Электронная библиотека диссертаций и авторефератов России
dslib.net
Библиотека диссертаций
Навигация
Каталог диссертаций России
Англоязычные диссертации
Диссертации бесплатно
Предстоящие защиты
Рецензии на автореферат
Отчисления авторам
Мой кабинет
Заказы: забрать, оплатить
Мой личный счет
Мой профиль
Мой авторский профиль
Подписки на рассылки



расширенный поиск

Равновесные и неравновесные фазовые переходы в эпитаксиальных пленках магнитных гранатов Пак Чун-Ман

Данная диссертационная работа должна поступить в библиотеки в ближайшее время
Уведомить о поступлении

Диссертация, - 480 руб., доставка 1-3 часа, с 10-19 (Московское время), кроме воскресенья

Автореферат - бесплатно, доставка 10 минут, круглосуточно, без выходных и праздников

Пак Чун-Ман. Равновесные и неравновесные фазовые переходы в эпитаксиальных пленках магнитных гранатов : автореферат дис. ... кандидата физико-математических наук : 01.04.10 / Рос. академия наук. Ин-т радиотехники и электроники.- Фрязино, 1995.- 20 с.: ил. РГБ ОД, 9 96-1/1983-1

Введение к работе

Актуальность теми диссертации. Интерес к исследованию магнитных фазовых переходов (ФП) диктуется как чисто познавательными причинами, так и тем, что критические явления в магнетиках накопят достаточно широкое применение во многих сферах человеческой деятельности. С научной точки зрения изучение ФП является актуальным потому, что при таких превращениях происходит качественное изменение її поведении исследуемых обтектон - из "простого" оно становится "сложным". Именно этот переход от простого поведения к сложному її позволяет получить такую информацию о свойствах объектов, которая обычно является недоступной. Усложнение повеления .-бъектои исследования стимулирует создание новых теоретических подходов к их адекватному описанию, разработку новых .зкеиернментальпых методик и процедур обработки и апатита опытных данных. Актуальность данной проблемы с практической точки зрения обусловлена тем, что необычные свойства сг-сд в окрестности ФП тают возможность реализации новых принципов функционирования приборов и устройств самого различного назначения. Достаточно упемя.чуп,, например, использование ФП вблизи точки Кюри для термомагнітній записі] информации на машитооптнческие диски, используемые г; современной вычислительной технике в качестве внешних запоминающих устройств и составляющих серьезную конкуренцию лазерным дискам (компакт-дискам).

Наряду с трашпиопными объектами исследования, к которым относятся равновесные фазовые превращения, в последнее время все больший интерес вызывают неравновсешзе ФП, для описания которых необходим синергстический подход.

Первоначально исследования магнитных ФП выполнялись на массивных образцах; бурное развитие микроэлектроники, где используется п.танарная технология, сделало актуальным изучение критических явлений в тонких пленках. Эпитаксиатьные пленки магнитных гранатов оказались для этих истей удобными по двум причинам. Во-первых, смешанные фанаты представляют собой твердые растворы, допускающие замещение базовых металлических ионов на другие ионы. Это открывает неограниченные возможности для получения пленок с заданными магнитными параметрами путем варьирования состава. Во-вторых, доменную структуру (ДС) пленок при ФП можно наблюдать методами обычной оптической поляризационной микро-

4 сконии, поскольку все гранаты обладают достаточно большим удельным фарадеевским вращением R видимом и.ближнем инфракрасном диапазонах длин волн.

3 истекшие несколько десятилетий в теоретическом и экспериментальном исследовании ФП в эиитаксиальных пленках магнитных гранатов были-достигнуты значительные успехи. Тем не менее, проблему в целом нельзя считать решенной. Например, пленок с малым фактором качества Q,. = Ни/4тгМ (Ни - эффективное поле одноосной анизотропии. М - намагниченность насыщения) касаются единичные публикации, которые не д;лот полного представления о критическом поведении объектов. Следовало ожидать, что поведение эиитаксиаль-ных пленок ферритов-гранатов с малым фактором качества будет иметь много общею с поведением пленок других материалов (например, пермачлоя), которые изучались достаточно подробно. Однако, даже для этих материалов нет данных о диаграмме состояний па плоскости Н;; - Hi (Н; и Hi. - компоненты вектора напряженности магнитного поля параллельно и перпендикулярно нормали к поверхности соответственно). Отсутствие таких данных, в свою очередь, исключает возможность правильной интерпретации одной из важнейших характеристик любого магнитною материала - кривой перемаг-ничивания. Не предпринималось никаких попыток синтеза и изучения свойств квазиизотропных пленок ферритов-гранатов (с полной компенсацией одноосной и кубической анизотропии за счет введения в базовый состав замещающих ионов с противоположными знаками соответствующих констант анизотропии). Что касается исследования неравновесных магнитных ФП с самоорганизацией распределения магнитного момента, то эта проблема вообще находится в стадии становления. Имеющиеся экспериментальные данные фраїліентарньї, не у'станоіі.гены механизмы возникновения диссппаїивпьтх сгр^Кі^р различного типа, не привлекаюсь явление магнитооптической дифракции света для исследования симметрии структур и степени их упорядоченности.

Цель настоящей работы состояла в следующем:

исследовать индуцируемые постоянным магнитным нолем равновесные ФП в эпитакспачышх пленках ферритов-гранатов с малым фактором качества и определить вид диаграммы состояний;

определить температурные зависимости вида ДС в эпитаксиать-ных пленках ферритов-гранатов различной толщины с малым фактором качества для проверки гипотезы о существовании поверхностной

5 мягкой моды при равновесном ФП второго рода, сопровождающемся дпгибной поверхностной неустойчивостью профиля доменных Гранин

(ДО; ' '.''

- изучить процессы персмагпичивания квазиизотропных энитакси-

альных пленок ферритов-гранатов;

- исследовать индуцируемые пульсирующим магнитным нолем не
равновесные ФП с самоорганизацией распределения магнитного мо
мента в эпитакеиапьных пленках ферритов-гранатов с большим фак
тором качества методом магнитооптической дифракции света.

Научная новизна.работы состоит в том, что:

  1. Впервые определен вид диаграммы состояний в эпитаксиаль-ных пленках ферритов-гранатов с малым фактором качества' при индуцируемых постоянным магнитным полем равновесных ФП.

  2. Обнаружен новый спонтанный ФП типа порядок - беспорядок в эиитаксиачьных пленках ферритов-гранатов с малым фактором качества, сопровождающийся изгибной поверхностной неустойчивостью профиля ДГ.

  3. Доказана возможность получения кішиизотрошшх эпитакси-альных пленок ферритов-ірапагов путем соответствующего выбора состава и изучены процессы перемагничивання таких пленок.

4. Выполнено 'исследование индуцируемых пульсирующим маг
нитным полем неравновесных ФП с самоорганизацией распределения
магнитного момента в эпитакеиапьных пленках ферритов-гранатов с
большим фактором качества методом магнитооптической дифракции
света.

Основные положения, .выносимые на защиту:

1. Определение вида диаграммы состояний в эиитаксиачьных
пленках ферритов-гранатов с малым фактооом качества при индуци
руемых постоянным магнитным полем равновесных ФП.

  1. Обнаружение нового спонтанного ФП типа порядок - беспорядок я эпитакеиапьных пленках ферритшыранатон с малым фактором качества, сопровождающегося изгибной поверхностной неустойчивостью профиля ДГ.

  2. Разработка методики получения квазиизогролных эпитакеиапьных пленок ферритов-гранатов путем соответствующего выбора состава и определение вида кривых перемагничивання таких пленок.

  3. Результаты теоретического расчета дифрактограмм для случая рассеяния света па упорядоченных двумерных доменных массивах с различной симметрией и различной формой мотивообразующих эле-

ментов решетки Браве, возникающих при индуцируемых пульсирующим магнитным нолем неравновесных ФП с самоорганизацией распределения магнитного момента в знитаксиальных пленках ферри-тов-гпанатов с большим гЬактопом качества.

Практическая .ценность полученных в ходе выполнения работы результатов заключается в следующем:

  1. Определение вида дишраммы состояний в знитаксиальных пленках ферритов-танатов с малым фактором качества (при индуцируемых постоянным магнитным нолем равновесных ФП) даст возможность правильной интерпретации одной из важнейших для практическою использования характеристик - кривой перемапшчивания.

  2. Явление магнитооптической дифракции ни возникающих в процессе динамической самоорганизации двумерных доменных массивах с различной симметрией и различными мотивообпаз\зтпимп элементами решетки Нраве может быть использовано для создания пространственных молуляторов света (оптических транспарантов), перестраиваемых с помощью однородною воздействия па маппппую

Ш1ЄПКУ (ОСІ НО.ІМСІІСЇІІІЯ ДВуМеріЮИ ССГкП 'ЮчОІІССуПНіХ НИНІ.І.

Объем и структура лиссертипиь. Диссертант; соезоиз \\\ \\w:.\.> ния. трех глав, заключения', списка литературы из 25] наименовали з

7 и изложена на 208 страницах, включающих П9 страниц текста и 42 рисунка.

Но введении обоснована актуальность темы диссертационной работы, сформулирована пел г. исследовании и изложены основные научные положения, выносимые на защиту.

В їлаве ], являющейся обзорной, приведені.] сведения об объемных монокристаллах и эпитаксиалышх пленках магнитных гранатов, о способах их выращивания, магнитных и магнитооптических свойствах и ДС. Приведены также данные о выполненных к настоящему времени теоретических и экспериментальных исследованиях ФП в таких пленках, имеющих непосредственное отношение к теме настоящей работы.

В главе 2 приведены результаты экспериментального изучения ДС и равновесных магнитных ФП в пленках фепритов-іпаиатоп с малым (О,. < 1) фактором качества, в том числе и в квазиизотроиных пленках (с практически полной компенсацией констант одноосной и кубической анизотропии). Представлены также сведения о процедуре шлрашипания пленок выбранною состава и их общих свойствах 11-71.

В разлете 2.1 представлены данные об исследовании ФП 1 выращенных методом жидкофазной эпитаксии па подложках из Gd3Ga50!: с (11 П-опиентанией пленках магнитных і пан ато в состава (LuBi)iFesOi2 толщиной L от I до 25 мкм. Для enmesa пленок использовались растворители ВьО, (тип I) и РЬО-ВьО, (тип II). Намагниченность насыщения пленок обоих типов составляла 1800 Гс: значения фактора качества лля пленок типа I лежали в пределах оі 0.02 до 0.1. а для пленок типа II - от 0.1 до 0.3. В игвисимоети от выбора значений компонент г.петпею матитиоіо поля Н и Н в достаточно толстых пленках (L > !.,_.,, * 5 мкм) суп і ест во ваш следующие основные чипы распределения намаї ничепносш: I - однородно намагниченное состояние (О). 2 - простая полосовая ДС (ГП, 3 -полосовая ДС с синфазной приповерхностной іармонической модуляцией профиля ДГСПМ) гг 4 - раш'оноляппые гексаі опальные решетки (Р, и FM цилиндрических машитных доменов (НМД). В пленках с L < L...I "модулированные" полосовые ПС не паблю іаднсь. 'Зависимости периода полосовых ДС (простых и модулированных) о г толщины пленок заметно отличались or ирсдска;аний теории, использующей геометрическую (бесструктурную) модель ГЦ ' Mil

Рпс.]

Выращенные пленки обладали хорошими оптическими, магнитооптическими и сверхвысокочастотными характеристиками. Удельное фара-деевское вращение и коэффициент оптического поглощения па длине волны 0.63 ажм составляли 1.5 град/мкм и 20 см" соответственно, ширина линии ферромагнитного резонанса в дециметровом диапазоне не превышала 1 Э (у лучших образцов 0.5 Э), потери на распространение поверхностных магпитостатичеекпх волн (МСВ) не превосходили 40 дБ/см (для длинноволновой части спектра). Характер возбуждения спектров МСВ и анизотропия их распространения сильно зависели от условий выращивания и толщины пленок. В некоторых пленках можно было наблюдать расиросгранение МСВ в полосе частот до 830 Мгц. Наряду с "гладкими" спектрами, вид которых почти не зависел от направления распространения в базисной плоскости, существовали сильно изрезанные и анизотропные спектры. Причинами изрезанное спектров могли быть как спин-волновой резонанс, так и магнитоупругое взаимодействие (с участием мод Лэмба в подложке); последнее в выращенных нами пленках оказалось неожиданно сильным. Сочетание хороших сверхвысокочастотных, оптических и магнитооптических свойств позволяет надеяться на возможность применения полученных пленок не только в устройствах передачи и обработки информации в СВЧ диапазоне, но и для СВЧ модуляции оптического излучения за счет использования дифракции света па МСВ.

В пленках выбранного состава были исследованы равновесные ФП, индуцируемые магнитным полем. Типичная диаграмма состоя-

9 ний при таких переходах для одной из пленок типа I толщиной около 10 мкм с фактором качества Q., » 0.08 приведена на рис.]. Процедура определения вида диаграмм была анатогична описанной в работе [12]. Стрелками на кривых показано направление изменения ноля; использованы введенные выше, обозначения различных магнитных состояний. Начало координат являезся центром симметрии диаграммы; провалы на кривых П—>Pf и Р,—>ТТ вблизи оси абсцисс связаны с переполяризацией ДГ пои изменении направления поля Hs. Переходы ПМ—>Pj и ПМ—>Р; пе наблюдаются, так как для зарождения ЦМД из регнегки полосовых домєігов требуются противофазные искажения соседних ДГ, а в "модулированных" структурах они син-фззны. Образные трансформации, тем не менее, происходят, поскольку гармонические поверхностные искажения профиля замкігу-тых ДГ не запрещены. Асимметрия диаграммы относительно оси ординат, зависящая от направления поля Ні в базисной плоскости, обусловлена ВЛИЯ7ШЄМ кубической и ромбической анизотропии. Фазовые переходы 0<->П и ПМ«->П близки ко 2-му роду, остальные - к 1-му. При уменьшении толщины пленок диаграмма состоянии не претерпевает качественных изменений, но область существования "модулированных" ДС постепенно сужается, и при Lcrl они вообще не наблюдаются.

Далее сообщается об обнаружении нового спонтанного (индуци
руемого изменением только температуры) ФП в пленках ферритов-
гранатов состава
6 "4 Л' мкм (LuBi)3(FeMg)50]2 с ма
лым фактором качества.
Подобный ФП был об
наружен при исследова
нии температурных за
висимостей периода ДС
! d и длины волны Л гар-
2 1- ^с ионических поверхност-

I '\ ,__»—~-~~^~ пых искажений профиля

і L- ДГ, которые для одной

і т, к ш пленок толщиной 10

о1 ' 1 ' ' ' —' ' ' мкм представлены на

280 360 -140 520 600 рнс2. УкаЗШШЫС ЗЗВИ-

Рис.2 симости определялись

К) по дифракционной картине, которая в случае дифракции на модулированной регулярной полосовой ПС имеет лва основных рефлекса (как и для обычной структуры с плоскими .ЦП и четыре рефлекса -сателлита, обусловленные модуляцией. При 7=7 = 460 К на кривых d(T) наблюдается максимум: эта же темиепалупа ппимерно соотвелег-иуед верхней границе существования модуляции профиля ДГ. При проходе через 7. исчезают максимумы - сателлиты на дифракционной картине, а основные рефлексы размываются и трансформируются в кольцо, что свидетельствует о разрушении дальнею ориентани-онного порядка в ЛС. типичном для ФП 2-ю рода 1,121 Поскольку мягкая мола, ответственная л а данный ФП. к пашем случае является поверхностной, энергия флуклуапий оказывается недостаточной для полной аморфизапии ДС. В ней сохраняется ближний ориентациоп-ный порядок, а частичная аморфизапня. осуществляется путем разбиения исходной регулярной конфигурации на множество хаотически расположенных блоков, внутри которых структура остается упорядоченной. Причиной существования наблюдаемого ФП является температурная зависимость критической толщины пленок | 13]. которая при повышении температуры возрастает и становится равной толщине пленки при Т=Т ...

В разделе 2.2 изложены методика выращивания и результаты, исследования квазиизотропных (с фактором качества О,, < 0.01) пленок ферритов-трапатов состава (YPrBi\i.Fe4iW.Ru0]0!)<;O.2. в которых компенсация константы наведенной одноосной анизотропии достигалась за счет соответствующего выбора содержания празеодима и висмута, а компенсация констант, кубической анизотропии - за счет ионов руления. Изучены процессы перемаїничивания таких пленок. Показано, что ноле иеремагничивании пленок может быть менее І Уі, а магнитная восприимчивость может превышать К)"'. Оптимальное (с точки зрения полнот! компенсации кубической анизотропии) содержание ионов Ru определялось путем анализа азимутальных зависимостей поля иеремагничивания. Обнаружено сильное магнитное последействие, обусловленное слоистой структурой образцов. Пленки указаино-ю состава обладают большим удельным фарадеевским вращением (~ 2 х 10 на ,длине волны 0.63 .мкм) и моїут применяться в магнитооптических датчиках мапштной индукции и системах визуализации магнитной .записи.

Глава 3 посвящена изложению результатов исследования индуцируемых пульсирующим магнитным нолем неравновесных ФП с самоорганизацией распределения магнитного момента в эпитаксиальных пленках ферритов-гранатов с большим фактором качества и магнитооптической дифракции света па возникающих и процессе самоорганизации упорядоченных ДС с различной симметрией и (или) различными мотивообразуюптими элементами решетки Кране [8-Ю].

Эксперименты проводи.3 ись на пленках (YBiWFeGa)5Ol2, (lAiBi),/FeGa),0,2 и (YGdYbBi).,(HeAl)5(),2 толщиной 5 - 20 мкм

(a)

(С)

преимущественно с (111)-ориенташгей. Для получения и обработки изображений ДС и дифракционных картин от лазерного излучения с длиной волны 0.6328 мкм использовалась установка, включающая в себя видеокамеру и компьютер с адаптером для оцифровки видеосигнала. Для облегчения сопоставления расчетных ди-фрактограмм с экспериментальными при компьютерной обработке последних применялась ступенчатая передаточная характеристика, порог которой выбирался из соображений обязательности воспроизведения всех уверен-(Є) 1. (f) I ЗУ}} U U а но регистрируемых слабых

дифракционных рефлексов. При этом дифракционные максимумы на "компьютерных фотографиях" имели одинаковый контраст и отображались в виде кругов с (q) IJtlOtitic (h) ^4.4^'L площадью, пропорционать-

" ной интенсивности.

Рнс.З ft разделе 3.1. дано крат-

12 кое введение в проблему, основанное на анализе ранее выполненных исследований [14-17], и обсуждена постановка задачи.

Раздел 3.2 содержит новые экспериментальные данные о явлении динамической самоорганизации распределения магнитного момента в тонких квазиодноосных пленках ферритов-гранатов под действием пульсирующего (монополярного импульсного или гармонического) магнитного поля, направленного по нормали к поверхности и имеющего амплитуду, существенно превышающую статическое ноле коллапса ЦМД. Обсуждены возможные сценарии периода от хаоса к упорядочению: возбуждение нелинейной пульсациошюй моды колебаний гантелевидных доменов, дрейф двумерных доменных массивов и динамическая кластеризация разнополярных гексагональных решеток круглых ЦМД. Первые два сценария реализуются при монополярном импульсном воздействии (треугольные импульсы длительностью несколько микросекунд), последний - при гармоническом (частоты в диапазоне нескольких килогерц). Упорядоченные ДС, возникающие при монополярном воздействии но первому сценарию, существуют в двух дуальных модификациях, любая из которых переводится is другую однократным действием импульса поля. Это иллюстрирует рис.3, на котором в левом столбце показаны статические фотографии наблюдаемых конфигураций, а в правом - динамические, полученные при времени экспозиции, значительно превышающем период повторения импульсов.

Видно, что последние представляют собой суперпозицию двух дуальных модификаций. Существует отчетливо выраженная зависимость уїла, на который переориентируются оси гантелевидных доменов под действием каждого импульса поля подмаїничивания, от плотности доменов в массиве, то есть, от среднего значения намапшчешюстИ' ячейки. В разреженных решетках (рис.3 a-d) оси гантелевидных доменов периодически переориентируются на 90, и реализуются статические структуры с симметрией Р6 (рис.За) или РаЬ2 (рис.Зс) и динамические структуры с симметрией P6mm (рис.ЗЬ) или Cmm2 (рис.3d). При увеличении плотности доменов угол переориентации осей уменьшается (рис.3 e,f) и, если плотность доменов превышает некоторое критическое значение, то переориентация вообще не наблюдается и при самоупорядочении формируются чередующиеся ряды из коротких и длинных гантелевидных доменов, причем каждый импульс поля нодмагничивания переводит длинные домены в короткие, а короткие домены - в длинные (рис.З,Ь). Описанный сценарий

13 реализуется в пленках с очень большим (Qu » 10) фактором качества и отсутствием анизотропии в базисной плоскости. Если последнее условие не выполняется и фактор качества не слишком велик (10 > Qu > 1), то под действием монополярных импульсов магнитного поля возникает дрейф (поступательное движение) ДС, что приводит к самоорганизации ДС в массив S - образных (рис.4а,Ь), гаителевидных (рис.4с) или бумерангоиодобиых (рис.4сі) элементов. Киральность массивообразугащих элементов на рис.4а,Ь связана с действием гироскопических сил [18].

(a)

(С)

-** bj ^ *; % «**» /Г\ л"

Ч Ь"* М Рч

ogoSo;

(е)

(f)

Рис.4

Третий сценарий реализуется при воздействии сильного гармонического магнитного ноля на одноосные пленки с Qu » 1 и порождает своеобразную ДС, со-'$*$' стоящую из блоков (кла-jO/9 стеров) разнополяриых решеток ЦМД, которые при диссоциации преобразуются в упорядоченные двумерные массивы кольцевых доменов или спаренных кольцевых доменов; см. рис.4е,Г. В сходных условиях при нелинейных колебаниях одномерно-периодической системы полосовых доменов, симметрия которой описывается так называемой группой бордюров, возникают двумерно-периодические упорядоченные конфигурации доменов, по внешнему виду аналогичные бимодальным структурам в жидкостях при конвекции Рэлея-Бенара с высоким числом Правдт-л'я.

В разделе 3.3 представлены раезультаты теоретического и экспе-риментатыюго изучения явления магнитооптической дифракции све-

14 та на самоупорядочивающихся двумерных ДС с различной симметрией и с различными мотивообразующичи элементами решеток Нраие.

Расчет интенсивности и положения дифракционных рефлексов проводился по известной методике [19J в приближении Фраупгофера.

При рассеянии падающего на пленку вдоль оси /, (?,||" ) спета максимумы будут наблюдаются в направлениях fc, , -k + phi + qb2, где

к - волновой вектор падающего спета, Ьх и Ь^ - базисные векторы

обратной решетки, рис/- целые числа, а компоненты поля дифрагированного излучения E(xj ,yd), являющиеся Фурье-трансформантами компонент апертуриой функции Е(х,у) определяются выражением

Ё( //) = Я Ё(х, у) ехр[- i(x + i]y)\ dx cly . (Г)

Здесь (х.у) и (xj .yd) - системы координат (с коллинеарными ортами) п плоскостях объекта и наблюдения соответственно, 6' - освещаемая площадь объекта (апертура), с, = kxd / zo , -7 = kyd / zq и za - расстояние от объекта до плоскости дифракции. В рассматриваем см случае интенсивность основного дифракционного максимума (p=q=0, то есть =г]=0) для бесконечной апертуры исходного светового пучка состчшляет

/(0,0) =—-72o^|cos20/. +(1-2^)2 sin2 ФЛ], (2)

8;т*" где Е0 - напряженность падающей световой волны, Т - коэффициент пропускания пленки. Sj - площадь элементарной ячейки, занимаемая доменами, Ф; - угол поворота плоскости поляризации света в доменах, pj= Sj I Sg - коэффициент заполнения доменной решетки ( S0 -площадь элементарной ячейки). Для дифракционных рефлексов высшею порядка (р ф 0 и (или) q Ф 0) расчет интенсивностей дает следующие значения

/(;/) = —-Т2Е1\К(г.1])\" sin2 Ф/ , (3)

где AVc.n,) - форм-фактор, равный

К(. ф = (J ехр|-( х+ ПУМ"ІУ <4)

н определяемый ii точках 4<г.чх + ї|Ф.Чіе_у = pbt + qb2.

in Таким обранім, расчет распределения интенсивности дифрагированного излучения сводится к определению коэффициента заполнения доменною массива и к вычислению интегралов типа (4). Эта процедур.". была выполнена для всех наблюдаемых в эксперимента-; самоупорядочиваюшихся доменных конфиіураций. Форма ІІГ .мотн-вообр дующих элементов при этом ашірокеимирогкіласі, тремя одинаковыми эллипсами и окружностью (рнс.За.Ь), двумя одинаковыми эллипсами (рпс.Зс-Гі, двумя разными эллипсами (pisc.3g,li), набором из трех (рис.4а.Ь) или двух (pnc.4d) параллелограммов, набором из трех прямоуто.тьннков (рис.4с). эллипсом и двумя окружностями (рис.4е) и двумя концентрическими окружностями (рис.4Г.). Ььин определены структурные факторы для используемых в расчете моделей доменов. пля некоторых случаен результаты расчета были выраэкепы в аналитическом виде: в противном случае исполь зоьались численные методі,!. Например, аналитические расчеты были проведены для молелен, содержащих эллиптические и (или) круглые домены, 'г'.к ri эллиптический домел с полуосями г- и г2 (г, > /->> имеет центр .'ікс !.ь л', і. a ei о большая ось составляю о юь;о х \юд 'V , со

(у-/; - /і/'Л.-'7''' "'" J>: }

- груп к и и н hi ~:,п) определяются по формуле і Ль

і'с .чр.'гд :,' теоретическою расчета дифракционных карти;; чахо-!':'е; ;; лорл.кем еоіласнн с опытными данными для все: ню.тюлае-

16 ','

мых самоупорядочивающихся доменных конфигураций! Для примера
на рис.5 приведены экспериментальная (а) и теоретическая (Ь).ди-
фрактограммы для структуры, показанной на рис.За. В расчетах ис
пользовались геометрические параметры реального доменного масси
ва. ..>'.-.

а) Ь)

Рис.5

Рассмотрены возможные типы и причины нарушения регулярности в возникающих при самоорганизации упорядоченных ДС. Показано, что анализ распределения интенсивности дифрагированного излучения может быть использован не только для симметрийной классификации квазидвумерных доменных массивов, но и для определения степени их упорядоченности. Обсуждены возможности практического использования явления магнитооптической дифракции на возникающих при самоорганизации неоднородных распределениях магнитного моменті'., например в пространственных модуляторах света, управляемых однородным воздействием на рабочую среду.

В Заключении сформулированы основные результаты, полученные в ходе выполнения настоящей работы, а также даны сведения о публикациях по теме диссертации и докладах на различных научных форумах.