Электронная библиотека диссертаций и авторефератов России
dslib.net
Библиотека диссертаций
Навигация
Каталог диссертаций России
Англоязычные диссертации
Диссертации бесплатно
Предстоящие защиты
Рецензии на автореферат
Отчисления авторам
Мой кабинет
Заказы: забрать, оплатить
Мой личный счет
Мой профиль
Мой авторский профиль
Подписки на рассылки



расширенный поиск

Движение доменных границ и доменов в тонких FeNiCo пленках Семиров, Александр Владимирович

Данная диссертационная работа должна поступить в библиотеки в ближайшее время
Уведомить о поступлении

Диссертация, - 480 руб., доставка 1-3 часа, с 10-19 (Московское время), кроме воскресенья

Автореферат - бесплатно, доставка 10 минут, круглосуточно, без выходных и праздников

Семиров, Александр Владимирович. Движение доменных границ и доменов в тонких FeNiCo пленках : автореферат дис. ... кандидата физико-математических наук : 01.04.11 / Урал. гос. ун-т им. А. М. Горького.- Екатеринбург, 1995.- 22 с.: ил. РГБ ОД, 9 95-2/270-1

Введение к работе

Возможности использования тонких магнитных пленок в ра:\-;:;-инх технических устройствам внзьгааат повышенный интерес исследователей і', научении перспективных с точки &ренин их прпм^'зн:.:: ферромагнитных материалов. Сплагы FeNiCo составов могут ыт> использованы при создании магниточувствитэльных датчшсоя Ш, то-копленочных магнитных головок ллч считывания вксокоплотной запис;: информации [23, магяиторезистивных элементов памяти [31 и рапо.-п-надкріх устройств (ЗУ) на продвигающихся магнитных дсмэках [41. Важным преимуществом Fe-Ni-Co материалов, пс сравнению с пермаллоем, является на порядок более высокое значение константы одноосной анизотропии, что позволяет в значительной степени увеличить плотность записи информации s элементах памяти на доменных границах с поперечними связями, а так/ie существенно повысить надобность ЗУ на продвигающихся магнитных доменах .

Кроне прикладного значения исследование процессов перемагни-чипания тонких ферромагнитных пленок (ГОП) представляет и научный интерес. Прежде всего это связано с рядом особенностей тонкопленочного состояния, благодари кстэрым молено получать более полную информацию о механизмах процесса nepev* ніиивания, чем при исследовании массивных образцов.

К настоящему времени, несмотря на большое количество экспериментальных результатов, ряд важных как в научном, так и в прикладном значении вопросоп изучен недостаточно. Это касается латерального движения зигзагообразных Доменных границ и. доменов, влияния величины поля одноосной анизотропии Нк и температура на динамику доменных границ.

Объект исследования. Исследовались процессы движения доменных границ в пленках состава 15%Fe-64%Ni-21%Co, легированных Ті у Si. Образцы были получены ионно-плазменным методом на кремниевые, стеклянные и слюдяные с угольным подслоем подложки. Толщина исследуемых плеї'-.- составляла от 10 їм до 150 им. Индукция насыщения 1,2 Тл. Константа магнитострик-'-'-ги близка к куля. Величина поля ОДНООСНОЙ аНИЗОТрОПНИ В ПЛОСКОСТИ ПЛеНОК Е",;1'Ир0ВаЛаСЬ от 0,8

кА/к до 4,8 кА/м. Коэрцитивная сила Но состав-гла 0,1 + 0,3 гсЛ/у.

Цель работы Целью данной работы является исследование процесса движения доменных границ в ферромагнитных пленках состава 15%Fe-6-4XNi--йі%Со, легированных Ті и Si, толщиной 10 * 150 нм во внешних

МаГНИТНЫХ КОЛЯХ.

Исходя из этой цели были поставлен;; следующие задачи:

1, Исследовать влияние толщины пленок и величины поля одно
осной анизотропии на динамику продольных и поперечных доменных
границ.

2. Изучить Елияниа температуры на процессы движения продоль
ных и поперечных доменных границ .

Я. Исследовать свойства и выявить механизмы латерального дьилеьия зигзагообразных доменных границ и доменов.

Научная новизна работы

  1. Впервые в тонких ферромагнитных магнитоодноосчих пленках н-оладалсй аффект насыщения скорости V движения поперечных доменных границ во внешних магнитных полях. Предложено объяснение у^ньиіекия подвижности поперечных доменных границ с ростом внешнего магнитного поля Н и появления на зависимости V(H) участка насыщения скорости их движения 5а счет взаимодействия полей рассеяния поперечной доменной границы о полями рассеяния нвелевских доменных границ, разделяющих полосовые домены, образующиеся под воздействием внешнего магнитного поля.

  2. Впервые проведены систематические исследования влияния температуры на скорость движения продольных и поперечных доменных границ в МП с величиной поля одноосной анизотропии от 2,5 кА/ы до 4 кА/м и толщиной от 10 нм до 150 км. Установлено, что характер влияния изменения температуры на динамику доменных границ зависит от толщины пленок. Показано, что в интервале температур от 200 до 150 изменения в механизмах движс-аия доменных границ определяются температурной зависимостью константы одноосной анизотропии и ее влиянием на структуру дсмэнных границ и пороговые поля вращения намагниченности.

  3. Впервые показано, что латеральное движение зигзагообразных доменных границ имеет Место в ТШ толщиной в несколько раа меньшей толщины, соответствующей переходу от доданных границ о поперечными связями к блохопосим доменным границям. np-".V!0?:3:.:'j

модель, связывающая латеральное движение зигзагообразных доменных границ с периодическим изменением, под воздействием йнешнего поля, плотности магнитных зарядов, а следовательно, о изменением внергии к скорости движения смежных наклонных к сси легкого намагничивания (ОЛН) границ, образутсідих зигзаги.

  1. Предложен способ управления продвижением плоских магнитных доменов вдоль оси трудного намагничивания ТФП под воздействием комбинации магнитных полей.

  2. Предложен магнитостатический канал продвижения плоских магнитных доменов (ПВД) .

Практическая значимость работы

Проведение данных исследований связано с возможностью ист-пользования тонких ферромагнитных пленок в качестве носителей информации, а также различного ррда датчиков автоматики. В основном, перспективы использования гонких FeNiСо пленок связаны о проводимыми -в настоящее премя работами по созданию на их основе магниторезистивных &апоминачицих устройств и элементов памяти на плоских магнитных доменах.

В процессе эксплуатации устройств тонкспленочные элементы могут подвергаться различного рода температурным и деформационным воздействиям, приводят к изменению их магнитных параметров. Таким образом, при разработке усаройстз на ТОП необходимо иметь представление о влиянии изменений магнитных параметров на динамические свойства доменных границ.

Одним из ключевых моментов при разработке элементов памяти на ПМД является решение проблемы упр&злзгмого продвижения доменов в направлении оси трудного намагничивания ТФП... В связи с этим особый интерес приобретают исследования латерального движения плоских магнитных доменов.

В рамках этих исследований разработан и запатентован: Канал продвижения плоских магнитных доменов. МПК Gil СИ/14 N 93-048863/24/048936. Авторы: Гаврклш А.В., Семиров Л.В.

Апробация работы. Регаты исследований, изложенных в диссертации, докладывались на: научно-технической конференции "Перспективные материалы твердотельной электроники. Твердотельные- преобразователи в автоматике и робототехнике" (Минск 1990), Всесоюзных семинарах "Новые магнитные ызтериачы микроэлектроники" \нов-

город 1990, Астрахань 1992, Москва 1994), Всероссийском координационном совещании вузов по физике магнитных явлений (Иркутск 1992, Астрахань 1993), Российской конференции по электронной микроскопии (Черноголовка 1994).

Публикации. Основное содержание диссертации опубликовано в 15 печатных работах, список которых приведен в конце автореферата.

Структура и объем диссертации. Диссертация состоит из введения, пяти глав, заключения и списка цитированной литературы. Она содерклт 153 страницы машинописного текста, включая 40 рисунков. Список цитированной литературы содержит 214 наименований.