Электронная библиотека диссертаций и авторефератов России
dslib.net
Библиотека диссертаций
Навигация
Каталог диссертаций России
Англоязычные диссертации
Диссертации бесплатно
Предстоящие защиты
Рецензии на автореферат
Отчисления авторам
Мой кабинет
Заказы: забрать, оплатить
Мой личный счет
Мой профиль
Мой авторский профиль
Подписки на рассылки



расширенный поиск

Ближнепольная микроскопия локального оптического отклика поверхности SiC и полупроводниковых наноструктур на основе Si, GaAs и InP Казанцев Дмитрий Всеволодович

Ближнепольная микроскопия локального оптического отклика поверхности SiC и полупроводниковых наноструктур на основе Si, GaAs и InP
<
Ближнепольная микроскопия локального оптического отклика поверхности SiC и полупроводниковых наноструктур на основе Si, GaAs и InP Ближнепольная микроскопия локального оптического отклика поверхности SiC и полупроводниковых наноструктур на основе Si, GaAs и InP Ближнепольная микроскопия локального оптического отклика поверхности SiC и полупроводниковых наноструктур на основе Si, GaAs и InP Ближнепольная микроскопия локального оптического отклика поверхности SiC и полупроводниковых наноструктур на основе Si, GaAs и InP Ближнепольная микроскопия локального оптического отклика поверхности SiC и полупроводниковых наноструктур на основе Si, GaAs и InP Ближнепольная микроскопия локального оптического отклика поверхности SiC и полупроводниковых наноструктур на основе Si, GaAs и InP Ближнепольная микроскопия локального оптического отклика поверхности SiC и полупроводниковых наноструктур на основе Si, GaAs и InP Ближнепольная микроскопия локального оптического отклика поверхности SiC и полупроводниковых наноструктур на основе Si, GaAs и InP Ближнепольная микроскопия локального оптического отклика поверхности SiC и полупроводниковых наноструктур на основе Si, GaAs и InP
>

Диссертация - 480 руб., доставка 10 минут, круглосуточно, без выходных и праздников

Автореферат - бесплатно, доставка 10 минут, круглосуточно, без выходных и праздников

Казанцев Дмитрий Всеволодович. Ближнепольная микроскопия локального оптического отклика поверхности SiC и полупроводниковых наноструктур на основе Si, GaAs и InP : дис. ... д-ра физ.-мат. наук : 01.04.05 Москва, 2006 216 с. РГБ ОД, 71:07-1/136

Содержание к диссертации

Введение 4

Общие принципы 4

Схемы экспериментов 6

Теория 7

Анализ рассеяния света объектом и собирания иглой 7

Решение обратных задач при восстановлении источника 9

Технические аспекты сканирующих систем 10

Особенности взаимодействия иглы с образцом 10

Системы сканирования и обратная связь 10

Измерительные приложения микроскопии ближнего поля 11

"Квазиклассические" изображения 11

Регистрация "полей утечек" 13

Спектроскопия люминесценции молекул 15

Комбинационное рассеяние 16

Использование SNOM для записи/считывания информации с высокой пространственной

плотностью 16

Выводы 17

Глава 1. Конструкции апертурных SNOM - приборов с заданием рабочей области отверстием

на игле 19

Сканирующие иглы 19

Изготовление зондирующих игл в описываемой работе 24

Сканирующие системы SNOM 25

Низкотемпературная система SNOM с «теплым» сканером 46

Температура кантилевера низкотемпературного SNOM 61

Сканирующий конфокальный микроскоп на основе вакуумированной низкотемпературной

системы SNOM 67

Температура облучаемой области образца в волоконном SNOM 69

Глава 2. Экспериментальные применения SNOM, использующего заостренные

оптоволоконные иглы 72

Полупроводниковые структуры 72

Прямое наблюдение явлений переноса в квантовом слое 78

Спектроскопия выделенной иглой SNOM квантовой точки при низкой температуре 84

Распределение светового поля в микрорезонаторе, наблюдаемое на сколе структуры 88

Альтернативные методы выделения одиночной квантовой точки для спектроскопии 89

Выводы по главе 95

Глава 3. Безапертурный интерференционный микроскоп рассеяния ближним оптическим

полем иглы (s-SNOM, SNIM) 97

Физические принципы работы микроскопа рассеяния иглой 97

Особенности оптических схем интерферометрического выделения сигнала

ближнепольного рассеяния иглой 100

Конструкция сканирующей головки SNOM ближнепольного рассеяния иглой 103

Характеристики изготовленной сканирующей головки sSNOM 107

Выводы по главе 111

Глава 4. Изображение пространственного распределения диэлектрической проницаемости

поверхности с помощью s-SNOM 112

Рассеяние света в видимом диапазоне иглой над димерами плазмон-активных

металлических нанодисков на диэлектрической подложке 112

Изображение в режиме sSNOM скола кремниевых транзисторных структур в среднем ИК-

диапазоне рабочих длин волн 120

Выводы по главе. Возможность контрастного изображения прибором sSNOM материалов

с различными диэлектрическими свойствами 124

Глава 5. Визуализация надповерхностного электромагнитного поля с помощью s-SNOM.. 126 Общие физические принципы распространения, возбуждения и регистрации

поверхностных фонон-поляритонных волн в полярных кристаллах 126

Возбуждение и наблюдение бегущей фонон-поляритонной волны на поверхности SiC в

области частот решеточного резонанса кристалла 129

Закон дисперсии (зависимость наблюдаемой длины волны от частоты) наблюдаемых

поверхностных фонон-поляритонных волн 134

Распределение амплитуды электромагнитного поля над поверхностью SiC в присутствии

экранирующей возбуждающее излучение металлической маски 142

Выводы по главе 154

Глава 6. Системы управления сканированием, поддержанием режима контакта игла-образец

и сбором сигнала 156

Предусилитель сигнала пьезоэлемента задания вибрации иглы с электронной коррекцией

добротности и емкости пьезоэлемента 162

Электронный блок управления СКАН-10 микроскопом сканирующего зонда 171

Программирование управляющих экспериментом систем 183

Основные результаты и выводы 187

Выводы 188

Список публикаций по теме диссертации 190

Благодарности 194

Цитируемая литература 195

Введение к работе

Среди экспериментальных методик исследования поверхности, развившихся из сканирующей туннельной микроскопии (STM), видное место занимает сканирующая микроскопия ближнего оптического поля (Scanning Near-field Optical Microscopy - SNOM). Идея метода состоит в том, чтобы ограничить область взаимодействия поверхности образца со светом малой областью в ближней зоне электромагнитного поля квазиточечного источника (детектора). Размер области взаимодействия может быть, как выясняется, достаточно малым, и в частности, позволяет преодолеть дифракционный предел разрешающей способности традиционных оптических (в том числе конфокальных) микроскопов, составляющий доли длины световой волны. Пространственное изображение оптических свойств поверхности обеспечивается в данных приборах за счет прецизионного сканирования пьезоманипулятором, точно так же, как это делается в STM.

В настоящее время опубликовано вероятно уже несколько тысяч работ с применением сканирующего микроскопа ближнего оптического поля. Весьма полный обзор [1] опубликованный в 1994 г., может дать общее представление о данной области.

Похожие диссертации на Ближнепольная микроскопия локального оптического отклика поверхности SiC и полупроводниковых наноструктур на основе Si, GaAs и InP