Электронно-микроскопические исследования влияния температурных режимов роста на микроструктуру и морфологию квантовых точек в системе InAs-(Al)GaAs Черкашин Николай Анатольевич

Данный автореферат диссертации должен поступить в библиотеки в ближайшее время
Уведомить о поступлении

Диссертация, - 480 руб., доставка 1-3 часа, с 10-19 (Московское время), кроме воскресенья

Автореферат - 240 руб., доставка 1-3 часа, с 10-19 (Московское время), кроме воскресенья

Черкашин Николай Анатольевич. Электронно-микроскопические исследования влияния температурных режимов роста на микроструктуру и морфологию квантовых точек в системе InAs-(Al)GaAs : диссертация ... кандидата физико-математических наук : 01.04.10.- Санкт-Петербург, 2002.- 128 с.: ил. РГБ ОД, 61 02-1/739-6

Похожие диссертации на Электронно-микроскопические исследования влияния температурных режимов роста на микроструктуру и морфологию квантовых точек в системе InAs-(Al)GaAs

Оптические исследования эффектов влияния спонтанного упорядочения атомов на свойства твердых растворов InGaP_2, In_xGa_1-xAs и GaAs_1-xSb_x Власов Алексей Сергеевич

Исследование влияния технологических режимов на электрофизические и оптические свойства аморфного гидрогенизированного карбида кремния, получаемого методом высокочастотного ионноплазменного распыленияСвиркова, Наталья Николаевна

Исследование влияния саморазогрева и нелинейности характеристик диодов Ганна на их работу в режиме генерацииБабаян, Андрей Владимирович

Закономерности роста эпитаксиальных слоев CdTe на Al2O3, GaAs и исследование их адсорбционно-десорбционных характеристикГасанова, Роза Нурмагомедовна

Исследование эпитаксиальных слоев GaAs и одиночных квантовых ям (In, Ga)As/GaAs методами фото- и электроотраженияКомков Олег Сергеевич

Исследование фотоэмиссии из GaAs с отрицательным электронным сродством методом спектроскопии эмитированных электроновОрлов, Дмитрий Анатольевич

Исследование свойств светоизлучающих эпитаксиальных GaAs структур, содержащих ферромагнитные слоиДорохин Михаил Владимирович

Исследование электрооптических свойств двухатомных реальных кристаллов GaAs, ZnSe, CdTe, GaP и GaSeЗерагия, Эмзар Михайлович

Исследование свойств и оптимизация гетероструктур на подложках GaAs и разработка мощных лазеров на их основе: =0,78 - 1,3 мкмЛившиц Даниил Александрович

Исследование метастабильных состояний в эпитаксиальном n-GaAs по краевой люминесценцииШофман, Вадим Григорьевич