Введение к работе
Лктуалшость_работнл Аморфянй гидрированный кремний (a-Sl:H) в настоящее время находит все большее применение в электронной технике как новый полупроводниковый материал. Основнке области применения - это солнечные элементы, фотодатчкка, тонко-пленочнш но левые транзистори для дисплеев, логических схем и схем памяти, светоизлучавдиэ диода и т.д. Специфика этого материала, связанная с технологической доступностью, дешевкзой и наличиен известных полупроводниковых свойств, приемлемых для создания изделий электронной техники, позволяет a-Sl:H успешно заменять традиционные в этой области крисстзлллческкэ полупроводники. И осли в области применения этого материала мошо отмотать прогресс, то в определений его свойств и физики процессов ясности покэ но существует. Многие вопросы фундаментального характера, связанные с энергетическим спектром носителей заряда, механизмом электрспере-носа и легирования, далеки от решения либо находятся па стадии постановки.
Ш5Ь_51.за2ач^иссл^ования.
Целью настоящей работы являлось экспериментальное исследова-t
ние механизма легирования пленок екорфиого гидрированного кремния
серебром и диспрозием путем использования различных способов еводо-
Ш1Л этих пршесей: ддйфузией и мотодом лепфования в процессе выра
щивания. ''.-_.
Основными задачами являлись:
-исследование диффузии серебра в нелегарованном и легированной бором, фосфором аморфном пщпжровшпом. кремнии;
-исследование влияния диффузионяоп. легирования серебром и диспрозием на электропроводность и фотопроводимость a-Sl:H;
-исследование влияния легирования серебром и диспрозием в процессе выращивания пленок на электропроводность и фотопроводакость пленок a-Sl:II.
.--4-
Епарзио коследоваші:
диффузия соробра в нелегировзнном и в легированном фосфором и бором пленках аморфного гидрированного крекаия;
растворимость и злектропоренос серебра в нелегировашшх пленках a-Sl:II;
- влияние легирования серебром (в процессе выращивания) плепок
a-Si:ll ка их электропроводность и фотопроводимость;
влияние диффужшого легирования диспрозием на электропроводность и г*ютопроводимость пленок аморфного гидрированного крошшя;
влияние т - облучения на проводимость и энергию активации проводимости. a-Sl:H, легированного борон и фосфором.
Пдает152ская_вая2ость_2аботи^
Показана возможность широкого варьирования параметров пленок аморфного гидрированного крешшя путем его диффузионного легирования и легирования в процессе выращивания металлическими примесями.
Предложен способ изготовления аморфного гидрированного — кремния с улучаешюй фотостабильяостыа, основаннай на диффузионном легировании примесями серебра, олова и аюлеза.
Обосновано - применение ыа^эриа лов контактов к слоті п- и
р- типом проводимости. ' '
Пленки" а-31:її,.-легироващше диспрозием, могут бить использова-ші при создании датчиков ультрафмолотового излучения. Основцие_полоаения_вшосимцэ_па_защиту_.
-
Дізффузия пршесей серобра и диспрозия в a-Sl:ll происходит в интервале 300-500С значительно быстрее, чом в кристаллическом' кремнии за счет процессов нитрации водорода.
-
Легирование фосфором замедляет, а Сором - ус к оряот диффузию серебра в a-SI:II.
-
їїришсь серобра, введенная в a-Si:H как путем диффузии так и в процессе выращивания проявляет донорныэ свойства.
-
Легирование a-SI:II диспрозием (как путем диффузии, так и а
процессе внращивания) приводит к увеличению отаопения фотопроводимости к темновой проводимости при комнатной температуре и возраста-» шш спектральной чувствительности фотопроводимости в ультрафиолетовой области*
Апробация, работы. Осаовшіе результата работа докладовались на 71 Всесоюзной конференцій по физико-химическим основам легирования полупроводниковых материалов (Москва,1988), па Всесогоной конференции по фотоэлектрическим явлениям в полупроводниках (Ташкент,1989), на Всесоюной конференции по перспективным материалам твердотельной электроники (Шнек,1990), па Совещании да аморфним пцрфозаннкм маториалам (Ленинград,1991), а такге на научных семидараг Лабораторій физики полупроводников НИЙ Ш Ташкентского государственного университета и Лабораторії диффузии и дефоктообразевзния в полупро-воднчках ФТИ им.А.Ф.Иоффэ РАН.
По результатам исследований опубликовано 9 работ.
Структура її обьем_диссертацш. Диссерт а ция состоят из вве
дения, четырех глав и основных выводов работа. Она содерянт 126
страниц машинописного текста, еклклэот 36 рисунков, 8 таблиц и 72
наименований библиографии.