Данный автореферат диссертации должен поступить в библиотеки в ближайшее время Уведомить о поступлении
Диссертация - 480 руб., доставка 10 минут, круглосуточно, без выходных и праздников
Автореферат - 240 руб., доставка 1-3 часа, с 10-19 (Московское время), кроме воскресенья
Баженов Николай Леонидович. Исследование механизмов рекомбинации в CdxHg1-xTe : ил РГБ ОД 61:85-1/2204
Исследование процессов образования, активации и аннигиляции электрически активных точечных дефектов в CdxHg1-xTeСидоров, Георгий Юрьевич
Диффузионное и ионно-лучевое легирование CdxHg1-xTeМынбаев, Карим Джафарович
Модифiкацiя дефектноi структури та фотоелектричних властивостей твердих розчинiв ZnxCd1-xSe, CdxHg1-xTe при лазерному опромiненнiГнатюк, Владимир Анастасиевич
Радиационное дефектообразование при ионной имплантации в варизонных полупроводниковых структурах CdxHg1-xTe, выращенных методом молекулярно-лучевой эпитаксииГригорьев Денис Валерьевич
Фотопроводимость в магнитном поле и фотомагнитный эффект в плёнках МЛЭ p-CdxHg1-xTeПротасов Дмитрий Юрьевич
Фотолюминесцентные свойства гетероструктур на основе CdxHg1-xTe с потенциальными и квантовыми ямами, выращенных методом молекулярно-лучевой эпитаксииГорн, Дмитрий Игоревич
Исследование механизмов претипитации примесей в кремнииКаримбердиев, Хикматилла Хамидуллаевич
Исследование особенностей механизма генерации многомодовых непрерывных InCaAsP/InP ( =1.3 мкм) лазеров раздельного ограничения, выращенных методом краткоконтактной жидкофазной эпитаксииЗайцев, Сергей Витальевич
Механизмы излучательной рекомбинации в гетероструктурах InGaN/AlGaN/GaN с множественными квантовыми ямамиКудряшов Владимир Евгеньевич
Механизмы тока и процессы рекомбинации носителей заряда в SiC p-n-структурахСтрельчук, Анатолий Маркович
