Введение к работе
Актуальності, темы. В последнее десятилетие на основе оксидов сурьми, висмута, свинца и других р-элементов, находящихся в низших степенях окисления, синтезированы новые соединения, в которых обнаружены сегнето- и пьезоэлектрические свойства. Одно из таких соединений - антимонит индия in3SVOl2 - родоначальник целого семейства полярных диэлектриков нового структурного типа r stij-O-p (R=ln,Sc,Y,Ia - Lu) . Очевидно, что без знания структуры, закономерностей фазовых переходов (Ш) и кристаллохи-иических особенностей разных структурных модификаций этого типа невозможно представить себе зависимость свойств от характера межатомных взаимодействий. Установление же симметрии исходной фазы G0 структурного типа R.,Sb,-CL2 и характера ее иэменэ-ния при СФП определяет место новых сегнетопьеэоэлектриков среди известных структурных типов, например перовскитов, антифлюоритов, эльпасолитов, пирохлоров и т.п. В свою очередь, можно надеяться, что изучение микроскопических механизмов ФП в разных структурных типах и, в том числе, в новом - R,Sbg0..2 , будет способствовать целенаправленному поиску новых материалов, обладающих ценными в практическом отношении нелинейными свойствами, и дальнейшему развитию материаловедения в целом.
Работа является частьо комплексных исследований (шифр 01.67.0033885),включащих синтез новых сегнетопьезоматериалов на основе оксидных соединений сурьмы и висмута,изучение их свойств, структуры и sffl, проводимых в лаборатории Диэлектрических материалов Физико-технического института им.С.У.Умарова АН Тадд.ССР, структурная часть диссертационной работы (глава Ш выполнена в соответствии с целевой комплексной программой ІКНГ СССР (шифр 0Ц.ОІ5, подпрограмма ОІО.ОІОЦ, раздел 02.02.Щ)"Изыскать и исследовать новые нецентросимметричные вещества с пьезо-сегнето-пиро-электрическими свойствами" (І93І-І985 гг)соисполнителем которой являлась лаборатория Рентгеноструктурного анализа Физико--технического института им.С.У.Умарова АЯ Тадд.ССР.
Цель работы. Цель настоящей работы - определить кристаллическую структуру и особенности структурного механизма возникновения спонтанно-поляризованного состояния в соединениях антимо-нитоо с общей формулой R3sb5012 '.
Для достияения указанной цели необходимо было решить следующие задачи:
I. Расшифровать структуру одного из кристаллов типа-- Ъ -
R,Sbr012 методом рентгеноструктурного анализа монокристаллов.
-
Изучить кристаллохимические особенности структурного типа R3Sb5o12 .
-
Провести рентгенографическое исследование структурных фазовых переходов в кристаллах In3Sb,-0..2 в широком интервале температур, определить их число и особенности.
-
Выявить структурные особенности, обеспечивающие возникновение спонтанной поляризации в кристаллах In_Sbc012 .
-
Определить возможную схему структурного механизма фазового перехода в кубических кристаллах Pr3Sbc012 .
Научная новизна работы. В методическом отношении новизна работы состоит в совместном рентгеноструктурном, кристаллохими-ческом и теоретико-групповом подходе к исследовали» механизма возникновения спонтанной поляризации в кристаллах ln,Sb5o12
Расшифрована структура кристалла Pr-Sb^O.^ - нового структурного типа (совместно с Х.М.Курбановым, А.Г.Гукаловой и И.К.Бутиковой). Автором определена структура сегнетоэластоэлек-трической фазы а 5 кристалла ln3Sb,-012 .
Проведена кристаллохимическая классификация соединений R,Sbc0^2 . Показано, что антимоніті редкоземельных элементов и индия образуют новую ветвь фляюритолодобных структур. Выявлены кристаллохимические особенности ряда антимонитов элементов третьей группы: обнаружено существование оригинального комплексного аниона [sb.(Sbo.)gl18~ в нецентросимметричных фазах кристаллов Pr3sb,-012 и ln3Sb5o12 , отмечено, что такие комплексы могут иметь различный знак энаитиоморфнзма.
Определена симметрия G0= 0^ и структура прафазы семейства R.SbgO^ 2 . Изучение структуры профазы и характера ее искажения при СФП позволило выявить основные структурные особенности, обеспечивающие возникновение спонтанной поляризации б соединениях ' In3Sbg012 и So3Sb^o12 . Проведено, теоретико-групповое описание изменения симметрии при СФП в In3Sb5o12 (при научной консультации и благожелательном участии С.Б.Мнсыля). Соискателем рассмотрена физическая реализация параметров порядка и предложат на модельная интерпретация структурного механизма возникновения спонтанной поляризации в In3sbc012 . Благодаря оригинальному расселении катионов Sb3+ , анионов и дефектных анионных позиций по соответствующим узлам флюоритоподобной матрицы в кристаллах In3Sbc012 исшет возникать и существовать спонтанно-поляризованное состояние (СПС) при Т< TQ за счет упорядочения ноподелен-- 4 -
пых пар электронов трехвалентной сурьмы, имеющей шестерную координации по кислороду, в одном из ДБух равновероятных направлений одоль выделенной оси третьего порядка. Показано, что появление макроскопической спонтанной поляризации взаимосвязано с двумя параметрами порядка, один из которых описывает возникновение сегнетоэластичеспих свойств, а другой - сегнетоэлектрм-ческих. Кристаллы типа In-StvO.^ классифицированы в качестве сегнетоэластоэлектригсов.
Практическая значимость работы. Полученные результаты позволяют более целенаправленно подходить к синтезу новых соединений данного структурного типа, перспективного на предмет обнаружения СФП, Прогнозировано существование новых соединений со структурой типа антимонита индия среди слозшых оксидов неполно валентных катионов р-элементов с общей прафазой А „В2( ВЕО.) ,
Наличие сегнато- и пьезоэлектрических свойств в широком интервале температур и "чисто" электронный механизм возникновения спонтанно-поляризованного состояния ставят кристаллы типа K.3Sbj-012 в ряд перспективных для применения в технике.
На защиту выносятся:
1. Кристаллическая структура фазы т^ антимонита празео
дима Pr,Sb5012 , структура сегнегоэластоэлэктрической фазы а Л.
антимонита индия ln«Sbg012 , кристаллохиыические особенности
всего ряда флюоритоподобных структур антимонитов элементов
третьей группы ( R,Sbc012 R=In,So,Y,Ln ) и прогноз существова
ния висмутитов РЗЭ состава Хп,В:ЦО,2 и структурного типа
ы3зъ5о12.
-
Симметрия G0= 0^ и структура профазы семейства кристаллов типа R3Sb5o12
-
Установление последовательности структурных фазовых переходов в кристаллах In,Sb,-0.|2
' h D3d 3v Cl
-
Модельная интерпретация структурного механизма возникновения спонтанной поляризации в кристаллах In,Sb,-012
-
Классификация кристаллов la,sb5012 в качестве сегне-тоэластоэлектриков.
Апробация работы и публикации. Материалы диссертации были представлены на:Х1У-ом Всесоюзном совещании по применению рентгеновских лучей к исследованию материалов (Кишинев, 1985), Республиканской научно-теоретической конференции молодых ученых и специалистов Таджикской ССР (Душанбе, 1985), Международной
конференции по модулированным структурам и политипии ( ic EMS , Wroclaw, 1986), Ш-ей Всесоюзной конференции по физико-химическим основам технологии получения сегнетоэлектрических и родственных материалов (Звенигород, 1988), ХП-ой Европейской кристаллографической конференции (Москва, 19Э9).
По материалам диссертации опубликованы статьи в гурналах: Доклады АН СССР и Доклады АН Таджикской ССР, Известия АН СССР "Неорганические материалы", Журнал неорганической химии, Координационная химия и Кристаллография.
По теме диссертации в соавторстве опубликовано ''J работ.
Структура и объем диссертации. Диссертация со.тоит из введения, четырех*глав, заключения, списка литературы и прилокпния, в котором даны схемы, поясняющие взаимодействие различных методов исследования кристаллов типа R-Sb,-012
Работа изложена на 201-ой странице машинописного текста, содержит 22 таблицы (28 стр.), 27 рисунков (26 стр.). В библиографии - 202 наименования ( 22 стр.).