ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЕ ГЕТЕРОСТРУКТУРЫ С ТУННЕЛЬНЫМ ЭФФЕКТОМ И ВНУТРИЦЕНТРОВЫМИ ОПТИЧЕСКИМИ ПЕРЕХОДАМИ Казаков, Игорь Петрович

Введение к работе

Актуальность темы

Трудности дальнейшего совершенствования элементной базы твердотельной электроники стремительно возрастают. Подход, доминирующий на протяжении всей истории развития интегральных схем, в котором повышение быстродействия приборов и увеличение плотности их компоновки достигалось уменьшением характерных размеров, исчерпывает себя. Уже в ближайшие годы характерные размеры многих электронных приборов достигнут значений, сравнимых с длиной волны де Бройля для электронов (26 нм в GaAs при 300 К [1]). На таких расстояниях классические физические представления не применимы и принципы работы электронных приборов должны измениться. Переход к новым проектным нормам будет замедляться по технологическим причинам и по экономическим, т.к. потребуются колоссальные вложения в промышленную технологию литографии в глубокой субмикронной и нанометровой областях. Кроме того, для многоэлементных монолитных устройств, таких как интегральные схемы, одной из ключевых становиться проблема отвода тепла, возрастающая с увеличением плотности компоновки элементов. Как отмечается в работе [2], замедление процесса дальнейшего уменьшения характерных размеров приборов неизбежно и закон Мура в ближайшее время будет нарушен.

Поиск иных путей развития элементной базы электроники заметно активизировался в последние два десятилетия. Одним из наиболее перспективных направлений развития альтернативной элементной базы является использование квантовых эффектов и принципа функциональной интеграции. Эффект резонансного туннелирования характеризуется чрезвычайно малой инерционностью внутренних электронных процессов (1 пс при комнатной температуре [3]), сравнимой с быстродействием сверхпроводящих устройств. Именно в этом направлении в мире достигнуты наивысшие в твердотельной электронике рекорды по быстродействию. Основная проблема развития данного направления функциональной интеграции связана с необходимостью обеспечения электрических характеристик, обусловленных квантовыми явлениями туннели- рования, которые, как известно, чрезвычайно чувствительны к толщине туннельных барьеров, качеству интерфейсов и однородности электрических свойств в пределах интегральной структуры.

Существующие технологии функциональной интеграции туннельных приборов с другими элементами интегральной схемы, например с транзисторами, базируются на вертикальной конфигурации расположения элементов, которая не может быть реализована средствами стандартной арсенид-галлиевой технологии из-за значительной высоты рельефа поверхности. Поэтому актуальной задачей являлась разработка технологии планарной интеграции элементов функционально интегрированных схем, изготавливаемых по стандартной технологии. К началу выполнения настоящей работы пла- нарная интеграция резонансно-туннельных диодов, транзисторов и диодов Шоттки не была разработана.

Исследования сверхрешёток с широкими слабосвязанными квантовыми ямами актуально в связи с возможностью получения генерации в терагерцовом диапазоне [4]. Из-за слабой туннельной связи сверхрешётки данного типа можно рассматривать как продукт функциональной интеграции последовательно соединённых резонансно- туннельных диодов, количество которых равно количеству периодов. Такого рода объекты мало изучены, однако их свойства, в частности, при поперечном электрическом транспорте, представляют самостоятельный интерес для создания твердотельных приборов нового типа, основанных на эффектах последовательного туннелирования носителей и образования доменной структуры электрического поля. Технологически сверхрешётки с широкими слабосвязанными квантовыми ямами достаточно сложные объекты. Низкое качество таких резонансно-туннельных гетероструктур, наблюдавшееся в мировой практике к началу работы над диссертацией, ограничивало возможности их экспериментального исследования и, поэтому, решение указанных технологических проблем, разработка методов технологического контроля были актуальны.

Другим важным направлением развития твердотельной элементной базы является создание компактных источников излучения, в частности лазеров, на внутренних переходах ионов редкоземельных и переходных металлов, работающих в ближнем и среднем ИК диапазоне. Такие источники могут иметь узколинейчатый спектр излучения и независящие о температуры параметры (редкоземельные ионы) или широкую полосу излучения (ионы переходных металлов в соединениях А2В6), что позволяет осуществлять перестройку рабочей длины волны. Такие лазеры, например на ZnSe: Cr²+, уже созданы на объёмных полупроводниковых кристаллах, однако радикальное улучшение всех параметров, которое может быть достигнуто только переходом на ге- тероструктуры, встречает существенные технологические трудности. Продвижение в этом направлении безусловно актуально.

Цели и задачи работы.

т-ч «_» и и

В связи с вышеизложенным, основной целью настоящей диссертационном работы являлась разработка технологии получения и методов технологического контроля, исследование свойств функционально интегрированных элементов на основе GaAs/AlAs типа резонансно-туннельный диод/полевой транзистор с затвором Шотт- ки/диод Шоттки с планарной конфигурацией для создания монолитных устройств цифровой обработки сигналов, и сверхрешёток GaAs/AlGaAs с широкими слабосвязанными квантовыми ямами для создания элементов многоуровневой логики, генераторов и электрических колебаний. Другая цель заключалась в разработке технологии выращивания и исследовании свойств эпитаксиальных слоёв и квантоворазмерных ге- тероструктур на основе GaAs/AlGaAs с примесью Yb и на основе ZnSe с примесью Cr²⁺ для создания источников излучения ближнего и среднего ИК-диапазона.

Для достижения поставленных целей в работе решались следующие основные задачи:

создание автоматизированного аппаратного комплекса для выращивания гетероструктур на основе GaAs методом молекулярно-пучковой эпитак- сии, оснащённого современными средствами исследования и контроля процесса роста;

разработка методики неразрушающего in situ контроля методом анизотропного оптического отражения процесса выращивания полупроводниковых гетероструктур на основе GaAs и металлов с разрешением 1 м.с.;

разработка конфигурации гетероструктур для планарной интеграции резонансно-туннельного диода, полевого транзистора с затвором Шоттки, диода Шоттки и технологии их выращивания методом молекулярно- пучковой эпитаксии;

изготовление и исследование параметров интегральных схем на основе функционально интегрированных элементов типа «резонансно- туннельный диод/полевой транзистор с затвором Шоттки/диод Шоттки»;

разработка технологии выращивания и методик оптического контроля in situ и ex situ слабосвязанных сверхрешёток с широкими квантовыми ямами на основе GaAs/AlGaAs и исследование их свойств;

разработка метода измерения латеральной подвижности носителей заряда в отдельных квантовых ямах многоямных гетероструктур выращенных как на изолирующей, так и на проводящей подложке.

разработка технологии выращивания эпитаксиальной гетероструктуры GaAs(S-Si)/Al для туннельной спектроскопии двумерной электронной системы с туннельным контактом Шоттки и приповерхностным S-Si- легированным слоем, исследование её кристаллической структуры и туннельных свойств;

разработка технологии молекулярно-пучковой эпитаксии квантово- размерных гетероструктур на основе GaAs/AlGaAs с примесью Yb, их активации ионной имплантацией кислорода, исследование внутрицентро- вых переходов ионов Yb ³⁺ в полученных гетероструктурах;

разработка технологии выращивания слоёв ZnSe, легированных примесью Cr, и исследование в них внутрицентровых переходов ионов Cr ²+ .

Объекты исследования.

Объектами исследования в диссертации являлись гетероструктуры и макетные образцы интегральных схем на основе GaAs/AlAs, имеющие перспективное применение в области быстродействующей электроники, а также легированные Yb гетероструктуры на основе GaAs/AlGaAs и легированные Cr гетероструктуры на основе GaAs/ZnSe, включая и квантово-размерные, для создания источников излучения ближнего и среднего ИК-диапазона. Основная часть работы посвящена туннельным гетеро- структурам следующих четырёх типов:

1. 1. Дискретные резонансно-туннельные диоды.

   2. Интегральные схемы на основе интегрированных резонансно-туннельных диодов, полевых транзисторов с затвором Шоттки и диодов Шоттки.

   3. Сверхрешётки с широкими слабосвязанными квантовыми ямами.

   4. Гетероструктуры GaAs(S-Si)/Al.

   Гетероструктуры на основе GaAs/AlGaAs, легированные примесью Yb c активацией примесью O и слои ZnSe, легированные примесью Cr, исследовались на предмет получения характеристического внутрицентрового излучения.

   Отдельным объектом исследования можно считать процесс выращивания всех перечисленных гетероструктур методом молекулярно-пучковой эпитаксии.

   Научная новизна.

   В диссертационной работе впервые получены следующие научные результаты:

   1. 4. 1. Разработана и реализована технология монолитной планарной интеграции резонансно-туннельного диода, полевого транзистора с затвором Шоттки и диода Шотт- ки на основе GaAs/AlAs/Al, полностью совместимая с базовой технологией арсенид- галлиевых интегральных схем.

         2. Разработана технология выращивания и созданы уникальные квантово- размерные объекты - высококачественные сверхрешётки с широкими слабосвязанными квантовыми ямами на основе GaAs/AlGaAs, проявляющие ряд неизвестных ранее эффектов при поперечном транспорте.

         3. Предложен и реализован метод измерения подвижности носителей заряда в ГС с квантовыми ямами, основанный на особенностях проникновения электрического поля вглубь образца. Получены аналитические выражения, позволяющие на основе экспериментальных данных определять латеральную подвижность носителей заряда в отдельных КЯ многоямных ГС, выращенных как на изолирующей, так и на проводящей подложке.

         1. 4. 3. Экспериментально установлено, что интенсивность люминесценции примесных центров с локализованными состояниями электронов значительно возрастает в матрице пониженной размерности.

               4. Обнаружена специфическая люминесценция, связанная с f-f переходами на ионах Yb в слоях GaAs, AlGaAs и в квантово-размерных структурах на их основе, легированных Yb в процессе выращивания методом молекулярно-пучковой эпитаксии и активированных ионной имплантацией кислорода.

               5. Зарегистрировано изменение формы спектральной полосы характеристического излучения ионов Cr , вызванное созданием микрорезонатора типа Фабри-Перо в гетероструктуре на основе

               GaAs/ZnSe:Cr²⁺.

               1. 4. 6. Разработана технология и установлены закономерности процесса легирования слоев и квантово-размерных гетероструктур на основе GaAs/GaAlAs методом молекулярно-пучковой эпитаксии. Достигнута концентрация примеси Yb 2-10¹⁸ см^-3, что не менее чем на порядок превышает ранее известные значения. Обнаружено явление накопления Yb на растущей поверхности слоев Ga(Al)As.

                     7. Разработана технология молекулярно-пучковой эпитаксии слоев ZnSe, леги-

                     2+

                     рованных примесью Cr из низкотемпературного молекулярного источника, в котором в качестве лигатуры предложено использовать высоколетучее соединение дифенил бензол трикарбонил хрома, разлагающееся на поверхности подложки с выделением Cr.

                     1. 4. 8. Определены границы устойчивости квантово-размерных структур на основе GaAs/AlGaAs к радиационным повреждениям, создаваемым ионной имплантацией Yb³+.

                           9. Установлено, что туннельный контакт Шоттки в гетероструктуре Al/(S-Si)- GaAs возникает при осаждении слоя Al только на стехиометрическую поверхность GaAs, имеющую в случае ориентации поверхности (001), реконструкцию (3х1). Показано, что невоздействующий метод анизотропного отражения позволяет более точно установить тип поверхностной реконструкции GaAs при отсутствии потока As, чем метод дифракции электронов.

                           10. Разработана методика оптического мониторинга процесса выращивания резонансно-туннельных гетероструктур на основе GaAs/AlGaAs методом анизотропного отражения, позволяющая in situ контролировать толщину слоев и резкость гетерогра- ниц с разрешением 1 м.с. в реальном масштабе времени.

                           11. Разработаны оптические методики неразрушающего контроля гетерострук- тур на основе GaAs/AlGaAs и металлов, основанные на измерении анизотропного отражения, фотоотражения и фотолюминесценции, в частности, методика оптического мониторинга процесса выращивания (in situ) с использованием метода анизотропного отражения, позволяющая контролировать толщину слоев и резкость гетерограниц с разрешением 1 м.с. в реальном масштабе времени.

                           Практическая значимость работы.

                           1. 4. 11. 1. Созданные технологии и комплекс диагностических методов позволяют осуществлять приборные разработки широкого класса наноструктур высокого быстродействия, основанных на квантовых эффектах резонансного туннелирования.

                                     2. Разработанная технология монолитной планарной интеграции резонансно- туннельных диодов, полевых транзисторов с затвором Шоттки и диодов Шоттки открывает относительно простой и малозатратный путь к созданию различных цифровых интегральных схем и других быстродействующих электронных устройств путем функциональной интеграции резонансно-туннельного диода с различными приборами средствами обычной арсенид-галлиевой технологии. Созданные опытные образцы интегральных схем - инверторов, компаратора - являются первыми отечественными микросхемами, функционирование которых основано на квантовых эффектах резонансного туннелирования и, соответственно, первыми отечественными наноэлектронными микросхемами.

                                     3. Полученные высококачественные сверхрешётки с широкими слабосвязанными КЯ на основе GaAs/AlGaAs имеют перспективное приборное применение в следующих областях: элементы многоуровневой логики, перестраиваемые приложенным напряжением генераторы, источники излучения в терагерцовом диапазоне электромагнитного спектра.

                                     4. Новый метод измерения латеральной подвижности носителей заряда в отдельных квантовых ямах полупроводниковых многоямных гетероструктур и комплекс оптических методик для контроля квантово-размерных, и в частности, резонансно- туннельных гетероструктур на основе методов фотоотражения и фотолюминесценции представляет интерес для метрологического обеспечения технологии полупроводникового производства, например, для селективной диагностики различных элементов приборных ГС.

                                     5. Разработана технология выращивания эпитаксиальных слоев и квантовораз- мерных гетероструктур на основе GaAs/AlGaAs с примесью Yb и на основе ZnSe с примесью Cr, обладающих характеристическим внутрицентровым излучением. Результаты исследований полученных гетероструктур, в частности, показывающих, что интенсивность люминесценции примесных центров с локализованными состояниями электронов значительно возрастает в матрице пониженной размерности, создают научно-техническую основу для создания полупроводниковых гетероструктурных источников излучения ближнего и среднего ИК диапазона на внутрицентровых переходах, включая миниатюрный перестраиваемый лазер на основе ZnSe: Cr²+ на диапазон 2-3 мкм, работающий при комнатной температуре.

                                     6. Разработаная методика неразрушающего in situ контроля методом анизотропного отражения процесса выращивания с разрешением 1 м.с. может найти применение в технологии эпитаксиального выращивания полупроводниковых гетероструктур с толщиной слоев менее 5 нм, в частности, обладающих резонансно-туннельными свойствами.

                                     Основные положения диссертации, выносимые на защиту:

                                     1. 4. 11. 6. 1. Впервые осуществлена монолитная интеграция резонансно-туннельных диодов, полевых транзисторов и диодов Шоттки средствами базовой технологии арсенид- галлиевых интегральных схем без применения специальных технологически сложных операций планаризации, что открывает широкие возможности для создания элементной базы нового поколения на основе квантовых эффектов. Изготовлены опытные образцы интегральных схем - инверторы и компаратор с быстродействием на уровне 0.1 нс.

                                                  2. На основе методов оптического отражения и анизотропии оптического отражения разработана методика неразрушающего in situ контроля с разрешением 1 м.с. процесса выращивания гетероструктур резонансно-туннельных диодов базе GaAs/AlAs. Получены резонансно-туннельные диоды с соотношением "пик-долина" 3.3, плотностью пикового тока 60 кА/см и быстродействием лучше 60 пс при комнатной температуре, что соответствует лучшим мировым достижениям.

                                                  3. С применением разработанной оптической методики неразрушающего контроля на всех этапах изготовления созданы высококачественные сверхрешётки с широкими слабосвязанными квантовыми ямами на основе GaAs/AlGaAs, имеющие характерные вольтамперные зависимости ступенчатого вида с мелкой периодической структурой на платообразных участках и обладающие эффектом переключения между мультистабильными токовыми состояниями, которые предложено использовать для создания элементов многоуровневой логики. Высокое качество полученных сверхрешёток подтверждается впервые зарегистрированным в таких структурах эффектом самоподдерживающихся осцилляций тока при поперечном транспорте с перестройкой частоты приложенным напряжением при последовательном резонансном туннелиро- вании в условиях электрической инжекции носителей заряда в нижние состояния размерного квантования.

                                                  4. Методом анизотропии оптического отражения установлено, что туннельный контакт в гетероструктуре GaAs(S-Si)/Al возникает при осаждении слоя Al только на стехиометрическую поверхность GaAs (001) с реконструкцией (3х1). Установлено, что при отсутствии потока As, поступающего на поверхность GaAs, определение типа реконструкции поверхности методом дифракции быстрых электронов затруднено из-за десорбции As под воздействием электронного пучка.

                                                  5. Разработана технология выращивания методом молекулярно-пучковой эпи-

                                                  таксии легированных примесью Yb до концентрации 10 см^- слоёв и квантово- размерных гетероструктур на основе GaAs/GaAlAs, в которых после ионной имплантации - кислорода (активатор) обнаружена специфическая люминесценция, связанная с f-f переходами на ионах Yb³+.

                                                  1. 4. 11. 6. 6. Впервые установлено, что интенсивность люминесценции примесных центров с локализованными состояниями электронов значительно возрастает в матрице пониженной размерности: зарегистрировано увеличение более чем на порядок интенсивности характеристического излучения ионов Yb ³⁺ в квантовой яме (GaAs/GaAlAs) по сравнению с объемными образцами GaAs.

                                                               7. Впервые в качестве лигатуры предложено использовать соединение дифенил бензол трикарбонил хрома при эпитаксиальном выращивании слоёв ZnSe, легированных примесью Cr, что позволило существенно (на 1000 С) снизить температуру молекулярного источника Cr, чем практически исключить неконтролируемый радиационный разогрев подложки молекулярным источником Cr и химическое взаимодействие Cr с тиглем молекулярного источника (BN). Получены эпитаксиальные слои ZnSe с концентрацией Cr ²+ на уровне 10¹⁸ см^-3 , не уступающие объёмным монокристаллам по интенсивности внутрицентровой фотолюминесценции ионов Cr ²+. На полученных образцах впервые зарегистрировано изменение формы спектральной полосы характеристического излучения ионов Cr , вызванное созданием микрорезонатора типа Фабри- Перо в гетероструктуре.

                                                               8. Предложен и реализован новый метод измерения латеральной подвижности носителей заряда в отдельных квантовых ямах полупроводниковых гетероструктур с несколькими квантовыми ямами, в том числе на проводящей подложке.

                                                               Апробация результатов работы.

                                                               Основные результаты диссертационной работы были представлены в докладах на следующих совещаниях, конференциях и сипозиумах: Symp. "Nanostructures Physics and Technology" (St. Petersburg, 1995, 1996, 1998,1999, 2000, 2002, 2003, 2007 г.г); Национальная конференция по применению рентгеновского, синхротронного излучений, нейтронов и электронов для исследования материалов РСНЭ'97 (г, Москва-Дубна, 1997); Всеросийской конференции по физике полупроводников "Полупроводники 97,"(г. Москва,1997 г.); 9^th Int. Conf. Defects in Semicond.(Aveiro, 1997 г.); Сов. «Нано- фотоника» (Нижний Новгород, 1999 г.); 24th International conference on the physics of semiconductors (Jerusalem, 1998); конф. «Микро- и наноэлектроника 98» (Звенигород, 1998 г.); IV Всеросийская конференция по физике полупроводников " Полупроводники 99," (Новосибирск, 1999 г.); Российская конференции по физике полупроводников (Нижний Новгород, 2001 г.), Всесоюзная научно-технической конференции «Микро- и наноэлектроника 2001» (Звенигород, 2001 г.); 1-ая Российская конференция молодых учёных по физическому материаловедению (Калуга, 2001 г.); 2 Международная конференция молодых учёных и специалистов "0птика-2001" (Санкт-Петербург, 2001 г.), 65. 26-th Intern. Conference on Physics of Semiconductors (Edinburgh, 2002); Совещ. "Нанофотоника-2002"(Нижний Новгород, 2002 г.); Int. Conf. on "Extended defects in wide gap materials - extended defects in semiconductors -2002" (Bologna, 2002); Int. Conf.on Lasers, Applications, and Technologies "LAT 2002" (Moscow, 2002 г.), Восьмая российская конференция «Арсенид галлия и полупроводниковые соединения группы III-V», (Томск, 2002 г.); 12-th Euro-MBE Workshop (Bad Hofgastein, 2003 г.); International Conference "Micro- and nanoelectronics - 2003" (Zvenigorod, 2003, 2004 г.г.); Девятая всероссийская научная конференция студентов-физиков и молодых учёных (Красноярск, 2003 г.); II Всероссийская научно- техническая дистанционная конференция ( Москва, 2003г.); VI Российская конференция по физике полупроводников «Полупроводники 2003» (Санкт-Петербург, 2003 г.); XX Российская конференция по электронной микроскопии (Черноголовка, 2004 г.); II Всероссийская научно-техническая дистанционная конференция "ЭЛЕКТРОНИКА" (Москва, 2003 г.); Совещание «Нанофо- тоника» (Нижний Новгород, 2004 г); Совешание «Кремний-2004» (Иркутск, 2004 г); 13^th European Molecular Beam Epitaxy Workshop (Grindelwald, 2004 г.); VII Российская конференция по физике полупроводников (Москва, 2005 г.); Конференция «Фундаментальные и прикладные проблемы современной физики», Демидовские чтения (Москва, 2006 г.); XXXV International School on the Physics of Semiconducting Compounds (Ustron-Jaszowiec, 2006); XII Национальная конференция по росту кристаллов (Москва, 2006 г.); Summer School «Physics of Intersubband Semiconductor Emitters» (Polazzone di Cortona, 2006); Четвёртая Российская конференция с международным участием по физике, материаловедению и физико-химическим основам технологии получения легированных кристаллов кремния и приборных структур на их основе (Москва, 2007 г.); 8 Российская конференция по физике полупроводников (Екатеринбург, 2007 г.); Intern. Conf. "Micro- and nanoelectronics - 2007" (Moscow, 2007 г.); Девятая всероссийская молодёжная конференция по физике полупроводников и наноструктур, полупроводниковой опто- и наноэлектронике (Санкт-Петербург, 2007 г.); XII Международный симпозиум «Нанофизика и наноэлектроника» (Нижний Новгород, 2008 г.); 3 rd Int. Workshop on Modulation Spectroscopy of Semiconductores (Wroclaw, 2008 г.); XIII Национальная конференция по росту кристаллов НКРК-2008 (Москва, 2008 г.); 25ht International Conference on Defects in Semiconductors "ICDS-25"(St Petersburg, 2009); International Conference "Micro- and nanoelectronics - 2009" (Moscow, 2009). XIV международный симпозиум «Нанофизика и наноэлектроника» (Нижний Новгород, 2010 г.); XIV Национальная конференция по росту кристаллов (Москва, 2010 г.); 16^th Inter. School on quantum electronics: Laser Physics and Applications (Proc. of SPIE 2011); XV международный симпозиум «Нанофизика и наноэлектроника» (г. Нижний Новгород, 2011 г).

                                                               Также результаты работы неоднократно докладывались на Учёном совете ФИАН и семинарах Отделения физики твёрдого тела ФИАН.

                                                               Публикации.

                                                               Основное содержание диссертации отражено в 58 публикациях, в том числе в 17 статьях в журналах, рекомендованных ВАК, и одном патенте. Список публикаций автора приведён в конце диссертации.

                                                               Личный вклад автора.

                                                               Автором был сделан выбор направления исследования, предложены постановки задач, разработаны технологии получения всех объектов, исследованных в диссертации. Автором создана технологическая база выращивания гетероструктур методом мо- лекулярно-пучковой эпитаксии, включая аппаратное обеспечение и технологию выращивания. Автор принимал непосредственное участие в постановке экспериментов и проведении исследований на полученных объектах. Автор внёс определяющий вклад при обработке экспериментальных результатов и их представлении в печати. С участием автора были разработаны:

                                                               1. Все используемые в диссертации оригинальные технологии выращивания ге- тероструктур методом молекулярно-пучковой эпитаксии.

                                                               1. Автоматизированный аппаратный комплекс для выращивания гетероструктур на основе GaAs методом молекулярно-пучковой эпитаксии.

                                                               2. Конфигурации гетероструктур для планарной интеграции резонансно- туннельных диодов, полевых транзисторов с затвором Шоттки и диодов Шоттки.

                                                               3. Метод измерения латеральной подвижности носителей заряда в отдельных квантовых ямах многоямных гетероструктур.

                                                               4. Различные приложения методов анизотропного отражения, фотопроводимости и фотолюминесценции для контроля гетероструктур.

                                                               5. Методика исследования быстродействия резонансно-туннельных гетероструктур на основе регистрации СВЧ-спектра Фурье-гармоник.

                                                               Структура и объём диссертации.

                                                               Диссертация состоит из введения, пяти глав, заключения, списка работ автора, списка цитируемой литературы и четырёх приложений. Диссертация содержит 277 страниц, включая 99 рисунков и 5 таблиц, 129 источник цитирования.

                                                               Похожие диссертации на ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЕ ГЕТЕРОСТРУКТУРЫ С ТУННЕЛЬНЫМ ЭФФЕКТОМ И ВНУТРИЦЕНТРОВЫМИ ОПТИЧЕСКИМИ ПЕРЕХОДАМИ

                                                               

                                                               Эффекты фазового перехода в кристаллах каломелиЮрков Александр Сергеевич

                                                               

                                                               Пироэлектрический эффект в окрестности фазовых переходов в системах твердых растворов на основе ниобата натрияБородин Алексей Викторович

                                                               

                                                               Оптические переходы, туннельные и баллистические эффекты в полупроводниковых наноструктурахАлешкин Владимир Яковлевич

                                                               

                                                               Переходы металл - диэлектрик и эффекты электрон-электронного взаимодействия в двумерных электронных системахШашкин Александр Александрович

                                                               

                                                               Эффекты локализации и межэлектронного взаимодействия при переходе двумерной системы к диэлектрическому состояниюДижур Евгений Михайлович

                                                               

                                                               Электрические эффекты высших порядков в области структурных фазовых переходов в сегнетоэлектриках Гладкий Всеволод Владимирович

                                                               Магнитооптические и многочастичные эффекты в гетероструктурах на основе квантовых ям InGaSa с близкими к критическим ширинамЖученко, Зоряна Ярославовна

                                                               Эффекты локализации и квантовый эффект Холла в гетероструктурах p-Ge/GeSiНеверов, Владимир Николаевич

                                                               Взаимодействие поверхностных акустических волн с двумерными электронами в гетероструктурах GaAs/AlGaAs в режиме целочисленного квантового эффекта ХоллаСмирнов, Иван Юрьевич

                                                               

                                                               Эффекты межэлектронного взаимодействия в квантовых гальваномагнитных явлениях в полупроводниковых гетероструктурах - и -типаКарсканов Иван Валерьевич