Электронная библиотека диссертаций и авторефератов России
dslib.net
Библиотека диссертаций
Навигация
Каталог диссертаций России
Англоязычные диссертации
Диссертации бесплатно
Предстоящие защиты
Рецензии на автореферат
Отчисления авторам
Мой кабинет
Заказы: забрать, оплатить
Мой личный счет
Мой профиль
Мой авторский профиль
Подписки на рассылки



расширенный поиск

Разработка структур и методик расчета цифровых элементов памяти на высокотемпературных сверхпроводниках Петров, Андрей Борисович

Данная диссертационная работа должна поступить в библиотеки в ближайшее время
Уведомить о поступлении

Диссертация, - 480 руб., доставка 1-3 часа, с 10-19 (Московское время), кроме воскресенья

Автореферат - бесплатно, доставка 10 минут, круглосуточно, без выходных и праздников

Петров, Андрей Борисович. Разработка структур и методик расчета цифровых элементов памяти на высокотемпературных сверхпроводниках : автореферат дис. ... кандидата технических наук : 05.13.05 / Моск. гос. ин-т радиотехники, электроники и автоматики.- Москва, 1994.- 18 с.: ил. РГБ ОД, 9 94-1/2265-9

Введение к работе

Актуальность работы

Перспективы реального использования достижения в области создания материалов.обладающих свойствами сверхпроводимости, тесно связаны с созданием вычислительных систем. По сравнении с достигнутым в настоящее время уровнем полупроводниковой технологии применение сверхпроводящих материалов обеспечивает следующие преимущества:

  1. снижение в 10...1000 раз потребляемой, а, соответственно , и рассеиваемой мощности, что в своп очередь позволяет создавать устроаства с более высокоа степенью компоновки (интеграции), а также.что особо важно для бортовых устройств, с более низкой мсщносты) источника питания;

  2. уменьшение потребной площади для реализации одного элемента, что также повышает плотность компоновки (интеграции), что в свою очередь уменьшает потери на межсоединениях;

  3. повышение быстродействия элемента за счет снижения уровней потенциалов, конструктивных реактивных сопротивления. увеличения скорости переключения из одного состояния в другое за счет применения новых физических принципов.

Задача разработки элементов ЭВМ на ВТСП-маториалах решается в следующих условиях:

-наличие типовой технологии напыления,травления и других процессов с разрешающей способностью 1-5 мкм;

-наличие отработанного состава ВТСП-материала, знание его физических и иных,необходимых для разработки элемента,свойств;

-наличие теории по создзвию устройств с использованием низкотемпературных СП-маториалоз, опытных результатов по

использование ВТСП-материалов;

-отсутствие строгой теории, объясняющая эффект ВТСП, тре-Оававия к геометрии к структуре джозефсоковских контактов, а такие вихревые явления в сверхпроводниках;

-понимание поискового характера работы и вероятностныЕ характер нахождения решения.

Вариантность при разрзооткв элементов с применением ВТСП-нзтвриалов возникает в физических свойствах материала, в технологии изготовления элементов на основе ВТСП-материалов, в структуре и физических принципах, применяемых в элементе памяти.

Вариантность в выЗоре физических свойств ВТСП-материалов кояет Оыть в выборе, определяемой температурой пэрехода в сверх-прозодавае состояние;плотностью критического тока материала; временной и температурной тастабильностью,анизотропностью, структурой и составом материала.

Вариантность выбора технологии изготовления элементов на основе ВТСП-материалов связана с разрешающая способностью технологии. їазрвшапцая способность технологии, которая имеется в настоянеє время, позволяет создавать структуры контактов только с использованием дополнительных приемов. С другой стороны, возможно ожидание разработки новой технологии с более .высокими параметрами.

Вариантность выбора структуры к физических принципов, реализуемых в элементах ЭВМ может быть в следующем:

а) построение элементов памяти на основе регистров;

б) построение элементов памяти на основе ячеек,в том числе
на основе одиночных квантов, криотрона, параметрического квант-

- ь -

рояа, даозефсоновскоя туннельная логики, сочетания магнитного управления и инжекпяи, неппсредственЕЫГ связей,, реаистивных связей.

в) построение элементов памяти на основе вихрей.

Таким образом, развитиэ данного направления элегантней базы вычислительной техники яаляатся актуальной проблеиаа я требуэт дзлытв итого исследования, для которого нвобходяяа разработка методик расчета ВТСП-алаивятов.

Цель работы

Озльв настоящэа работы являлась разработка методик расчета ааэментов ВХ. в том числе и элементов памяти, реализованных с применениэн различных ВТСП-техгалсгии.

Предмет исследования

Предаетои исслэловаяия являлись элементы паиятя ВТ, выполненные на основе ВТСП-натеризлов.

Задачи исследования

К задачам, решаемым в продассе исследования, представленного в иастояюа работе, относятся:

- анализ возможностей построения и выбор типа логика. -
(принципа реализации) ВТСП-элемента памяти,

- проведение анализа специфики реализации структур ВТСП-
злэмвитов на основе различных технология, выбор вида техноло
гии в зависимости от области применения БХСП-элэкента,

- б - '

- разработка методик расчета ВТСП-злємєнтоб, в ток числе

расчета геометрических, электрических, энергетических и других его характеристик,

- определение условна, определявших устойчивость ВТСП-
алемвнта.

Методы исследования

При решении поставленных задач использовался математический аппарат теории цепей, теория устойчивости элементов ВТ в условиях состязания сигналов.

Научная новизна работы

В диссертации представлены оригинальные способы расчета ВГСП-элеиентов и их составляющих с точки зрения геометрических, электрических, мощностных параметров, дана опенка предельно достижимой "степени интеграции, сформулированы условия работы ВТСП-эленентов с учетом конструктивных задержек в линиях связи и шинах питания с учетом проблемы состязаний сигналов.

Приведенные способы является новыми применительно к схемам на основе ВТСП-материалов, актуальными с точки зрения их практического применения разработчиками.

Основные положения, выносимые на защиту

К основным положениям, выносимым на запшггу, можно

отнести:

  1. способы расчета геометрических и злэкгрических характеристик ВІСП-злементов памяти и иг составляших,

  2. способ оценки предельной степени интеграции ЗТСІЇ-

СХЄМ,

3. рекомендации по выбору вида технологии реализации
структуры даогефсоновскога контакта з зависимости от стэгвнл
интеграции ВТСП-СХ8И и серийности выпуска,

  1. способы проектирования информационных шин и шин питания с учетом задэрявк, а. тага» цепочки ВІСП-злементов с учетом проблема состязания сигналов.

  2. структуру ВТСП-злемвнта памяти с разрушавшим считыванием.

Практическая ценность исследования заключается В следу-

ещвм:

  1. в создании методик для практического расчета ВТПЗ-зла-давтов, их составляющих и схем на их основе;

  2. в разработке программного продукта "ЗТСП-пачять", позволяющего вести расчет ВТСП-элементов в интерактивном режиме;

  3. в разработке принципиальной схемы ВТСП-злемеитэ памяти с разрушающим считыванием.

Внедрение результатов работы

Результаты дассаргационноа работы внедрены з НИИ "Квант"

- Б -(г.Москва), Учебном авнтрэ "Новыа технологии обучения" (г.Москва), Московском государственном ивспггуте радиотехники, электроники и автоматики (техническом университете).

Апробация работы

Основные положения диссертационной работы были представлены и доложены на следующих конференциях:

-Международные научно-технические семинар "Современные гроблены информационных технологий в народном хозяйстве и образовании", Россия, Москва, РНТОРЭС им. А.С.Попова,1993.

-XL-xun научно-технические конференции МИРЭА, Москва, ІВ0І. ІВ82, ІВ93 ГГ.

Рубликацим

Во результатам работы опубликовано 6 печатных работ.

Структура и объем работы

Похожие диссертации на Разработка структур и методик расчета цифровых элементов памяти на высокотемпературных сверхпроводниках