Структура и электрофизические свойства гетеропереходов n-SiC/p-(SiC)_1-x (AlN)_x Исмаилова Нупайсат Пахрудиновна

Данный автореферат диссертации должен поступить в библиотеки в ближайшее время
Уведомить о поступлении

Диссертация, - 480 руб., доставка 1-3 часа, с 10-19 (Московское время), кроме воскресенья

Автореферат - 240 руб., доставка 1-3 часа, с 10-19 (Московское время), кроме воскресенья

Исмаилова Нупайсат Пахрудиновна. Структура и электрофизические свойства гетеропереходов n-SiC/p-(SiC)_1-x (AlN)_x : Дис. ... канд. физ.-мат. наук : 01.04.10 : Махачкала, 2003 179 c. РГБ ОД, 61:04-1/304

Похожие диссертации на Структура и электрофизические свойства гетеропереходов n-SiC/p-(SiC)_1-x (AlN)_x

Влияние условий роста на структуру и свойства эпитаксиальных слоев (SiC)1-x (AlN) xАбдэль-Ваххаб Абдэль-Кадер Базбаз Хийярат

Получение и исследование эпитаксиальных пленок твердых растворов (SiC)1-x(AlN)x, и поверхностно-барьерных структур на их основеРамазанов Шихгасан Муфтялиевич

Получение твердых растворов (SiC)1-x(AlN)x методом магнетронного распыления и исследование их свойств Гусейнов Марат Керимханович

Механизмы тока и процессы рекомбинации носителей заряда в SiC p-n-структурахСтрельчук, Анатолий Маркович

P-n-структуры на основе широкозонных полупроводников: SiC и A3N. Разработка технологии, получение и исследованиеДмитриев, Владимир Андреевич

Точечные дефекты и фотоэлектрические свойства эпитаксиальных структур Cd x Hg1-x Te, выращенных методами парофазной и молекулярно-лучевой эпитаксииВаравин Василий Семенович

Фотоэлектрические свойства структур на основе CdSiAs2 и его аналоговРудь, Василий Юрьевич

Неразрушающая диагностика электронных свойств структур на основе SiC и GaAs/AlGaAsТитков Илья Евгеньевич

Моделирование воздействия ионизирующих излучений на зарядовые свойства структур poly-Si-SiO2 (P)-SiМакаренко Владимир Александрович

Электрофизические свойства структур кремний-на-изоляторе, изготовленных методом сращивания и водородного расслоенияНиколаев Данил Валериевич