15+20 % уменьшить задержки переключения и повысить
помехоустойчивость.
4. Впервые предложены физико-топологические модели элементов Н^Л и
, Шатки транзисторіюй логики, обїлясняющтіе физические механизмы
изменения динамических параметров в широком диапазоне токов и рабочих температур, и обнаружено существование узкого диапазона тика инжектора, ц пределах которого быстродействие элементов практически не зависит от температуры,, а также модели кремниевых ионполегпрованных резисторов со структурами областей р-, р*", п-, и+ типа, позволяющие определить- их токовые и температурные зависимости, на основе которых спроектирована vi исследована базовая библиотека конструктивно-технологических решений резисторов для рабочею диапазона токов от 1(И до 1(ИА и температур от минус 60С до -Н25"С. 3, Впервые устапоилен механизм аномального перераспределения токов инжекторов внутренних цепей гниапия сложнофункциональных И2Л БИС, обусловленный зависимостью величины тока инжектора от еш расположения на поверхности кристалла, и па era основе предложены новые схемотехнические методы организации цепи питания, расширяющие область работоспособности, обеспечивающие повышение выхода годных п температурную стабилизацию статических параметров И2Л БИС. , Разработан принципы организации нового класса встроенных в БИС схем контроля питания, обеспечивающих приведение цифровых БИС и сисгем и требуемое (исходное) состояние при начальном включеини или кратковременном исчезновении (сбое) питающего напряжения, и на т основе предложены функциональные, схемотехнические и конструктивные . варианты их проектирования и применения. 7, Разработан комплекс схемотехнических методов повышения качества, надежности и устойчивости биполярных БИС к иоздейотшпе дестабилизирующих факторов, в том числе новые конструктивно-схемотехнические решения элементов .зашиты БИС от перенапряжении і
разрядов статического электрігшстаа, схемотехнические методы повышения помехоустойчивости, новые методы выявления и повышения дос оверности отбраковки биполярных БИС со скрытыми дефектами. Установлено, что основным видом отказа токопроводящих соединений биполярных БИС на токах с плотностью порядка 106 А/мг является разрыв соединения в результате образования дефекта типа «макропора», в области положительного контакта металлігческой пленки с полупроводником, И предложены конструктивно-технологические решения по его устранению. Новизна предложенных решений подтверждается 88-ю авторскими
свидетельствами и патентами.
Результаты исследований автора вошли составной частью в цикл
научных работ, удостоенный присуждения Государственной премии
Республики Беларусь в области техники, а также в справочники И
методические пособия.
На научные труды автора Имеются ссылки в 24-х научных трудах других
авторов, в том числе в 10-ти монографиях, фамилия автора включена в
справочник «Membership Directory IEEE Electron Device; Society», 1997, 1993
r.r.
Практическая и экономическая, социальная значимость полученных результатов.
Практическая реализация полученных научных результатов прниешпельпо к проектированию и производству микроэлсктроппых изделий выражается в следующем.
Основные научные положения и выводы диссертации использованы в пятидесяти НИОКР тематического' - плана НИКТЇЇ «Белмикросистемы», которые выполнялись под руководством и при непосредственном ;, частий соискателя в качестве главного конструктора ОКР или научного руководителя НИР и позволили обеспечить:
Сокращение длительности проектирования мікросхем .до уровня, соответствующего общепринятым мировым ставдартам за счет создания системы автоматизированного проектирования (САПР), в основу которой положены ноше методы проектирования, предложенные в настоящей работе.
Сокразцікпе количества вносимых в процессе' проектирования ошибок и уменьшение числа итераций За счет использования более совершенных функциональных схем, схемотехнических и- топологических решений разработанной библиотеки базовых элементов биполярных БЙС.
Пэшннмке выхода годных БИС, повьииснне качества и надежности, устойчивости к .помехам и впсинпт.,1 дестабилизнрующцлі факторам (в"ЛТОчая температуру и воздействия электростатического разряда) за счет использо;5аиия разработа;.;г.:\' консгфукт;цию-схг-мотс*шгчсскнх решений и методов проектирован}:?;,/ новых mcv дов выявления и отбраковки микросхем со скрытыми дефектами, методов 'ограничения .процессов деградаций' токопрозодягшгх систем.
Расширение функциональных возможностей и улучшение технические
характеристик, как интегральных микросхем, так и цифровых устройств на их
основе за счет использования новых функциональных схем и блоков цифровых
БИС. '
Разработк}. к внедрение в опьтюс и серийное производство НПО «Интеграл» новых конкурентоспособных изделий с коэффициентом обновления 35% в год. В период с 1977 по 1998 г. в серийное производство внедрено 20 изобретений.
Указанные факторы позволили- НПО «Интеграл» разработать и поставлять на вк}фешшй и зарубежный рынки сотни типов новых конкурентоспособных микросхем .серий КР1820, К583, К584, 1815, КР1533, КФ1847, 1S0S, К1532, КЬ-10, 1087, 1568 и др., в которых использованы архитектурные, алгоритмические, схемотехнические и конструкторские решения, предложенные автором.
В период с 1992 по 1997 год заводом им. Дзержинского произведено 805,34 млн. urr. микросхем с общим объемом реализации 900,677 млрд. руб. (в ценах на 01.12.97 г,), в которых использовались предложенные автором технические решения и методы проектирования.
Научные г практические результаты работы использованы в г\тзработках НПО «Сфера», завода «Прибор» (г. Санкт-Петербург); АО «Российская электроника»; завода «Ангстрем» (г. Зеленоград); НПО «Физика»; научно-исследовательском центре электронных вычислительных машин (НИЦЭВТ), научно-исследовательском институте дальней атмосферной радиосвязи (НИИДАР) (г. Москва); НИИ ЭВМ (г. Минск).
Представленные в работе архитектурные и конструктивно-схемотехнические решения элементной базы использованы при разработке в рамках заданий ГНТП «Бслолсктроника» в 1993-199S гг. цифровых ИС и БИС, которые широко применяются предприятиями РБ, РФ в промышленной и бытово" технике и экспортируются в страны дальнего зарубежья.
Практическая значимость разработок .отмечена также тремя дипломами и двумя премиями Всесоюзного научно-технического общества имени Попова А.С., двум,, серебряными медалями ВДНХ СССР, Почетной Грамотой Государственного Комитета, понауке и технологиям Республики Беларусь.
Монографии, справочники, брошюры и методические пособия используются в учебном процессе при подготовке студентов и аспирантов в Б ГУ, БГУИР, БГПА, в "гам числе' лично' автором в курсе лекций «Микт (Процессоры и запоминающие устройства»; «Применение микропроцессоров» на приборостроительном факультете ЬГПА.
Оснг.кпыг положения диссертации,, вынос «ые на зашиту.
1. Обобщенная структур^,'классифик..,ия и состав б;ізоі;оіі библиотеки элементов цифровых БИС, .мо/тфицированная методика логического синтеза комбиппииошп х схе.\г па основе злемсыов пнжекционной логн.чп с использої'-.лис-.і мнпнмйзироиапных дизыопктивпых ' и ко,п.лонктшшьь\ .'жэрмальш./>: форм.'
"9 . .
-
Комплекс конструктивно-схемотехшгческігх методов проектирования базовых элементен цифровых биполярных.БИС на основе транзисторов с диодами Шоткн, позволяющих повысить і их бьісфодсіктвие, належності, функционирования, помехоустойчивость, уменьшить энергопотребление, расширить функциональные возможности, а также спроектированные на основе 'этих методов топологическая и схемотехническая библиотеки САПР ТТЛЩ БИС.
-
Развитие концепции функционально- интегрированных структур интегральной инжскцноиноК логики и ра .шботанныс на ее основе функциональные схемы н конструктивно-схемотехнические решения логических элемент її И2Л с внутренней обратной связью, RS-, D-, DV-тркггеров с расширенными функциональными возможностями, входных
. и выходных элементов согласовании с уменьшенными задержками переключения, повышенной' помехоустойчивостью и наїрузочной способностью.
-
Физико-топологические модели элемента шокекционной логики и транзисторної! логики Шоткн, обіж шюшне физические механизмы изменения динамических параметров в широком диапазоне токов и рабочих тсмперагур, а также модели кремниевых иопполегпрованных резисторов со с фу карами областей р-, р+, и-, п+ типа, объясшпощне-: .рактср токовых и температурных зависимости их номиналов.
-
Схемотехнические методы оргашиацші внуфецией пени питания П2Л БИС, исключающие влияние, обнаруженного аффекта аномального перераспределения тиков инжекторов, расширяющие область работоспособности, обеспечивающие іимпературнуїо стабилизации) статических параметров и понижение выхода годных БИС.
-
Принципы оріанішцни, фуішніонаїїмп.іе и кинструктшшо-схсмотсхппческпе решения нового класса встроенных в БИС схем контроля питании, обесцечщцющпх приведение цифровых БИС и систем па их основе в требуемое: аютомнпс при начальном включении или кратковременном исчезновении (сбое) питающего напряжения.
-
Комплекс взаимосвязанных конструктивно-схемотехнических методов повышения качества, надежности, и устойчивое! и биполярных БИС к воздействию дестабилизирующих факторов, включающих новые схемотехнические решения элементов защиты БИС' от перенапряжений и разрядов статического зяг.сіуііічестпл, новые методы выявления и повышения достоверности отбраковки БИС со скрытыми дефектами.
Личный вклад соискатели.
U диссертации ігі.чпжсін.1 рогуль-гаги чйбот,- вьНншцеиных как лично вторам, так и-и с.'йа&т>"ік:тііе. U совместных работах, личный вклад, иитора зключабгся в постановке задач исследований, разработке методик
.10
исследований и экспериментов, . проведении теоретических и экспериментальных исследований, анализе и интерпретации результатов.
Апробация результатов диссертации.
Материалы диссертационной работы и ее основные научные положения обсуждались на 32 научно-технических конференция, семинарах и симпозиумах среди них:
1. Международные конференции и симпозиумы: INFO-89, Минск, Беларусь, 1989; «ASIC-9b, Нью-Йорк, США, 1991; «Состояние и перспективы развития науки и подготовки инженеров высокой квалификации», Минск, Республика Беларусь, 1995; «WorKshop оа highhiformative LCD's Science and Teclmology», Минск, Республика Беларусь, 1995; «Распознавание обраній и обработка изображении», Москва, Россия, 1995.
.2. Всесоюзные научно-технические конференции и симпозиумы: Восьмая Всесоюзная научно-техническая конференции по микроэлектронике, МИЭТ, Москва, Россия, 1^78; Межвузовская научно-техническая конференция «Микропроцессорные вычислительные етрукгуры», Таїанрог, Россіш, 1980; Всесоюзная школа-семинар «Обеспечение отказоустойчивости выч'нели'гельных систем», .Кишинев, Молдова, 1988; 30-я -Всесоюзная щкола-еемшіар им. М.А.Гаарилова «Развитие теории дискретных систем и проблемы логического проектирования СБИС», Кишинев, Молдова, 1988; Всесоюзная конференция по радиационно-стойгой элементной базе, .Севастополь, ' Россия, 198В; Всесоюзная школа-семинар «Разработка и'внедрение в.народное хозяйство персональных ЭВМ», Москва, России, 19S&; Вгорой Всесоюзный научно-технический семинар «Вьг-шсліггельньїе системы с распределенной обработкой информации*, Таганрог, Россия, 1989; 'Четі ртая Всесоюзная конференция «Математические методы распознавания образоп «MMPO-JY», Рига, Латшш; 19S9; Всесоюзная научпо-техничес тя конференция «Состояние разиигш отечественных микропроцессорных средств вычислительной техники», Моект Россия, 1989; Научно-техническая конференция «Методы и микроэлектропиьк средства цифрового преобразования и обработки сигналов, Рига, Латвия, 19К6 Всесоюзная научно-техническая конференция «Теория и практик; конструирования .и обеспечения надежности и качеств электронно? аппаратуры и приборов, Воронеж, Россия, 1984; Всесоюзная научно-техніРіеская конференция «Распределенная обработка информации POU-87» Львов, Украина, 1986; Всесоюзная научно-техническая конференції! «Физические основы надежности-и деградации полупроводниковых приборов» Кишинев, Молдова, 1986.
3. Отраслевые научно-технические конференции:. 9-я отраедсва конференция по микроэлектронике, Минск, Беларусь, 1976; Втора1 межотраслевая научно-техническая конференция «Надежность и коїпрол качества изделий электронной техники», Москва, Ротеня, 1992; отраелсва научно-техническая конференция «Схемотехнические и мачериаловедчески решения сверхскоростных схем с высокой степенью интеграции»(секцШ1 1
секция 5), Москва, Россия, 1986; Отраслевая конференция молодых ученых и специалистов, Минск, Республика Беларусь, J9S7.
4. Региональные л республиканские научно-технические конференции: Конференция общества им. Проф. Попова, Минск, БССР, 1973; Научно-технический семинар- «Микропроцессорные наборы БИС», Минск, Беларусь, 1980; Региональная научно-техническая конференция «Специализированные микропроцессорные системы», Челябинск, Россия, 1981; Научно-техническая, конференция «Проблемы создания и совершенствования технических и программных средств ЭВМ широкого применения», Минск, Беларусь, 1982; Научно-технический семинар «Микропроцессоры в системах коїгтроля и управления», Пенза, Россия, 1986, 1989; Шестая зональная научно-мстодігческая конференция преподавателей ВУЗо'в Прибалтийских, республик, Белорусской ССР и Калитсшпрадскол области РСФ.СР «Опыт применения технических средств в учебном процессе», Вильнюс, Литва, 1986; научно-техническая конференция* Белорусской . ассоциации неразрушшощего контроля и технической диагностики, Минск, Беларусь, 1997.
. Оп'ублнкованность результатов.
По материалам диссертации опубликовано 189 работ, в том числе: б монографии (в соавторстве) общим тиражом 1973JQ экземпляров, 11 брошюр и методических пособий, 52 статьи в научной, периодической печати, 32 тезиса докладов на научно-технических конференциях и симпозиумах. Новизна техническич решений подг^ерждена 88 авторскими свидетельствами и патентами, из которых lit внедрено в серийное производство. Общее количество страниц опубликованного материала 2 SS0, в том числе в совместно опубликованных работах автору диссертации принадлежит' 1087 стр. Без соавторов опубликовано 20 работ (2 авторских свидетельства на изобретения, две брошюры, 2 статьи, одно методігческое пособие, 6 тезисов докладов, 7 информационных листков и обзорої БелНИИНТИ),
Структура и объем диссертации.
Диссертационная работа.состоит из введения, пяти глав, заключения, списка использованных источников, приложений.
Общий объем 333 стр., в том числе. Г99 основного текста. Работа включает 1І9 гилго страдай, 11 таблиц и библиографию из 281 наименования.
