Моделирование электронной структуры квантовых точек Ge B Si Ненашев Алексей Владимирович

Данный автореферат диссертации должен поступить в библиотеки в ближайшее время
Уведомить о поступлении

Диссертация, - 480 руб., доставка 1-3 часа, с 10-19 (Московское время), кроме воскресенья

Автореферат - 240 руб., доставка 1-3 часа, с 10-19 (Московское время), кроме воскресенья

Ненашев Алексей Владимирович. Моделирование электронной структуры квантовых точек Ge B Si : Дис. ... канд. физ.-мат. наук : 01.04.10 : Новосибирск, 2004 242 c. РГБ ОД, 61:04-1/1299

Похожие диссертации на Моделирование электронной структуры квантовых точек Ge B Si

Моделирование воздействия ионизирующих излучений на зарядовые свойства структур poly-Si-SiO2 (P)-SiМакаренко Владимир Александрович

Электронная структура напряженных гетероструктур Ge/Si с вертикально совмещенными квантовыми точками GeБлошкин, Алексей Александрович

Кинетика и механизмы формирования нановискеров в системах Si-Au, Ge-Au (моделирование)Настовьяк, Алла Георгиевна

Моделирование структуры примесной зоны и прыжковой проводимости слабо легированных полупроводниковНгуен, Ван Лиен

Моделирование электронной структуры, процессов образования и взаимодействия наноразмерных кластеров на основе углеродаРоткин, Вячеслав Вячеславович

Аналитическое моделирование физических особенностей полупроводниковыхх структур при расчете основных характеристик быстродействующих полевых транзисторовКузнецов, Михаил Геннадьевич

Моделирование физических явлений в инноимплантированных приборных структурах на основе соединений A III B UДиденко Сергей Иванович

Кинетическое моделирование неравновесных процессов в субмикронных диодных структурахКарташова, Ольга Александровна

Моделирование физических процессов в мощных многослойных структурах на основе карбида кремния Тандоев Алексей Григорьевич

Моделирование и исследование бетавольтаического эффекта на кремниевых PIN структурахПчелинцева, Екатерина Сергеевна