Введение к работе
і.
Актуальность темы.
Магнитные полупроводники (МП), один из классов которых оставляют хромхалькогенидные шпинели, представляют большой инте-ес для физики магнитных явлений и физики твердого тела. Этот нтерес определяется уникальными свойствами, которыми обладают энные материалы. В них наблюдаются гигантские величины магнитосо-ротивления (МС) и магниооптических эффектов, "красный" и "синий" двиг края оптического поглощения света при понижении температуры, отоферромагнитный эффект и другие. Эти эффекты связаны с наличием агнитного порядка в материале и вызваны влиянием сильного s-d Змена на носители тока. В хромовых халькошпинелях реализуются амые разнообразные магнитные структуры: ферромагнитная (ФМ), ятиферромагнитная (АФМ), ферримагнитная (ФШ), геликоидальная и тиновое стекло. Кроме того в МП реализуются особые магнитноприме-зые состояния: электронам доноров (или дыркам акцепторов) из-за >шгрыша в энергии s-d обмена энергетически выгодно локализоваться соло примесей, создавая вокруг них ферромагнитные микрообласти іримесньїе ферроны) или микрообласти с разрушенным магнитным поря-сом (антиферроны), в зависимости от того, какой обмен преобладает внутризонный s-d в первом случае, или межзонный во втором.
Большинство известных в настоящее время МП обладают точками эри ниже комнатной температуры, что сдерживает их практическое ^пользование в технике. Поэтому очень важна проблема получения ,юокотемпературных МП. Следует отметить, что наряду с практичес->й значимостью задача создания МП с Тс>зоо К тесно связана с ізвитием представлений о влиянии катионного и анионного замещений і свойства шпинелей, а также с экспериментальной проверкой водов современной теории МП.
Цель работы Изучить физические свойства как нелегированных кристаллов rcr2se4, так и с добавками in и Ga для получения информации о аимосвязи электрической и магнитной подсистем, вызванной s-d :меном, а также сравнить полученные характеристики с аналогичными Я CdCr2Se4:In и CdCr2Se4:Ga;
б) Провести поиск новых высокотемпературных МП на основе медны хромхалькогенидных шпинелей, опираясь на выводы современной теори МП.
Для достижения этой цели были поставлены следующие задачи:
і. Изучить в широком интервале температур 4.2 К<Т<зоо К удельно
электросопротивление, магнитосопротивление (МС), термоэдс, эффек
Холла и намагниченность, а также их зависимость от величины магни
тного поля Н нелегированных кристаллов Hgcr2se4 и легированных г
и Ga. Сравнить полученные результаты с аналогичными дл.
CdCr2Se4:In и CdCr2Se4:Ga.
2. Исследовать электрические и магнитные свойства следующих новы:
составов МП на основе медных хромхалькогенидных шпинелей:
CuxMn1_xCr2S4 (х=0; 0.1; 0.2),
CuCr2S3.93Вг0.07'
x-CuCr2Se4-(l-x)Cu107Me0_53Cr16Se4 (Ме= Sn, Ge),
CuCr1.5+xSb0.5-XS4 (x<0.3),
Cu^yMeyCr^+o^ySbo^.o^yS.j (Me=Zn, 0.25 0.25 - co^-jcrj.ysbo,^, Mn1-2cr17sb0#1s4. Обсудить полученные результаты на основе современной теории МП. Научная новизна работы. В ФМ шпинели Hgcr2se4 впервые исследована зависимость магнито-термоэдс лоі/оі от температуры Т и намагниченности о и проведене подробное исследование эффекта Холла. Обнаружено, что магнитотер-моэде составляет несколько процентов; ее зависимость от намагниченности а отличается от квадратичной в районе точки Кюри Тс (дг/оі=Всгт, м^б) На кривых коэффициента термоэдс =і(Т) и нормального коэффициента Холла обнаружены особенности r районе Тс. Большая величина m и эти особенности объяснены наличием примесных ферронов, образующихся у донорных центров - вакансий se2~. В монокристаллах HgCr2se4:Ga, близких к стехиометрии, обладающих высоким удельным электросопротивлением ,р~і(н-іо5 Ом-см и резким максимумом J> в точке Кюри Тс, обнаружено изотропное положительное МС выше Тс. В этих кристаллах немного ниже Тс сначала наблюдается гигантское отрицательное МС равное эо% в поле 47 кЭ, затем МС меняет знак и выше Тс становится положительным, достигая в максимуме ~17%. Монокристаллы HgCr2se4:in, имеющие отклонения от стехиомет- ни и обладающие низкой величиной j>~i-s-io Ом «см, обнаруживают зна-нтельно меньшее возрастание р в районе Тс и только отрицательное 2~7о% немного нижеТс. . Найдено, что максимумы модуля МС и j> в Hgcr2se4:m и gcr2Se4:Ga смещаются под действием магнитного поля в сторону злее высоких температур. Гигантские максимумы МС и р а также их ївиг под действием магнитного поля объяснены с помощью ферронов. . Обнаружено, что в легированных in и Ga кристаллах Hgcr2se4 шагниченность в районе точки Кюри значительно сильнее возрастает ростом магнитного поля, чем в обычных ФМ. Таким бразом, в данных шокристаллах магнитное поле размывает фазовый переход ФМ-парама-іетик значительно сильнее, чем в обычных ФМ. Указанное явление іьяснено присутствием ферронов. Обнаружено, что введение меди в ФИМ полупроводник Mncr2s4 при-ідит к сильному увеличению температуры Кюри (~зоо К) при сохра-інии полупроводникового типа проводимости. Таким образом, найдены >вые невырожденные МП с температурами магнитного упорядочения :ше комнатной. Предполагается, что такое увеличение Тс связано с шествованием сильного s-d обменного взаимодействия в составах xMni-xCr2s4 с з^0*1 и -2- Оценена величина этого взаимодействия ~о.б эВ. Из изучения магнитных и электрических свойств новых МП на нове медных хромхалькогенидных шпинелей показано, что составы Cr2S3.93Br0.07 И CuCr1.5+xSb0.5-XS4 (*=0.3) ЯВЛЯЮТСЯ МП С чками Кюри выше комнатной. речисленные выше положения выносятся на зашиту. Практическая ценность результатов работы. Полученные в диссертационной работе результаты способствуют пьнейшему развитию представлений о транспортных свойствах МП, в ;тности, о взаимодействии носителей тока с магнитной системой ;ледуемого материала. С точки зрения практического использования важность работы слючается в создании и исследовании МП с точками Кюри выше гаатной температуры, что приблизит их применение. Такие физичес-; свойства, как красный сдвиг оптического поглощения и гигантів эффекты МС позволят использовать эти материалы в качестве :чиков магнитного поля и других сенсорных устройствах. Апробаций работы. Основные результаты диссертационной работы представлялись и обсу ждались на: - yiii Всесоюзной школе-семинаре "Новые магнитные материалы дл НИКроЭЛеКТрОНИКИ", Донецк, 1982; - Всесоюзном симпозиуме "Неоднородные электронные состояния" Новосибирск, 1984; - Всесоюзной конференции "Химическая связь, электронная структур КаЛИНИН, 1985; -х Всесоюзной школе-семинаре "Новые магнитные материалы дл микроэлектроники", Рига, 1986; XI Всесоюзной школе-семинаре "Новые магнитные материалы дл микроэлектроники", Ташкент, 1988; xyiii Всесоюзной конференции по физике магнитных явлений КаЛИНИН, 1988; Международной конференции по магнетизму ісм'9і, Эдинбург, Вели кобритания, 1991; її Международной конференции по физике ферритов, Токио, Япония 1992; хш школе-семинаре "Новые магнитные материалы для ' микроэлек троники", Астрахань, 1992; yi Научном семинаре по физике магнитных явлений, Донецк, 1993; Международной конференции по магнетизму іск'94, Варшава, Польша 1994. Публикации. По результатам диссертации опубликовано 19 печатных работ. Структура и объем диссертации. Диссертация состоит из введения, четырех глав, выводов и спискя литературы, содержащего 156 названий. Диссертация изложена на 12о страницах и содержит 29 рисунков и 6 таблиц.
и физикохимические свойства полупроводников и полуметаллов"