Электронная библиотека диссертаций и авторефератов России
dslib.net
Библиотека диссертаций
Навигация
Каталог диссертаций России
Англоязычные диссертации
Диссертации бесплатно
Предстоящие защиты
Рецензии на автореферат
Отчисления авторам
Мой кабинет
Заказы: забрать, оплатить
Мой личный счет
Мой профиль
Мой авторский профиль
Подписки на рассылки



расширенный поиск

Осаждение диэлектрических пленок методом динамической плазменной обработки с целью применения в электронной технике Цветкова, Юлия Владимировна

Данная диссертационная работа должна поступить в библиотеки в ближайшее время
Уведомить о поступлении

Диссертация, - 480 руб., доставка 1-3 часа, с 10-19 (Московское время), кроме воскресенья

Автореферат - бесплатно, доставка 10 минут, круглосуточно, без выходных и праздников

Цветкова, Юлия Владимировна. Осаждение диэлектрических пленок методом динамической плазменной обработки с целью применения в электронной технике : автореферат дис. ... кандидата технических наук : 05.27.01.- Москва, 1991.- 26 с.: ил.

Введение к работе

Актуальность темы. Возможность получения химически активні,-/, частиц в плазме при ДПО обеспечивает увеличение скорости процесса осаждения, которое в отсутствие такой активации происходил бы при той же температуре недопустимо медленно, а в некоторых случаях вообще бы осаждения не произошло. По мере возрастания понимания механизма процесса осаадекия при ДПО, происходящего за счет рзесирения использования диагностики плазмы и разработки новых технологических режимов, а также увеличения интереса к методу ДПО, расширяются возможности создания новых материалов.

Цель работы. Целью работы является разработка и исследование процесса осаждения диэлектрических покрытий

оксида креьяия и оксида олова методом ДПО с использованием эяементосрганических соединений (ЭОС) при атмосферном давлении и создание альтернативного метода формирования изолирующих слоев в технологии твердотельной электроники, лазерной оптике, машиностроении.

Решаемые задачи. Для реализации поставленной цели в данной работе решались следующие задачи:

анализ существующих методов ссаэдения диэлектрических слоев в технологии твердотельной электроники и формулировка требований к разрабатываемому процессу;

разработка режимов осаздения тонкой диэлектрической пленки оксида кремния и проводящей пленки оксида олова

на подложки из разных материалов методом ДПО;

разработка методики оптимизации параметров воздействия плазму на подложки из базовых материалов при оеагдекии пленок с заданными свойствами и составом;

создание испарителя для ЭОС;

исследование физико-химических и электрофизических параметров пленок, полученных методом НПО.

Научная новизна. Разработан новый метод формирования пленок потоком плазмы при атмосферном давлении - осаждение методом ДПО. Получен ряд принципиально новых научных сведений о процессе образования слоев под воздействием плазмы атмосферного давления. Предложена модель механизма осаадения пленок SiOo. Разработаны технологические режимы нанесения пленок с заданными свойствами.

С помощью комплекса прецизионных методов анализа изучены свойства пленок. Исследована и разработана методика

оптимизации физико-химических параметров пленок оксидов кремния и олова.

Практическая ценность. Разработанный метод ДПО осаждения пленок на поверхность твердых тел мозет быть использоьан в технологии изготовления интегральных микросхем, дискретных полупроводниковых приооров, оптоэлектронных устройств.

Ка защиту выносятся следующие основные положения:

  1. Составы и методы подачи реагентов в зону реакции.

  2. Конструкция испарителя для подачи рабочего соединения.

3. Режимы осаждения пленочных покрытий методом ДПО на
подложки из разных материалов.

  1. Модель процесса осакдения пленки оксида кремния методом ДІЮ.

  2. Результаты исследования физико-химических и электрофизических сг.оЯств диэлектрических пленок SlOp и проводящих пленок SnOp, получанных методом ДПО.

Апробация работы и публикации. Результаты диссертационной работы внедрены на предприятии НПО "Астрофизика" в технологии осаждения многослойных интерференционных зеркал. Экономический эффект составил 95 тыс.рублей в год.

Результаты, полученные в процессе работы, докладывались на ІХ-ОМ научно-техническом совещании "Материалы к новые технологические процессы в микроэлектронике", Киев, 1983 г.; Всесоюзной конференции "Перспективы применения плазменных технологий в металлургми и машиностроении", Челябинск, 1938г; XI-ой Всесоюзной конференции по генераторам низкотемпературной плазмы, Новосибирск, 1983 г.; 1-ом Всесоюзном симпозиуме

по радиационной плазмодинамике, Москва, 1989 г.; Международном симпозиуме по пяазмохимии, Италия, Пугночузо, 19S9 г.; Межотраслевом научно-техническом семинаре "Физические основы и новые направления плазменной технологии в микроэлектронике", Харькоз, 1989 Г.; Всесопзнои конференции "Топкие пленки в производстве полупроводниковых приборов и интегральных схем", Махачкала. 1S90 г.

Результаты работы защищены і-i.-s. положительными решениями ВШТПЭ по заявка?.! на изобретения, изложены з 2-х отчетах по НИР, 7-ій тезисах докладов на конференциях, 5-ти статьях.

Похожие диссертации на Осаждение диэлектрических пленок методом динамической плазменной обработки с целью применения в электронной технике